В известных устройствах для защиты транзисторов от перенапряжений с использованием неоновой лампы, включенной параллельно эмиттер-коллекторному переходу защищаемого транзистора и подпитываемой небольшим током от дополнительного источника для развития начальной, ионизации, такую заранее подпитанную неоновую лампу нельзя включать параллельно регулирующему транзистору, так как нормально на регулирующем участке падение напряжения составляет 5-10 в, а напряжение на подпитанной неоновой лампе устанавливается порядка 45-55 в.
В описываемом устройств:е последовательно с неоновой лампой включается разделительный диод, который в нормальном режиме закр,ыт и открывается пои возникновении перенапряжения.
Этим достигается возможность работы с напряжением на транзисторе, меньшим, чем напряжение на .подпитанной неоновой лампе, вследствие чего защита транзисторов становится быстродействующей.
На чертеже изображена схема описываемого устройства.
Неоновая лампа, например, типа ,МН-3, с заранее развитым разрядом (или селеновый вентиль с заранее развитым явлением пробоя) присоединяется параллельно к регулирующему транзистору через плоскостной германиевый или кремниевый диод, например, типа Д7-Ж, с большим обратным сопротивлением. Нри нормальном режиме работы стабилизатора к разделительному диоду прикладывается обратное напряжение (7,„ -/7„, (где U с,п -напряжение на неоновой лампе типа МН-3, равное 35-50 в, а L,,., -падение напряжения на регулирующем участке, равное 5-10 е) и диод закрыт. Через него протекает только маленький ток утечки в обратном направлении (для диода типа Д7-Ж ток равен 15-25 мка), который не изменяет режима на лампе.
