Инжекционный лазер Советский патент 1987 года по МПК H01S5/32 

Изобретение относится к устройст ву со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в ий- тегральнооптических устройствах.

Цель изобретения - обеспечение селекции мод излучения.

На Чертеже изображен предлагаемый лазер,

Лазер содержит волноводный 1 и активный 2 слои, отражательные элементы 3 прерывистого паза,

Волноводный Слой 1 лазера пересекается отражателем в виде прерывис- того паза,перпендикулярного направлению распространения лазерного излучения. Зеркальные стенки отдельных отражательных элементов 3 пересекают волноводный слой 1, Длина отражатель

ных элементов dj и период d их чередования находятся в пределах 0,5- jO мкм и 1-20 мкм соответственно,Глубина паза должна обеспечивать пересечение волноводного слоя 1 и зависит от глубины залегания последнего.

Коэффициент прохождения через отражатель с элементами пазов с малой прозрачностью (при ширине паза более 2 мкм) определяется отношением длин отражательного элемента паза d и интервала d.. между пазами К

dj d,,

и не

зависит от расстояния между зеркальными стенками паза. Очевидно, что

при коэффициент прохождения увеличивается до 100%, а эффективный коэффициент отражения уменьшается до нуля. Таким образом, достижение оптимальных для конкретного интегрально-оптического устройства коэффициен тов отражения .и прохождения о существ ляется выбором соответствующего значения К, а технологически реализуется при проведении фотолитографии через шаблон с соответствующим рисунком

В предлагаемом ижекгуюнном лазере можно использовать два и более прерывистых пазов, расположенных параллельно. При этом достигается улучшение селекции продольных мод излучения

Формула изобретения

Инжекционный лазер преимущественно для интегральнооптического устрой ства на многослойной гетероструктуре, включаюп(ий волноводный слой с отра-

жательным элементом, вьшолненным в виде паза с зеркальными стенками, па- ресекающими волноводный слой гетеро- Структуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения селекции

мод излучения, отражатель вьтолнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элементы которого имеют длину в пределах 0,5- 10 мкм, а период чередования равен

1-20 мкм, I

Редактор НвСлободяник

Составитель Ю,Маслобоев

Техред М.Дидык Корректор Л.Днлипенко

Заказ 6158/52Тираж 625, Подписное

ВНИИПй Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д, 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением, конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретения является обеспечение селекции мод излучения. В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере одного прерывистого паза, отдельные элемен та которого имеют длину в пределах 0,5-10 мкм, а период чередования равен 1-20 мкм: Изобретение обеспечивает одномодовую генерацию в пшроком диапазоне токов накачки. 1 ил (Л 00 ел СО оо со оо