m
Изобретение относится к технике интенсивных электронных пУчкЬв.
Целью изобретения- является, регулирование числа формируемых пучков и соотношение их интенсивностеЙ4
На чертеже дана схема,-, реализующая предлагаемый способ.
Первичный пучок электронов 1 фор- мируют с углом расходимостью д qi :0, , где Lf up - угол каналирования направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом tf к какой-либо главной кристаллографической плоское- ти 3, например (110), удовлетворяющим условию O Cf tcp p .
Толщину мишени выбирают меньшей длины каналирования. При таких условиях пропускания пучка электроны, двигаясь в кристалле, образуют связанные состояния, характеризующиеся определенными уровнями поперечной энергии с соответствующими квантовыми числами. Прошедщий через кристалл электронный пучок имеет для каждого связанного состояния характерное угловое распределение. Так, электронный пучок с энергией 5,7 МэВ, прошедший вдоль плоскости (110) кристалла кремния, разделяется на 3 пучка, вдол плоскости 100 - на 5 пучков, вдоль плоскости 111 - на 9 пучков, распространяющихся вдоль линии, перпендикулярной соответствующей плоскости на угловых расстояниях друг от друга.
Редактор Л.Гратилло Заказ 3841/49
Составитель В.Обухов
Техред Л.Сердюкова Корректор Л.Бескид
Тираж 697Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4
Q 5
0
5
0
162
равных двум углам Брэгга. С увеличением угла разориентации первичного пучка электронов относительно кристаллографической плоскости кроме основного связанного состояния заселяются другие возбужденные состояния, имеющие асимметрию в угловых распределениях .
Такая картина наблюдается при тол щине мишени, меньшей длины каналирования.
Предлагаемое изобретение позволяет при соответствующем выборе энергии электронов, кристаллографической плоскости и угла пучка относительно этой плоскости регулировать число пучков и соотношение их интенсив- ностей.
Формула изобретения
Способ формирования электронных пучков путем пропускания первичного электронного пучка через монокристаллическую мишень, отличающий- с я тем, что, с целью регулирования числа формируемых пучков и соотношения их интенсивности, первичный пучок формируют с угловой расходимостью ЛЦ|, меньшей десятой части угла кана
лнрования ср углом О t ц
кр
направляют его под
(4 кр к одной из главных кристаллографических плоскостей монокристаллической мишени, при этом тол- мишени выбирают меньшей длины еканалирования электронов.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Устройство для управления пучками заряженных частиц | 1982 |
|
SU1064792A1 |
| Способ ориентирования монокристаллической мишени | 1981 |
|
SU976509A1 |
| Источник линейно-поляризованного гамма-излучения | 1981 |
|
SU1009234A1 |
| Импульсный генератор нейтронов (его варианты) | 1982 |
|
SU1056867A1 |
| Способ ориентирования монокристаллической мишени | 1986 |
|
SU1341731A1 |
| Способ детектирования заряженных частиц | 1983 |
|
SU1126104A1 |
| Способ генерации электромагнитного излучения | 1982 |
|
SU1101050A1 |
| Способ получения электромагнитного излучения | 1979 |
|
SU758933A1 |
| РЕНТГЕНОВСКАЯ ТРУБКА | 1998 |
|
RU2138879C1 |
| Способ юстировки коллиматора пучка тормозного @ -излучения | 1984 |
|
SU1202490A1 |
Изобретение относится к технике интенсивных электронных пучков. Целью изобретения является регулирование числа формируемых пучков и соотношения их интенсивностей. Первичный пучок электронов 1 имеет расходимость меньше одной десятой угла каналирова- нияср р . Этот пучок направляют на монокристаллическую мишень 2 под углом О iip ti к главной кристаллографической плоскости 3. Число пучков и соотношение их интенсивности на выходе из мишени зависит от энергии электронов и угла Cf . 1 ил. С в
