Преобразователь постоянного напряжения Советский патент 1987 года по МПК H02M7/538 

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в стабилизированных импульсных преобразователях напряжения, в частности в импульсных блоках питания телевизионных приемников.

Целью изобретения является повышение КПД и расширение диапазона регулирования напряжения.

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Устройство содержит ключевой транзистор 1, во входную цепь которого включен регулирующий транзистор 2, зашунтированный резистором 3, причем вход транзистора 2 подключен через резистор 4 к датчику тока, вьшолнен- ному на резисторах 5 и 6 и диоде 7. Входная цепь транзистора 1 через регулирующий транзистор 2 подсоединена к управляющей обмотке 8.

Преобразователь работает следую- щим образом.

Пилообразный коллекторный ток транзистора 1 создает падение напряжения на резисторах 5 и 6 и диоде 7. Причем в области малых токов, когда сопротивление диода 7 велико, основная часть коллекторного тока протекает через резистор 6. По мере нарастания коллекторного тока диод 7 от- крьюается и основная часть коллекторного тока начинает протекать через резистор 5, сопротивление которого выбирается в несколько раз меньше, чем резистора.

При этом падение напряжения на резисторе 6 и резисторе 5. имеет переменную крутизну нарастания на протяжении фазы проводимости ключевого транзистора 1. Это напряжение прикладывается к переходу база-эмиттер регулирующего транзистора 2. Ток базы ключевого транзистора 1 определяется сопротивлением резистора 3 и сопротивлением участка коллектор- эмиттер регулирующего транзистора 2. Ток базы ключевого транзистора 1 определяется сопротивлением резистора 3 и сопротивлением участка коллектор-эмиттер регулирующего транзистора 2. В свою очередь, сопротивление участка коллектор-эмиттер транзистора 2 зависит от напряжения, прикладьшаеВНИИПИ Заказ 6161/54

Произв.-полигр. пр-тие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4

мого к переходу база-эмиттер транзистора 2 и от нелинейности вольт-амперной характеристики этого перехода. Переменная крутизна нарастания напряжения на нелинейном датчике тока с максимумом крутизны в начале фазы проводимости ключевого транзистЪра t компенсирует нелинейность вольт-амQ перной характеристики перехода база- эмиттер транзистора 2.и обеспечивает функциональную зависимость сопротивления учасука коллектор-эмиттер транзистора 2, а следовательно, и тока

5 базы ключевого транзистора 1 от тока коллектора на протяжении всей фазы процодимости транзистора 1, Резистор 3 в данной схеме обеспечивает лишь начальный базовый ток в начале фазы

0 проводимости транзистора 1 и практически не оказьшает влияния на форму тока базы ключевого транзистора 1.

Таким образом, ток базы транзистора 1 является функцией тока его

5 коллектора на протяжении всей фазы проводимости. Это в свою очередь обеспечивает постоянство степени насыщения ключевого транзистора 1 в течение фазы проводимости, обеспечивает

0 минимум потерь при выключении, уменьшает потери в цепях управления на переходе база-эмиттер ключевого транзистора и позволяет расширить диапазон регулирования напряжения без увеличения мощности потерь в преобразо-

5

вателе.

Формула изобретения Преобразователь постоянного напряжения, содержащий в своем плече ключевой транзистор, входная цепь которого через силовую цепь регулирующего транзистора, зашунтированную резистором, подключена к управляющей обмотке, при этом входная цепь регулирующего транзистора, подключена к резистору датчика тока, включенного в скповую цепь ключевого транзистора, о тличающийся тем, что,

с целью повьш1ения КПД, параллельно резистору датчика тока подключена введенная последовательная цепь, состоящая из резистора и диода, включенного согласно с направлением проводнмости ключевого транзистора.

Тираж 659 Подписное

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в импульсных источниках питания. Цель - повышение КПД. Ток базы ключевого транзистора 1 определяется сопротивлением резистора 3 и сопротивлением участка коллектор - эмиттер регулирзгющего транзистора 2, которое зависит от напряжения, прикладьшае- мого к переходу база-эмиттер транзистора- 2 и от нелинейности вoльтa fflep- ной характеристики этого перехода. Переменная крутизна нарастания напряжения на нелинейном датчике тока с максимумом крутизны в начале фазы проводимости ключевого транзистора компенсирует нелинейность вольтампер- ной характеристики перехода база-эмиттер транзистора 2 и обеспечивает функциональную зависимость сопротивления участка коллектор-эмиттер транзистора 2, а следовате.т1ьно, и тока базы ключевого транзистора 1 от тока коллектора на протяжении всей фазы проводимости- транзистора 1. Таким образом, ток базы ключевого транзисто- ра является функцией тока его коллектора на протяжении всей фазы проводимости, что обеспечивает постоянство степени насыщения ключевого транзистора. 1 ил. (Л со ел QO 00 4