Известны запоминающие устройства матричного типа, выполненные с использованием технологии печатных схем, а также матричные запоминающие устройства с элементами памяти на пленочных магпитных материалах с прямоугольной нетлей г 1стерезиса.
Предлагаемое матричное запоминающее устройство с плепочнои структурой, предназначенное для хранения информации, заданной в двоичном коде, отличается от известных тем, что, с целью повышения экономичности, быстродействия и уменьшения габаритов, запоминающие элементы, составляющие замкиутую магнитную систему, состоят из слоев пленочного материала, имеющих преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки, слоев пленочных петлеобразных проводников со слоями диэлектриков между нпми и промежуточного слоя магнитной пленки с преимущественным намагничиванием в направлении перпендикуляр гам плоскости пленки.
Принц шиальная схема предлагаемого устройства изображена па чертеже.
Матричное запоминающее устройство выполняется носледовательным нанесением на изоляционную подложку (например, керамическую) методом распыления пленочных слоев специальной ко1 фигураппи следующих видов материалов: магнитпого с прямоугольной петлей гистерезиса, проводящего и изоляционпого. Первым па подложку наносится сплошной слой магнитного материала, имеющего преимущественное намагничивание вдоль плоскости пленки; затем через трафарет наносится слой изоляции и за ним первая петлеобразная обмотка /. Далее наносятся: изоляция, обмотка считывания 2, изоляция, вторая петлеобразная обмотка 5 и еще изоляция. В области 4, охватываемой петлями первой и второй обмоток, наносится магнитный материал с преимуп1ествениым намагничиванием в направлении перпепдикулярном к пло.-кости пленки. Последним наносится сплошной слой магнитного материала с преимущественным намагничиванием вдоль плоскости пленки.
В результате получается матрица из магнитных сердечников, образующихся в общей области двух пересекающихся линий первой и второй петлеобразных обмоток (например, область 4. Каждый из образованных таким образом магнитных сердечников при достаточном суммарном токе в обмотках 7 и 5 может быть перемагничен в одно из двух ус
