Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах Советский патент 1993 года по МПК H03H9/25 

Описание патента на изобретение SU1316533A1

)

Изобретение относятся к ралио- электронике и может быть использовано tipH создании устройств на поверхностных акустических волнах (ПАВ) д обработки радиосигналов.

Цель изобретения - увеличение подавления уровня ложных сигналов.

На фиг. 1 показано гфедлагаемое устройство на ПАЕ j на фиг. 2 - дискретные микроразрушения, выполненные в звукопроводе из ниобата лития.

Пьезоэлектрическое устройство на ПАВ содержит звукопровод 1, входной 2 и выходной 3 преобразователи ПАВ, а также структурные дефекты А, 5, представляющие собой микротрещины, дискретно расположенные внутри зву- копровода и локализованные в двух знах: дефекты 6 - между входным 2 и выходным 3 преобразователями ПАВ, дефекты 5 - под выходным 3 преобразвателем ПАВ. Подложка звукопровода вьфезана так, что нормаль к ее рабочей поверхности совпадает с осью Y кристалла, а направление распространения ПАВ совпадает с осью X. Структурные дефекты 4, 5 созданы излуча.- нйем лазера ЛТИПЧ-6 с параметрами: дли-рельность импульсов излучения 10 НС, длина волны 1,06 мкм, максимальная импульсная мощность 0,5 МВт диаметр пятна сфокусированного излучения 10-15 мм,

В кристалле звукопровода 1 кажды структурньй дефект А, 5 содержит по две основные микротрещины, определяющие размеры этих дефектов. Эти тре для зоны дефектов 4, полученны при направлении излучения по оси Y кристалла, изображены на фиг. 2.

Расстояние между центрами структурных дефектов 4, 5 выбрано из выржения

- -COSp, + --COS (2

|где

выходным преобразователями ПАВ 2, 3 обеспечивает локализацию отраженных этими дефектами 4, 5 объемных, волн в объеме звукопровода 1 поД входным преобразователем 2, многократное отражение звукопровода 1 под входным преобразователем 2, многократное отражение объемных волн от зоны дефектов 4, 5 и поверхностей звукопровода 1, и более эффективное подавление ложных сигналов. Наличие зоны дефектов 5, локализованной под выход ным преобразователем 3, обеспечивает ослабление ОАВ, прошедших зону

расстояние между центрами соседних микротрещин; Ь, ,bj - длины соседних микротрещин, , р1- углы наклона соседних микро- дефектов 4, локализованную между

входным 2 и выходным 3 преобразовате лями ПАВ, в направлении выходного

трещин, лежащих в пересекающихся плоскостях к линии, соединяющей их центры.

Устройство на ПАВ работает следующим образом.

Электрический сигнал поступает на входной преобразователь 2, формирующий поверхностную акустическую

55

преобразователя 3, что также повьипа- ет уровень подавления ОАВ. Формула изобретения

1. Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее звукопровод, на

волну, которая распространяется по поверхности звукопровода 1 к выходному преобразователю 3, обеспечивающему обратное преобразование ПАВ в электрический сигнал. Объемно акустические волны (ОАВ), возбуждаемые входным преобразователем 2, распространяются вглубь звукопровода 1,пре- терпев ют многократные отражения от поверхностей звукопровода 1 и структурных дефектов 4. Структурные дефекты 4 обеспечивают направленное рассеяние, частичное поглощение и направление ОАВ, преимущественно на торцовые поверхности звукопровода 1, которые могут быть покрыты акусто- поглотителем (не показаны), что обеспечивает эффективное подавление ОАВ. Часть ОАВ, рассеянньп структурными элементами 4 и прошедших в направлении выходного преобразователя 3, претерпевают многократные отражения от зоны структурных дефектов 5., поверхностей звукопровода 1 и эффектив .мое их поглощение акустопоглотителем.

Структурные дефекты 4, 5 могут образовьюать локальные структуры,, расположенные относительно преобразователей ПАВ 2, 3 так,, что обеспечивается направленное рассеяние (отражение) ОАВ и распространение ОАВ преимущественно в направлении акустопоглотителей для снижения уровней ложных сигналов. Так, расположе- ние дефектов 4 5 между входньм и

40

45

выходным преобразователями ПАВ 2, 3 обеспечивает локализацию отраженных этими дефектами 4, 5 объемных, волн в объеме звукопровода 1 поД входным преобразователем 2, многократное отражение звукопровода 1 под входным преобразователем 2, многократное отражение объемных волн от зоны дефектов 4, 5 и поверхностей звукопровода 1, и более эффективное подавление ложных сигналов. Наличие зоны дефектов 5, локализованной под выходным преобразователем 3, обеспечивает ослабление ОАВ, прошедших зону

дефектов 4, локализованную между

55

преобразователя 3, что также повьипа- ет уровень подавления ОАВ. Формула изобретения

1. Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащее звукопровод, на

31

рабочей грани которого размещепы входной И выходной преобразователи ПАВ, с выполненными в нем на пути распространения объемных акустических волн структурными дефектами, о т личающееся тем, что, с целью увеличения подавления уровня лож ных сигналов, структурные дефекты выполнены в виде микротрещин, расстс яние между центрами которых выбрано из вьфажения

г-

-2-COS /i,

о. Ьа

+ 2-со8 /3,

где I - расстояние между центрами

соседних микротрещин, м, Ь,,bj - длины соседних микротрещин, Mf

5

10

) наклона соседнта микг ротрещин, лежащих в пересекающихся плоскостях, к линии, соед1шяющей их центры, рад,

причем микротрещины размещены от поверхности рабочей грани звукопровода на расстоянии, превышающем длину ПАВ.

2. Пьезоэлектрическое устройство по п. 1,отличающееся

тем.

что микротрещины размещены в

области под выходным преобразователем ПАВ.

3.., Пьезоэлектрическое устройство по п. .отличающееся тем, что микротрещины размещены до-г полнительно в области между входным и выходным преобразователями ПАВ.

t

иг 2

Похожие патенты SU1316533A1

название год авторы номер документа
Линия задержки на поверхностных акустических волнах 1981
  • Анисимкин Владимир Иванович
  • Гуляев Юрий Васильевич
  • Котелянский Иосиф Моисеевич
SU1073882A1
ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2002
  • Голицын В.Ю.
  • Николаев О.В.
RU2210177C1
Фильтр на поверхностных акустических волнах 1980
  • Лепих Ярослав Ильич
SU1039017A1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 2000
  • Роздобудько В.В.
  • Перевощиков В.И.
  • Андросов А.В.
RU2168265C1
Регулируемая ультразвуковая линия задержки на поверхностных акустических волнах 1990
  • Алексеев Александр Николаевич
  • Злоказов Михаил Викторович
  • Осипов Владимир Александрович
SU1780145A1
Устройство на поверхностных акустических волнах 1988
  • Бельский Юрий Владимирович
SU1651353A1
Линия задержки на поверхностных акустических волнах 1983
  • Бондаренко Виктор Степанович
  • Базлова Ольга Николаевна
  • Дроздова Галина Васильевна
  • Крутов Александр Павлович
  • Салынский Алексей Николаевич
  • Савченков Вячеслав Степанович
SU1159155A1
ФИЛЬТР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ 1991
  • Вернигор Александр Андреевич[Ua]
  • Нелин Евгений Андреевич[Ua]
  • Непочатых Юрий Васильевич[Ua]
  • Попсуй Владимир Ильич[Ua]
RU2054791C1
Способ изготовления фильтра на поверхностных акустических волнах 2016
  • Машинин Олег Всеволодович
  • Егоров Роман Викторович
  • Синицина Татьяна Викторовна
  • Саввина Ольга Викторовна
  • Прапорщиков Виктор Валерьевич
RU2640961C2
Фильтр на поверхностных акустических волнах 1991
  • Груздев Александр Васильевич
SU1780146A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 316 533 A1

Реферат патента 1993 года Пьезоэлектрическое устройство на поверхностных акустических волнах

Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться в акустоэлектронных устройствах обработки радиосигнала. Изобретение решает задачу увеличения подавления, уровня ложных сигналов в пьезоэлектрическом устройстве на поверхностных акустических волнах (ПАВ). В звукопроводе 1 на пути распространения .объемных акустических волн . (ОАВ) выполнены структурные дефекты 4, 5 в виде микротрещин. Расстояние между их центрами зависит от длины соседних микротрещин и угла их наклона к линий, соединяющей их центры. Микротрещины размещены в объеме зву- копровода 1 на расстоянии от поверхности его рабочей грани, превышающем длину ПАВ. Дефекты 5 размещены в области под выходным преобразователем ПАВ 3, а дефекты 4-3 области между входным 2 и выходным 3 преобразователями ПАВ. Структурные дефекты обеспечивают направленное рассеяние ОАВ и их частичноеJпoглoщeниe. 2 з.п. ф-лы, 2 ил. с S &9 № &д 00

Формула изобретения SU 1 316 533 A1

Редактор Л.Волкова

Составитель Г.Муртазина

Техред М.ХоданичКорректор В.Бутяга

Заказ 1099

ТиражПодписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие,. г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1316533A1

Патент США № 3887887, кл
Телефонная трансляция с катодными лампами 1922
  • Коваленков В.И.
SU333A1
Приспособление для склейки фанер в стыках 1924
  • Г. Будденберг
SU1973A1
Патент США № 4142163, кл
Телефонная трансляция с катодными лампами 1922
  • Коваленков В.И.
SU333A1
ПРИБОР ДЛЯ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ЗВУКОВ 1923
  • Андреев-Сальников В.А.
SU1974A1

SU 1 316 533 A1

Авторы

Лакиза Ю.В.

Малащенко А.А.

Мезенов А.В.

Овсищер И.П.

Шепшелей В.И.

Даты

1993-02-23Публикация

1985-07-12Подача