Устройство для контроля фотошаблонов и полупроводниковых пластин Советский патент 1986 года по МПК G01B11/02 

INS si

СД

4

1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для контроля линейных размеров профиля элементов на плоских объектах с дифрак1-р1онными тестовыми структурами.

Цель изобретения - повышение точности путем изменения угла падения зондирующего излучателя.

На чертеже представлена схема устройства,

. Устройство содержит последовательно установленные источник 1 когерентного излучения, конденсор 2, держатель 3 объекта измерения, кронштейн 4, фотоприемник 5, установленный на кронштейне 4, который имеет возможность поворота в двух взаимно перпендикулярных плоскостях, дефлектор 6, выполненный из .трех зеркал 7 - 9, так, что .зеркало 7 установлено под углом 45° к оси источника 1 и опти,чески с ним связано, зеркало 8 связано оптически с зеркалами 7 и 9, зеркало 9 размещено над -держателем 3 объекта. Привод 10 обеспечивает перемещение дефлектора 6, двигатели |11 и 12 - кронштейна 4. Окуляр 13 и объектив 14 предназначены для визирования объекта контроля.

Устройство работает следующим образом.

Излучение от источника 1 проецируется конденсором 2 на зеркало 7 дефлектора 6 и, отражаясь последовательно от зеркал 7 - 9,-формирует на держателе 3 объекта пятно с распределением интенсивности, близким к равномерному, отражаясь от объекта контроля, закрепляемого на держателе 3 J излучение дифрагирует и на площадке фотоприемника 5 образуется часть дифракционной картины.

Перемещением кронштейна 4 под управлением двигателя 12 осуществляется сканирование дифракционной картины. Далее дефлектор 6 перемещается приводом 10 в новое положение. С по705542

мощью двигателя 11 кронштейн 4 перемещается до положения, обеспечивающе гo максимальный.сигнал с выхода фотоприемника 5. Далее повторяется ска5 нирование новой дифракционной картины, образовавшейся вследствие применения угла падения излучения на объект. Описанные действия повторяются и по найденной совокупности значений

интенсивности и по формуле дифракционной решетки определяются геометрические параметры контролируемого объекта, или рисунка на нем. Благодаря изменению угла падения зондирующего излучения обеспечивается высокая точность контроля при сложном профиле рисунка на объекте, когда нормальное падение излучения приводит к низкой дифракционной эффективности и, следовательно, низкому контрасту дифракционной картины, регистрируемой фотоприемником.

Формула изобретения

Устройство для контроля фотошаблонов и полупроводниковых пластин, содержащее последовательно установленные источник когерентного излуче30 ния и конденсор, держатель объекта измерения, кронштейн и фотоприемник, §акрепленньш на кронштейне с возможностью noBopoTei относительно держателя объекта в двух взаимно перпенди35 кулярных плоскостях, отличающееся тем, что, с целью повьшгения точности контроля, оно снабжено дефлектором, установленным между конденсором и держателем объекта и вы40 полненным в виде трех зеркал, одно из которых установлено под углом 45 к оси источника и оптически связано с первым и третьим зеркалом, разме/ценным над держателем объекта, а

45 -кронштейн .выполнен в форме дуги окружности с направляющими, предназначенными для перемещения по ним фотоприемника.

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к контролю формы объектов и рисунка на ни У-стройство позволяет повысить точность измерения фотошаблонов и полупроводниковых плат с различным качеством рисунков за счет изменения угла падения зондирующего пучка. Дпя этого устройство содержит дефлектор, установленный между конденсором и держателем объекта и выполненный из трех зеркал, расположенных так, что одно из них составляет угол в 45° с осью источника излучения и оптически с ним связано, второе оптически связано с первым и третьим зеркалами, .а третье зеркало размещено над держателем объекта. Для обеспечения последовательного сканирования фотоприемником кронштейк выполнен с направляющими. 1 шт.