Устройство для подсчета количества проросших семян Советский патент 1987 года по МПК A01C1/02 

25

Изобретение относится к сельскому озяйству, в частности к определению оличества посевного материала.

Цель изобретения - упрощение иод- чета количества проросших семян. 5

На чертеже изображено устройство ля подсчета количества проросших сеян, общий вид.

Устройство содержит кювету 1, в оторой находится увлажненный песок; О 2. На поверхность субстрата уложен слой проницаемого для проростков сеян поропласта 3, покрывающего семена 4. Поверх поропласта расположен слой порошкообразного электропрово- ящего материала 5, через электроды 6 последовательно соединенного с источником 7 тока, потенциометром 8 и записывающим устройством 9.

Устройство работает следующим об- разом.

Семена исследуемой культуры раскладывают на увлажненное ложе (песок, фильтровальная бумага) в растильне длиной 150-200 мм, шириной 20-30 мм, сверху прикрывают слоем проницаемого для проростков гидрофобного диэлектрика (поропласта), насыпают сверху порошкообразный электропроводяш;ий материал (графит) слоя 2 мм и ставят на проращивание, пропуская через электропроводящий слой ток, сиой 1 мА от внешнего источника постоянного тока (батареи КБС).

Покрытие семян слоем пористого, 35 проницаемого для ростков гидрофобного диэлектрика позволяет изолировать семена от порошкообразного электропроводящего материала и одновременно отделить формирующиеся ростки один от другого. С помощью слоя порошкообразного электропроводящего материала, нанесенного на слой гидрофобного диэлектрика, имеется возможность по изменению электрического сопротивле- ния определить число проростков, прошедших через слой электропроводящего материала.

Проростки проникают через поро- штаст, нарушают слой графита, изме- няя его электропроводность, что приВНИИПИ

Заказ 1650/1

Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

водит к изменению силы тока, проходящего через электропроводящий слой. Это изменение силы тока в цепи регистрируется прибором, самопишущим миллиамперметром типа КСП-4. Изменение силы тока в цепи во времени пропорционально количеству прошедших через графит сформировавшихся проростков. Например, сила тока в цепи при закладке опытов на испытание способа составляет 1,3 мА, Через три дня первые проростки проникают через по- крьгоающий их слой и изменяют сложение графита. Десять проростков при- . водят к паденкю силы тока на 0,11 мА, последуюш 1е двадцать проростков уменьшают силу тока на 0,24 мА. Прч 80% всхожести семян сила тока составляет 0,3 мА.

На основе этого можно составить график-и определить всхожесть семян в любое время проращивания.

Применение предлагаемого изобретения позволяет автоматизировать подсчет всхожести посевного материала по дням, снизить затраты труда при оценке посевого материала.

При сравнительных испытаниях с помощью предлагаемого способа оцениваются посевные качества семяН яровой пшеницы. Различия со стандартным способом составляют 1-2% в сторону уменьшения всхожести семян.

Формула изобретения

Устройство для подсчета количества проросших семян, включающее субстрат для семян, анализатор проросших семян и записывающее устройство, о t - личающееся тем, что, с целью упрощения подсчета количества проросших семян, анализатор семян выполнен в виде уложенного на поверх- ность субстрата слоя проницаемого для проростков семян гидрофобного диэлектрика с расположенным на нем слоем порошкообразного электропроводящего материала, который последовательно соединен с источником тока и записывающим устройством.

Тираж 630

Подписное

Изобретение относится к сельскому хозяйству и предназначено для определения качества посевного материала. Целью изобретения является упрощение подсчета количества проросших семян. В устройстве для подсчета количества проросших семян семена раскладывают на увлажненный песок 2 на проращивание. Сверху семена прикрывают слоем пористого, проницаемого для проростков поропласта 5, на который насыпают слой порошкообразного электропроводящего материала (например, графита) 4, соединенного с источником 7 тока. О всхожести семян судят по изменению электрического сопротивления электропроводящего материала 4, 1 ил. о «3 (Я со о 00 rsD IsD О X//V/ 7///////////////7V7y7yyj////// ////j . «Ч . « .Y . J / Ь . . . О; ...../.. /. . /,:. . / ././ /, / / / . / ./ /:./... : 1 2 X//V/ . . О 3