Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов Советский патент 1987 года по МПК G01R27/02 

Изобретение относится к технике измерений, квантовой злектронике.и, в частности, может быть использовано при конструировании злектрооптических устройств.

Целью изобретения является повьппе- ние точности определения анизотропии электропроводности.

. На чертеже дана схема осуществления способа.

На схеме обозначены: охранная сетка 1, злектроды 2-5, нанесенные на одну из граней исследуемого кристалла вдоль выбранных осей X и Z.

Способ определения анизотропии осуществляется следующим образом.

На одну из граней кристалла наносят охранную сетку 1 и электроды 2-5 Причем, ширина полоски охранной сетки равна 0,21,, а между ней и электродом равен 0,31, где 1 - сторона квадратных электродов 2-5. Кроме того, электроды 2-5 располагаются в центрах охранной сетки 1 и вдоль выбранных осей. Последовательно измеряют токи между электродами 2-4 и 2-3, предварительно заземлив охранную сетку 1. По измеренным величинам тоРедактор О.Головач

Составитель Кринов Техред А.Кравчук

Заказ 5994/45 Тираж 730Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

ков вдоль выбранных осей 1 для первого случая и 1 ДД1Я второго случая определяют анизотропию кристалла как

,г1г%о, в1Э т-/ . I . 1х

Формула изобретения

Способ определения анизотропии электропроводности кристаллов, включающий измерение токов вдоль выбранных осей с помощью электродов, исключение поверхностных токов с помощью охранной сетки, отличающий с я тем, что, с целью повьшения точности, все электроды располагают на одной грани кристалла, а измерительные электроды вьшолняют в виде квадратов, расположенных вдоль выбранных осей, причем ширина полоски охранной сетки равна 0,2, а зазор между ней и электродом равен 0,ЗР, и определяю анизотропию электропроводности по формуле

2 xIzsO, P-fJ

Л 6, i

собственные значения электропроводности по выбранным осям; токи, измеренные вдоль выбранных осей;

ширина электрода.

Корректор М.Шароши

Изобретение может быть использовано при конструировании электрооптических устройств и позволяет повысить точность определения анизотропии . электропроводности. На грань кристалла наносят охранную сетку 1, в центрах которой размещают электроды (Э) 2-5. Ширина полоски охранной сетки 1 равна 0,2,. а зазор между ней и 32-5 равен 0,ЗЕ, где 2 - сторона квадратных Э 2 - 5. Заземлив охранную сетку 1, последовательно измеряют токи между Э 2-4 и 2-3 и по значениям их величин вдоль выбранных осей Ij, и I.J определяют анизотропию кристалла как () . 1 ил. СО со ел 00 Oi