Способ определения структуры магнитной поверхности Советский патент 1986 года по МПК G01R33/02 

Описание патента на изобретение SU1238009A1

Изобретение относится к технике измерения свойств магнитного поля в замкнутых магнитных системах плазменных ловушек , например стеллараторов.

В ловушках силовая линия магнитного поля может совершать много обходов вдоль магнитной скст&1Ы. Множество таких силовьпс линий образуют семейство вложенных магнитных поверх- ностей. Область существования иагнит- ных поверхностей является рвабочей областью магнитного поля плазменной ловушки, т.е. областью удержа«ия плаз- Mbi. Свойства магнитных поверхнс стей (их форма, размер, полх) относи- тельно обмоток магнитного поля и стенок вакуумной камеры, порядок заполнения магнитной поверхности силовой линией и т.п.) обуславливают качество магнитной систеьал как ловушки для .

Цель Изобретения - увеличение точности измерения структуры магнитных поверхностей.

Поставленная цель достигается увеличением количества надежно регистрируемых обходов электронного пуч- ка вдоль магнитной системы.

Способ осуществляют следующим образом..

В камеру магнитной системы (стел- ларатора) инжектируют точечный пучок электронов вдоль силовой магнитной линии. Электронный пучок проходит в замкнутой Kaiiepe магнитной системы несколько оборотов. Фиксируют точки и порядок прохождения. з лектронного пучка через плоскость сечения камеры В одной из точек плоскости, где надежно зафиксировано прохождение злекТ ройного пучка, вновь инжектируют пучок электронов вдоль силовой магнитной линии. По порядку прохождения пучка через плоскость сечения камеры и координатам точек пересечения судят о структуре магнитной поверхности.

На фиг. 1 и 2 изображены схемы реализации способа, где 1 - участок; торроидальной вакуумной камеры, А и В - сечение камеры, 2-3 - зонды- пушки для инжекции и измерения электронного пучка, 4 - перегородка со множеством локальньк диодов. I

Схема реализации, изображенная на фиг. 1, работает следукядим оОразом.

Электронной пушкой 3 инжектируют электронный пучок. После N обходов камеры зонд-пушка 2 .фиксирует электронный пучок в т. а Далее зонд -пуш- ка 2 инжектирует из т. а дополнительный электронный пучок Вт. b сечения В зонд-пушка 3 фиксирует этот дополнительный пучок. Пбсле этого из т. 1 пушкой 3 инжектируют еще пучок электронов, который проходит еще N оборотов.

Схема реализации, изображенная на фиг. 2, предназначена для магнитных систем, где возможна регистрация только одного обхода пучка. В сечении А вакуумной камеры размещают перегородку. На одной стороне перегородки устанавливается подвижная пувпса, на другой - множество зондов. Каяздый зонд имеет заранее определенные коор- динаты и связан со считыракщим устройством. Посылаемый пушкой 3 электронный пучок, обойдя по.силовой линии вдоль системы, :попадает на один из локальных зо{здов. Считывающее устройство определяет номер этого зонда. Таким образом определяется первая измеренная точка АJ пересечения силовой линии с плоскостью измерений. Вторая точка Л2 определяется точно так же в результате инжекции электронного пучка из точки А,, куда Перемещают пушку 3 (на фиг. 2 показана точками) и т.д.

При измерении структуры магнитной поверхности в замкнутой магнитной системе при однократном инжектировании электронный пучок может совершить в камере 5-15 оборотов вследствие рассеивания на остаточном газе. Способ позволяет повысить число надежных оборотов электронного пучка в системе, а следовательно, увеличить число фиксируемьк точек на поверхности измеренияг. Это обеспечивает повышение точности измерения структуры магнитной поверхности.

Похожие патенты SU1238009A1

название год авторы номер документа
Способ измерения возмущений магнитного поля в тороидальных плазменных системах 1978
  • Козлов Павел Иванович
  • Попрядухин Алексей Петрович
SU696638A1
Устройство для получения и удержания высокотемпературной плазмы 1989
  • Тараненко Виталий Кириллович
  • Иванов Борис Ильич
SU1633464A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПУЧКА ИОНОВ ВЫСОКОЙ ЗАРЯДНОСТИ 2010
  • Доля Сергей Николаевич
  • Коваленко Александр Дмитриевич
  • Решетникова Клара Андреевна
RU2448387C2
Способ генерации многозарядных ионов 1989
  • Голованивский Константин Саввич
  • Дугар-Жабон Валерий Дондокович
SU1698912A1
СПОСОБ ПОДДЕРЖАНИЯ СТАЦИОНАРНОГО ТОКА В ПЛАЗМЕ ТОРОИДАЛЬНЫХ ТЕРМОЯДЕРНЫХ УСТАНОВОК ТИПА ТОКАМАК 1992
  • Артеменков Л.И.
  • Бревнов Н.Н.
  • Петвиашвили В.И.
RU2019874C1
Способ получения потока ионов 1988
  • Тараненко Виталий Кириллович
  • Иванов Борис Ильич
  • Егоров Алексей Михайлович
  • Шулико Владимир Николаевич
SU1603545A1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ В ВАКУУМНЫХ УСТАНОВКАХ 2004
  • Медведев Александр Александрович
  • Стрелков Вячеслав Сергеевич
RU2271550C2
Устройство для инжекции сильноточного электронного пучка в установку с магнитным полем 1977
  • Диденко Андрей Николаевич
  • Нечаев Борис Александрович
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Тузов Владимир Александрович
SU708544A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ 1996
  • Тимергалиев Р.Ш.
  • Губарев А.А.
  • Середа Ю.В.
  • Болдин А.В.
RU2096933C1
Способ формирования электронного кольца 1977
  • Диденко Андрей Николаевич
  • Петров Анатолий Викторович
  • Рябчиков Александр Ильич
  • Тузов Владимир Александрович
SU683036A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 238 009 A1

Реферат патента 1986 года Способ определения структуры магнитной поверхности

Формула изобретения SU 1 238 009 A1

Н cvumbfoafoufei y t/fmptwcff8y

риа.г

Редактор Н.Горват

Заказ 3285/46Тираж 728Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфияеское предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная 4

Составитель А.Дивеев

Техред Л.Олейнйх Корректор М.Самборская

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1986 года SU1238009A1

Бережецкий М.С
и др
Исследование структуры магнитных поверхностей стеллатора
- ЖТФ, 35, 12, с 2168.

SU 1 238 009 A1

Авторы

Котенко Владимир Григорьевич

Даты

1986-06-15Публикация

1984-06-12Подача