Фототриод Советский патент 1959 года по МПК H01L31/102 

Существующие полупроводниковые приборы не могут быть практически использованы для преобразования световой энергии в электрическую вследствие малой их чувствительности к свету.

Описываемый фототрнод имеет полностью открытую поверхность, пол которой расположен коллекторный р-п переход, обуславливающий эффективное поглощение регистрируемого светового потока. Высоколегированный эмиттер и тонкая база, получающиеся путем диффузии п. рекристаллизации при одновременном выплствлепии допорпо1 и акцепюриой примесей из сплава, обеспечивают больиюе усиление первичного фототока, в результате чего описываемый фототриод легко достигае чувствительности десять-двадпать ампер па люмен. Будучи нанйянньо, на металлическую подложку, онисывае.мый фототриод имеет рабочие фототоки до нескольких десятков миллиампер (ири темновом токе- менее миллиамнера). Ч вствптельность описываемого фототриода может изменяться как в меиьщую, так п в большую сторону от указапиогс значения путем изменения толщины базы.

На чертеже изображеиа коиструкция предлагаемого фототриода.

Фототриод имеет полностью открытую для света рабочую поверхliCCTb со стороны коллектора, причем свет падает перпендикулярно пло скости р-п перехода через отверстие / в металлической пластинке 1. Коллектором служит иластинка германия отипа р. База 4 и эмиттер 5 созданы путем диффузии и рекристаллизаиии, соответственно происходящих при одновременном выплавлении доиориой и акцепторио примесей из силава 6. Базовый выход отсутствует, что делает технологию изготовления фототриодов достаточно просто . Напряжеиие питания (10-20 в) прикладывается между коллектором и эмиттером.

Предмет изобретения

Фототриод, выполненный иа основе гю,т ироЕэдп 1кового TIUKL.:;. о т л и ч а 10 HI и и с я тем, что, с целью r,OBb Hje::HSi его ч всгв1 то1ьнэгт:. 01 НАгеет нолиосгью открь т 1О для света свстпч вств11тельну;о pa6o4yio riOBepxiiocTb коллектора, в качестве которого служит нластш-ка. н.апример, из германия, расположенная на металлической иод.южкс с отверстием, п рабочее напряжение прикладывается между коллектором -i эмиттером.