| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ | 2010 |
|
RU2435247C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ | 2012 |
|
RU2488911C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ ИК-ДИАПАЗОНА | 2015 |
|
RU2596773C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AB МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ | 2005 |
|
RU2297690C1 |
| МОЩНЫЙ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ТИРИСТОР | 2003 |
|
RU2252467C1 |
| КРИСТАЛЛ УЛЬТРАБЫСТРОГО ВЫСОКОВОЛЬТНОГО СИЛЬНОТОЧНОГО АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОГО ДИОДА | 2009 |
|
RU2472249C2 |
| Кристалл ультрабыстрого высоковольтного арсенид-галлиевого диода | 2022 |
|
RU2801075C1 |
| Способ обработки поверхностно-барьерных структур на основе соединений @ @ | 1980 |
|
SU921378A1 |
| МНОГОПЕРЕХОДНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2010 |
|
RU2442242C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО p-i-n ФОТОДИОДА | 2013 |
|
RU2537087C1 |
1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:
где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа;
- концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров;
C1, C2 - коэффициенты захвата рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров.
2. Диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения токораспределения по площади диода, области с меньшим содержанием рекомбинационных центров равномерно распределяют по площади структуры, при этом диаметр d области и толщина W n-слоя структуры, границы которой совмещены с областью с большим содержанием рекомбинационных центров, определены соотношением d > 4W.
