При применении известных способов создания скрытого растрированного электростатического изображения на фотополупроводниковом слое весьма сложно получать растрировапные полутоновые изображения.
Предлагаемый способ более совершенен по сравнению с известными, так как он свободен от указанного недостатка. Это достигается тем, что растр, выполненный краской, хорошо отражающей свет, во время съемки прижимают к фотографируемому оригиналу.
При создании скрытого электростатического изображения растровая сетка, нанесенная на прозрачную подложку, -например стеклянную пластину, имеет не черный цвет, а белый. При прижатии такого растра к фотографируемому оригиналу благодаря высокой отражающей способности белой растровой сетки на фотополупроводниковый слой будет проектироваться полутоновое изображение, разрезанное линиями растра на квадратики. В результате этого на пластине образуется растровый потенциальный рельеф.
Предмет изобретения
Способ создания скрытого растрированного электростатического изображения на фотополупроводниковом слое, отличающийся тем, что растр, выполненный краской, хорошо отражающей свет, во время съемки прижимают к фотографируемому оригиналу.
Авторы
Даты
1959-01-01—Публикация
1958-10-30—Подача