Изобретение относится к строительству, в частности к устройству фундаментов зданий и сооружений, возводимых на подрабатываемых территориях.
Цель изобретения - повышение несущей способности фундамента.
На фиг. 1 изображен фундамент здания, возводимого описываемым способом, перед расклиниванием фундаментных плит, поперечный разрез; на фиг. 2 - то же, фундамент в рабочем положении.
Способ устройства фундамента здания включает устройство траншеи 1, установку в нее вертикально фундаментных плит 2 со скошенными гранями 3 так, чтобы скосы были направлены друг к другу. После этого траншею 1 засыпают сыпучим материалом 4, например песком или песчано-шлаковой смесью. Затем производят расклинивание фундаментных плит 2 любым известным способом. Например, на верхние концы фундаментных плит можно установить металлические упоры 5, между ними разместить домкраты 6, которые создадут расклиниваю- ш.ие усилия. Расклинивание плит 2 производят до тех пор, пока верхние концы плит 2 не соединятся с кромкой траншеи , а именно: ширина траншеи 1 должна быть ме- нее или равной ширине фундаментной плиты 2, а глубина траншеи 1 должна приниматься в пределах от п 0,866 1 до h 0,966 1, где 1 - ширина фундаментной плиты 2. Изменение соотноплений между h и 1 приводит к изменению конструк- тивного рецления фунда.мента, т. е. в одном случае он будет работать как фундамент на естественном основании (плоская подошва), а в другом - как 1ппунтовый
6
фундамент. После расклинивания пространство между плитами 2 заполняют грунтом 7 (супесь, суглинок, песок) с уплотнением. Затем на грунт 7 укладывают распределительную плиту 8.
Расклинивание фундаментных плит 2 производят после засыпки траншеи 1 сыпучим материалом 4. В этом случае усилия расклинивания невелики, так как сыпучий материал 4 легко уплотняется. Кроме того, сыпучий материал 4 в данном случае представляет собой демпфируюш,ий слой, т. е. слой, способный noraujaTb усилия от деформации основания здания. При подработке основания здания слой сыпучего материала 4 частично погашает дополнительные усилия, передаюш,иеся на фундамент от деформации земной поверхности, и тем самым повышает несушую способность конструкции фундамента.
Формула изобретения
Способ устройства фундамента здания, вю1ючаюш,ий устройство траншеи, установку вертикально фундаментных плит и расклинивание их, укладку распределительной плиты, отличающийся тем, что, с целью повышения несуш,ей способности фундамента, перед расклиниванием фундаментных плит траншею засыпают сыпучим материалом, расклинивание производят до соединения верхних концов плит с кромкой траншеи, а промежуток между плитами после расклинивания заполняется грунтом с уплотнением, причем глубина траншеи принимается в пределах 0,866-0,966 ширины фундаментной плиты.
Составитель т. Пономарева
Редактор Н. СлободяникТехред И. ВересКорректор И. Муска
Заказ 6646/25Тираж 641Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий
113035, Москва, , Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
сриг.1
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
АРМОГРУНТОВЫЙ ЩЕЛЕВОЙ ФУНДАМЕНТ МЕЛКОГО ЗАЛОЖЕНИЯ | 2016 |
|
RU2633626C1 |
СПОСОБ УСИЛЕНИЯ МАЛОПРОЧНЫХ ВОДОНАСЫЩЕННЫХ ГРУНТОВ ОСНОВАНИЯ ЛЕНТОЧНОГО ФУНДАМЕНТА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2019 |
|
RU2747744C2 |
СПОСОБ ВЫПРАВЛЕНИЯ КРЕНА ЗДАНИЯ, ВОЗВЕДЕННОГО НА СВАЙНОМ ФУНДАМЕНТЕ | 2008 |
|
RU2382146C1 |
СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ ФУНДАМЕНТОВ В ЗИМНИХ УСЛОВИЯХ | 1988 |
|
RU2043461C1 |
Ленточный фундамент и способ его возведения | 1990 |
|
SU1788149A1 |
СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ ЗДАНИЙ КОМПЛЕКСНОЙ ЗАСТРОЙКИ | 2008 |
|
RU2391464C2 |
ГИДРОЦИРКУЛЯЦИОННЫЙ ФУНДАМЕНТ НА КАЧАЮЩИХСЯ ОПОРАХ | 2021 |
|
RU2774527C1 |
СПОСОБ ЗАЩИТЫ ФУНДАМЕНТА ОТ МОРОЗНОГО ВЫПУЧИВАНИЯ | 2005 |
|
RU2301304C1 |
Способ уплотнения просадочного грунта собственным весом и весом возводимого здания | 1980 |
|
SU937609A1 |
СЕЙСМОСТОЙКОЕ ЗДАНИЕ | 2012 |
|
RU2535567C2 |
Изобретение относится к области строительства, а именно к устройству фундаментов зданий. Цель изобретения - повышение несундей способности фундамента достигается за счет того, что перед расклиниванием фундаментны.х плит 2 траншею I засыпают сыпучим материалом 4. Расклинивание производят любым известным способом до тех пор, пока верхние концы плит 2 из вертикального положения не соединятся с кромкой траншеи 1. Это условие выполняется при ширине траншеи 1 менее или равной ширине фундаментной плиты 2 и глубине траншеи п (0,866-0,966) К где I - ширина фундаментной плиты 2. Пространство между плитами 2 заполняют грунтом 7 и на его уплотненную поверхность укладывают распределительную плиту 8. 2 ил. (Л с к О5 ОГ) IND (рие.г
ФУНДАМЕНТ | 0 |
|
SU399588A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Фундамент,возводимый в пучинистыхгРуНТАХ | 1979 |
|
SU796317A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Авторы
Даты
1986-12-15—Публикация
1985-03-05—Подача