Высоковольтный переключатель Советский патент 1987 года по МПК H03K17/60 

Изобретение относится к импульсно технике и может быть использовано в импульсных модуляторах различного назначения, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторных ламп.

Цель изобретения - уменьшение длительности среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.

На чертеже представлена схема высоковольтного переключателя.

Высоковольтньй переключатель содержит М транзисторов 1.1-1.М, М ограничительных диодов 2.1-2.М, М-1 зарядных диодов 3.1-3.(М-1), М-1 разделительных диодов 4.1-4.(М-1), защитный дИод 5, М первых резисторов 6.1-6.М, М вторых резисторов 7.1-7.М, М конденсаторов 8.1-8.М, источник 9 питания, эмиттер первого транзистора 1.1 подключен к общей шине 10 и первому вьтоду источника 9 питания, а база - к выходной шине 11, база каждого транзистора 1.1 - 1.М через соответствующий первьй резистор 6.1-6.М соединена с общей шиной 10, каждый зарядный диод 3.1 - 3.(М-1) включен параллельно соответствующему первому резистору 6.2-6.М, каждый ограничительный диод 2.1-2.М подключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующего транзистора 1.1-1.М, коллектор каждого транзистора 1.1-1.М через соответствующий второй резистор 7.1-7.М соединен с вторым выводом источника 9 питания и первыми выводами разделительных диодов 4.1-4.(), коллектор каждого предьщущего транзистора 1.1-1.(М-1) через соответствующий конденсатор 8.1-8.(М-1) подключен к эмиттеру последующего транзистора 1.2-1.М, коллектор М-го транзистора 1.М через М-й конденсатор 8.М соед11нен с первыми выводами нагрузки 12 и защитного диода 5, вторые выводы которых подключены к общей ишне 10.

Высоковольтньй переключатель такж содерясит (М-1) импульсных трансформаторов 13.1-13.(М-1) и (М-1) стабилитронов 14.1-14.(М-1), причем второй вывод каждого разделительного диода 4..1-4.(М-1) через первичную обмотку соответствующего импульсного

347178

20

трансформатора 13.1-13.(М-1) и соответствующий стабилитрон 14.1-14.(М-1) которые соединены параллельно, подключен к коллектору соответствующего транзистора 1.1-1.(М-1), первичная .обмотка каждого импульсного трансформатора 13.1-13.(М-1) включена параллельно переходу, база-эмит1Q тер соответствующего транзистора 1.2-1.М.

Высоковольтньй переключатель тает следуклцим образом.

Б паузах между импульсами запу15 ска все транзисторы 1.1-1,М заперты. В это время происходит заряд всех конденсаторов в 8.1-8.М через соответствующие резисторы 7.1-7.М и диоды 2.2-2.М, 3.1-3.(М-1) и 5 от источника 9 до напряжения этого источника. Диоды 4.1-4.(М-1) в это время заперты. При поступлении на входную шину 11 очередного положительного импульса запуска транзистор 1.1

25 отпирается, а к эмиттеру следующего транзистора 1.2 подключается отрицательный перепад напряжения от верхней обкладки конденсатора 8.1. Это вызывает запирание диодов 2.2 и

30 3.1 и отпирание транзистора 1.2. Его базовый ток протекает через база-, эмиттерный переход, резистор 6.2, открытый транзистор 1.1 и конденсатор 8.1.

Зс

После отпирания транзистора 1,2 к эмиттеру транзистора 1iM прикла- дьшается отрицательньш перепад напряжения от верхней обкладки кон40 денсатора 8.(М-1). Этим аналогично указанному достигается запирание диодов 5, 2.М и-3.(М-1) и отпирание транзистора 1.М. При этом на нагруз- . ке 12 формируются фронт и вершина

45 отрицательного импульса с амплитудой

50

55

в М раз большей,чем напряжение источника 9 питания.Диоды 4.1-4. (М-1) остаются во время импульса в запертом состоя- НИИ.Во время импульса происходит час- тичньй разряд конденсаторов 8.1-8,М.

При поступлении на входную шину 11 очередного отрицательного импульс сброса транзистор 1.1 запирается. Транзисторы 1.2 и 1.М при этом еще остаются открытыми. Поэтому, например, потенциал коллектора транзистора 1.1 оказывается более высоким чем напряжение источника 9 питания. Это

31

вызывает протекание тока через первичную обмотку трансформатора 13.1 и диод 4.1. На вторичной обмотке возникает отрицательный импульс, ограничиваемый по амплитуде диодом 2.2, поступающий на базу транзистора 1.2 и его запирающий. Аналогично происходит запирание транзистора 1.М в результате протекания тока через первичную обмотку трансформатора 13.(М-1) и диод 4.(М-1) и образования отрицательного импульса на диоде 2. М и база-змиттерном переходе транзистора 1.М. Последнее обеспечивает его запирание. Благодаря наличию стабилитронов 14.1-14.(М-1) исключаются перенапряжения на коллекторах транзисторов, обусловленные про- теканием токов через индуктивности рассеяния трансформаторов 13.1 - 13.(М-1).

Длительность среза выходных импульсов предлагаемого высоковольтного переключателя меньше, чем у известных за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов.

Формула изобретения

Высоковольтный переключатель, содержащий М транзисторов, М ограничительных диодов, М-1 зарядных диодов, М-1 разделительных диодов, защитный диод, М первых резисторов, М вторых резисторов М конденсаторов, источник питания, эмиттер перРедактор И.Шулла Заказ 5127/51

Составитель Д.Иванов Техред И.Попович

Корректор М

Тираж 899Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

1

5

0

5

0

5

78

вого транзистора подключен к общей

шине и первому вьтоду источника питания, а база - к входной шине, база каждого транзистора через соответствующий первый резистор соединена с общей щиной, каждый зарядный диод включен параллельно соответствующему первому резистору, каждый огра- ничительньй диод подключен обратно-параллельно переходу база-эмиттер соответствующего транзистора, коллектор каждого транзистора через соответствующий второй резистор соединен с вторым вьшодом источника питания и первыми выводами разделительных диодов, коллектор каждого предыдущего транзистора через соответствующий конденсатор подключен к эмиттеру последующего транзистора, коллектор М-го транзистора через М-и. конденсатор соединен спервыми выводами нагрузки и защитного диода, вторые вьшоды которых подключены к общей шине, о тличающийся тем, что, с целью уменьщения длительности среза выходных импульсов, введены М-1 импульсных трансформаторов и М-1 стабилитронов, причем второй вьгоод каждого разделительного диода через первичную обмотку соответствующего импульсного трансформатора и соответствующий стабилитрон,. которые соединены параллельно,подключен к коллектору соответствующего транзистора, первичная обмотка каждого импульсного трансформатора включена паралельно переходу база- эмит- тер соответствующего транзистора.

Корректор М.Демчик

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в импульсных модуляторах, преимущественно для формирования импульсов запуска, поступающих на сетку мощных модуляторных ламп. Высоковольтный переключатель содержит транзисторы 1.1-1.М., ограничительные диоды (Д) 2.1-2.М, зарядные Д 3.1 - 3.(М-1), разделительные Д 4.1-4.(М-1) защитный Д 5, резисторы 6.1-6.М и 7.1-7.М, конденсаторы 8.1-8.М, источник 9 питания, общую 10 и выходную 11 шины, нагрузку 12. Изобретение уменьшает длительность среза выходных импульсов за счет увеличения скорости рассасывания неосновных носителей заряда в базах транзисторов. 1 ил. .-ч,.1 о - L -Ф Г In 252. т I y S I (Л СО 4 00 . О2.1 Г Мб./ 8.1 ф;./ 7-.f Мб./ С) ./