Управляемая гистерезисная муфта Советский патент 1987 года по МПК H02K49/04 

Изобретение относится к общему машиностроению и может быть применено, например, в составе электроприводов систем автоматического регулирования, а также в приборостроении.

Цель изобретения - упрощение кон-- струкции и повышение КПД муфты.

На фиг. 1 изображена управляемая гистерезисная муфта, общий вид; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1| на фиг. 3 - сечение на фиг. 1.

В состав муфты входят ведущая полумуфта 1, содержаатая зубцовый маг нитопроводящий фланец 2, на котором закреплены шестерня 3 и немагнитная втулка 4, на которой установлены и скреплены, например компаундом 5, стержневые магниты 6 и магнитопро- вод 7 с полюсами-зубцами, ведомая полумуфта 8, содержащая немагнитную втулку 9, на которой закреплены шестерня 10 и магнитотвердые пластины 11, образующие шихтованный в продольном направлении гистерезис- ный слой, обмотка 12 управления с центральным неподвижным магнитопро- водом 13.

Муфта работает следующим образом

При выключенной обмотке 12 управления поток постоянных магнитов 6 замыкается через группу (приблизительно половину от общего числа их) магнитотвердых пластин 11, расположенных над полюсами этих магнитов.

При включении обмотки 12 управления в определенной полярности магнитный поток замыкается в направлении, противоположном потоку магнитов 6, через вторую группу магнитотвердых пластин 11, расположенных под зубцами - полюсами подвижных частей, фланца 2 и 7 магнитопровода, обеспечивая передачу на ведом мо полумуфту 8 вращающего момента.

Изменив полярность тока в обмотке 12 управления, получают согласное направление потоков магнитов б и обмотки 12 угфавления в обеих группах магнитотвердых пластин 11.

При проскальзывании ведомой полумуфты 8 магнитное состояние всех ферромагнитных пластин 11 не изменяется. Муфта не передает вращающего момента, т.е. отключается.

5

0

5

0

5

0

5

0

Упрощение конструкции предлагаемой муфты достигнуто благодаря изъятию из ее состава дополнительной опоры вращения постоянного магнита, имевшей место в известной муфте.Это оказалось возможным благодаря тому, что постоянный магнит размещен внутри гистерезисного слоя, и опоры вращения подвижной части магнитопровода, содержащей фланец и втулку, служат одновременно опорами вращения постоянному магниту 6.

Повьпиение КПД предлагаемой муфты достигнуто благодаря тому, что гисте- резисный слой ведомой полумуфты размещен на максимальном в пределах радиальных габаритов муфты радиусе вращения. В результате достигнуто максимальное увеличение окружной длины, а значит, и объема гистерезисного слоя, что позволяет увеличить передаваемый муфтой момент и ее КПД.

Дальнейшее увеличение передаваемого муфтой момента достигнуто благо- дг;ря тому, что максимально увеличен приложения усилий, создающих упомянутый момент.

Формула изобретения

Управляемая гистерезисная муфта, содержащая коаксиально расположенные ведущую полумуфту С постоянным магнитом и составной магнитопровод с полюсами, закрепленными на немагнитной втулке, жестко свя занный с ведущей полумуфтой, ведомую полумуфту с гистерезиснь1м слоем, шихтованным в продольном направлении, обмотку управления, размещенную на неподвижном центральном магнитопроводе, ко- г|кс,иально постоянному магниту, о т- личающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения КПД, постоянный магнит ее выполнен в виде аксиально намагниченных стержней, размещенных на немагнитной втулке между полюсами магнитопровода, а гистерезисный слой установлен снаружи ведущей полумуфты с постоянным магнитами и магни- топроводом.

XI -Xf

6-6

gjus.Z

Фиг.З

Изобретение относится к общему машиностроению и может быть использовано в электроприводах автоматического регулирования. Цель изобретения - упрощение конструкции и по- вьшение КПД муфты. Управляемая гисте- резисная муфта содержит ведущ то полумуфту 1 с зубцовым магнитопроводящим фланцем 2, на котором размещены шестерня 3 и немагнитная втулка 4. На втулке 4 установлены и скреплены с ней стержневые магниты 6 между полюсами магнитопровода 7. Ведомая полумуфта 8 содержит немагнитную втулку 9,на которой размещены шестерня 10 и магнитотвердые пластины 11, образующие шихтованный в продольном направлении гистерезисный слой, охватывающий ведущую полумуфту с постоянными магнитами 6. Обмотка управления 12 установлена на центральном неподвижном магнитопроводе 13. Размещение гистерезисного слоя на максимальном радиусе обеспечивает увеличение передаваемого момента и КПД муфты, а изъятие дополнительной опоры постоянного магнита упрощает конструкцию. 3 ил. i (Л 10 N9 00 to to sl ел фиг1