Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления Советский патент 1986 года по МПК H03G3/30 

Изобретение относится к усилителю на транзисторах, в частности к усилителю на транзисторах с регулируемтзгм коэффициентом усиления, в котором отрицательная эмиттерная обратная связь меняется без изменения постоянного напряжения смещения.

Цель изобретения - расширение частотного диапазона. На фиг. 1 представлена принципиаль- ю Этот ная электрическая схема усилителя с регулируемым коэффициентом усиления; на фиг.2 - пример использования изоб ретения в схеме дифференциального ус лителя. Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления содержит усилительный транзистор 1, резистор 2 в цепи эмиттера усилительного транзистора, регулирующий транзистор 3, источник 4 управляющего тока. Дифференциальный усилитель содержит также дополни тельньз усилительный 5 и регулирующи 6 транзисторы, дополнительные резисторы 7 и 8. Предложенный усилитель с регулиру емым к.эффициентом усиления работает следую1; им образом. Коэффициент yci-тения усилителя с регулируег ым коэффициентом усиления регулируется изменением импеданса в цепи эмиттера усилительного тран-зисторь 1 за счет изменения импеданса регулирующего транзистора 3 путем И31ч -нения тока, протекающего через негэ, при этом чем больше ток, протекагощий через регулирующий транзистор 3, тем меньше импеданс его пе рехода бака - эмиттер, . В качестве регулирующего транзистора 3 могут использоваться как обы ные транзисторы, так и вертикальные р-п-р-транзисторы, у которых области являются областями из сверхочищенного (высокой удельной проводимости) полупроводникового материала. Эти беспримесные области разделены на Р+ эмиттерную область и п + контактную базовую область расстоянием, которое больще, чем диффузионная длина неосновных носителей, инъекцируемых в беспримесную область из эмиттерной области в ответ на ток эмиттер-коллекторного перехода 1( , регулирующий усиление, таким образом переход эмиттер - база устройства действует как недетектирующий PIN диод при сигналах высокой частоты (т.е. более, чем 1 МГц). Сопротивление перехода эмиттер база регулирующего транзистора 3 регулируется током IGC получаемым от источника 4 управляющего тока и уменьшается с увеличением тока Реальнее всего ток Igj. протекает через эмиттерколлекторный переход устройств с исключительно маленьким постоянным током, втекающим в базу устройства, базовый ток незначительный по равнению с эмиттерным током усилиельного транзистора 1 и, следоваельно, не нарушаем смещения по постонному току усилительного транзи тоа, что позволяет подключить регулиующий транзистор 3 непосредственно эмиттеру усилительного транзистоа 1 без разделительного конденсатоа, что и приводит к расширению часотного диапазона в области высоких астот. В дифференциальном усилителе увеличение тока источника 4 управляющеиго тока приводит к снижению сопротивлений база-эмиттерных переходов регулирующего и дополнительного регулирующего транзисторов 3 и 6,эти умень-, Шенные сопротивления будут параллельны дополнительным резисторам 7 и 8, следовательно и полные сопротивления в цепях эмиттеров усилительного и дополнительного усилительного транзисторов 1 и 5 будут малы и усиление дифференциального усилителя будет максимальным. Максимальный коэффициент усиления дифференциального уси-. лителя достигается при наименьшем токе источника 4 управляющего тока и эмиттерные сопротивления усилительного и дополнительного усилительного транзисторов 1 и 6 будут равны значениямдополнительных резисторов 7 и 8. Предлагаемое устройство может использоваться в качестве модуляторов, в которых модулирующим сигналом является ток источника управляющего тока 4, изобретения Усилитель с регулируемым коэффициентом усиления, содержащий усилительный .транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером с резистором в цепи эмиттера, а также регулирующий транзистор и источник управляющего сигнала, отличающийс я тем, что, с целью расщирения ча312681184

стотного диапазона, источник управля-эмиттеру усилительного транзистора,

ющего сигнала выполнен в виде источ-коллектор соединен с общей шиной,,

ника управляющего тока, база регули-а эмиттер подключен к источнику упрующего транзистора подключена кравляющего тока.

В

Фи8.2