Датчик напряженности электрического поля Советский патент 1986 года по МПК G01R29/12 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности электрического поля с повышенной то.чнос7 тыо.

Целью изобретения является повышение разрешающей,способности и улучшение конструкции датчика путем удлиненртя сегнетоэлектрической пластины датчика в направлении силовых линий измеряемого поля без увеличения расстояния между электродами возбуждения и, следовательно, напряжения возбуждения.

На чертеже приведена принципиальная схема предложенного устройства.

Основным элементом в устройстве является измерительный датчик-модулятор 15 состоящий из сегнетоэлектрической пластины 2, на которой по обеим поверхностям расположены три электрода 3. Два электрода возбужде- ния нанесены с одной из сторон пластины по краям симметрично относительно ее центра и соединены с источником возбуждения.Третий электрод нанесен с другой стороны пластины в центре без перекрытия с упомянутыми электродами и через линейный конденсатор 4 и полосовой усилитель 5 соединен с входом электроизмерительного прибора 6. I

Устройство работает следующим образом.

Пластина 2 включена в дифференциальную (балансную) схему и возбуждается напряжением о частотой и. Это . напряясение, приложенное между электродами сегнетоэлектрической пласти- ныр создает продольное электрическое поле возбуждения Е с той же частотой О , Так как сегнетоэлектрик обладае известпьми нелинейными свойствами, то при его возбуж,цении напряжением с угловой частотой Q его диэлектрическая проницаемость и, следовательно, емкость будет изменятся с частотой, равной 2м.

Составитель Е .Пл окникова Редактор М. Келемеш Техред, Л.Олейник

Заказ 4914/44 Тираж 728 Подписное ВНИИГШ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул.Проектная, 4 .

5

0

5

0

5

0

5

При отсутствии постоянного ПОЛЯ и симметрии балансной схемы ток двойной частоты в индикаторной цепи, состоящей из линейного конденсатора 4 и полосового усилителя 5, не возникает. Если же сегнетоэлектрическую пластину 2 внести в постоянное измеряемое .электрическое поле напряженности Е, то благодаря поляризации сегнетозлектрической пластины 2 по несимметричной кривой, в индикаторной цепи появится сигнал, имеющий частоту 2 со , величина которого является функцией измеряемой напряженности электрического поля Е. После усиления сигнал подается на электроизмерительный прибор 6, который показывает напряженность электрического поля в данной области пространства.

Для возбуждения предлагаемого измерительного датчика требуется невысокое переменное напряжение, так как расстояние между электродами переменного поля возбуждения может быть выбрано минимальным. Увеличение чувствительности прибора и диаграммы направленности достигается удлинением сегнетоэлектрической пластины датчика в направлении силовых линий измеряемого поля, не увеличивая при этом расстояние между электродами возбуждения и, следовательно, напряжение возбуждения.

Формула изобретения

Датчик напряженности электрического поля, содержащий сегнетоэлектрическую пластину, на одну сторону которой нанесены электроды возбуждения, отличающийся тем, что, с целью повьшшния чувствительности и разрещаюЩей способности и упрощения конструкции, он снабжен выходным электродом, расположенным на противоположной стороне сегнетоэлектрической пластины без -перекрытия с .... упомянутыми электродами.

Корректор М. Демчик

Изобретение относится к измерительной технике. Цель изобретения - повышение разрешающей способности и улучшение конструкции датчика.Устройство содержит датчик - модулятор 1, на сегнетоэлектрической пластине которого расположены три электрода 3. При этом один из электродов 3 нанесен на стороне пластины 2 без перекрытия с электродами 3 на другой стороне пластины 2 и через линейный конденсатор 4 и полосовой усилитель j соединен с электроизмерительным прибором 6. Увеличение чувствительности прибора и диаграммы направленности достигается удлинением сегнетоэлектрической пластины 2 датчика-модулятора 1 в направлении силовых линий измеряемого поля, не увеличивая при этом расстояние между электродами 3 возбуждения и, следовательно, напряжение возбуждения. 1 ил. G S (Л с: