Для предохранения полупроводниковых триодов от перегрузок при больших уровнях сигнала применяют схемы с использованием полупроводниковых диодов.
Предлагаемая схема (см. чертеж) позволяет при .сравнении двух напряжений, превышающих в 100 и более раз допустимое напряжение на базе, заш,итить триод в случае исчезновения одного из двух сравниваемых напряжений. От известных предлагаемая схема отличается способом включения полупроводниковых диодов BI и BZ и наличием балластного сопротивления R .
Диод В-2 обеспечивает заш,иту триода, когда опорное напряжение U намного превосходит управляюш,ее напряжение U. В этом случае одновременно заперты диод В и триод. Для того, чтобы напряжение на переходе эмиттер - база не превысило опасной величины, обратное сопротивление диода должно быть значительно больше обратного сопротивления эмиттерного перехода. Диод BI за1диш,ает триод при значительном превышении напряжения Uz над напряжением LV При этом диод BI заперТ; а ток в цепи базы ограничивается балластным сопротив-лением R , величина которого выбирается достаточно большой. В режиме, когда оба диода В и В отперты, ток базы практически определяется разностью напряжений Ll и f/2 и не зависит от R, если выполнено условие ,
Предмет изобретения
Устройство для заш,иты полупроводниковых триодов, включенных по схеме с обш,им эмиттером, с применением полупроводниковых диодов, отличающееся тем, что, с целью ограничения максимального тока в цепи эмиттер-база, последовательно включены источник управляющего напряжения, диод и балластное сопротивление, на которое через второй диод подключен источник опорного напряжения, с которым сравнивается управляющее, полярность которого и диодов соответствует направлению тока в балластном сопротивлении от базы к эмиттеру.
