Способ циклической записи информации на гелеобразном носителе Советский патент 1986 года по МПК G03G17/00 

Изобретение относится к записи информации на деформируем1)1х слоях методами электрографии и может найти применение в устройствах заниси.

Целью изобретения является повышение скорости стирания.

На фиг.1 представлено устройство для реализации предложенного способа на фиг.2 - временная диаграмма отклика деформируемого слоя.

Устройство для реализации способа вкрочает в себя гелеобразный носитель, состоящий из электропроводящей подложки , на которой размещен гелеобразный деформируемый слой. С зазором над деформируемым слоем 2 располжены электроды 3 и 4, которые могут быть выполнены кольцевыми или в виде ленточных электродов. Деформируемый слой выполняют толщиной не менее расстояния между электродами 3 и 4. Блок управления 5 управляет ключа- ми 6 и 7, с помощью ключей 6 и 7 электрод 3 соединяют с общей точкой 8.

Способ циклической записи информации на гелеобразном носителе осуществляют следующим образом,.

На гелеобразном носителе создают информационный рельеф, формируя на носителе наряду с информационным полем локально растрирован- ное электростатическое поле путем воздействия на носитель электростатическим растром. Локально растри- рованное электростатическое поле применяют для повьпвения чувствительности записи, и кроме того, оно необходимо для получения достаточной плотности записи. Пондеромоторные силы электростатического поля вызывают образование геометрического рельефа на свободной поверхности деформируемого слоя 2 гелеобразного носителя.

Каждый информационный элемент записи формируют с помощью прямого электростатического растра. После записи информационного элемента изменяют положение электростатического растра путем перемещения его параллельно поверхности деформируемого слоя 2 гелеобразного носителя на величину, равную половине его пространственного периода. Наряду с этим, стирание каждого элемента записи осуществляют с помощью смещенного электростатического растра, прикладьшае- мого вокруг элемента прямого раст

ра записи. При этом рельеф каждого элемента записи, образующийся под воздействием прямого и смещенного растров, имеет противоположные значения и из положения 9 смещается в положение 10, т.е. в местах образования впадин рельефа образуются выпуклости. В результате этого стирание рельефа, образованного прямым растром, происходит как под дей- ствием упругих сил деформируемого слоя 2, так и под действием механических сил рельефа, образованного смещенным растром. При этом механические напряжения, возникающие в материале слоя, имеют противоположные значения, что разгружает материал от механических напряжений и тем самым исключает накопление остаточных деформаций по всей поверхности слоя 2.

Кроме того, это позволяет устранять остаточные деформации выборочно, только в местах записи информации,

Для исключения возможности накопления остаточных деформаций необходимо, чтобы толщина деформируемого слоя 2 была не менее половины пространственного периода растра электростатического поля. Если деформируемый слой 2 выполнен толщиной менее половины пространственного периода, то разгрузка материала деформируемого слоя 2 механических напряжений происходит не полностью, что приводит к медленному накоплению остаточных деформаций, так как в этом случае сказывается влияние подложки (рельеф образуется не под центром, а под краями управляющего электрода).

Длительность отклика деформируемого слоя 2 состоит из времени нарастанин рельефа и времени стирания, при- причем длит(1льнос ть отклика слоя 2 превьщ1ает длительность применяемых управляющих электрических сигналов, что и определяет оперативную память.

При этом время нарастания рельефа зависит от амплитуды управляющих электрических сигналов, топологии электрического поля и толщины деформируемого слоя, а время стирания

рельефа зависит от физико-механических свойств материала деформируемого слоя и является величиной постоянной цпя каждого конкретного

3 .

релье.фографического носителя. При стирании рельефа каждого информационного элемента записи посредством рельефа, образуемого под действием CMenjeHHoro электростатического растра, время стирания рельефа зависит от момента приложения смещенного растра, при этом отклик 11 деформируемого слоя 2 будет близко к отклику 12, Меняя момент приложения смещенного электростатического растра, получают различную длительность отклика деформируемого слоя 3, обеспечивает управление оперативной памяти.

Z2A784

Форму

4

ла изо.бре тения

Способ циклической записи информации на гелеобразном носителе, включающий создание на нем информационного рельефа путем формирования информационного локально-растрированного электростатического поля, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости стирания, после снятия информационного электростатического поля формируют на носителе импульсное электростатическое поле, , локализованное на растровых элементах, соседних со стираемыми.

Изобретение позволяет повысить скорость стирания в способе циклической записи информации на гелеобразном носителе. На гелеобразном носителе создают информационньй рельеф путем формирования информационного локально растрированного электростатического поля. На носителе формируют импульсное электростатическое поле, локализованное на растровых элементах, соседних со стираемыми. Устройство для реализации способа включает в себя гелеобразный носитель, состоящий из электро.проводящей подложки I с гелеобразным деформируемым слоем 2. Над слоем 2 с зазором расположены электроды 3 и 4, которые могут быть вьтолнены кольцевыми или в виде ленточных электродов. Слой 2 выполняют толщиной не менее р асстояния между электродами 3 и 4. Блок 5 управляет ключами 6 и 7, с помощью которых элек-- трод 3 соединяют с общей точкой 8. Рельеф каждого элемента записи имеет противоположные значения и из положения 9 смещается в положение 10, т.е. в местах образования впадин рельефа образуются выпуклости. 2 ил. СО Л7 Ч X/ / / у N5 IvD ь 00 4: