Эмиттерный повторитель Советский патент 1961 года по МПК H03F3/50 

Известны различные ехемы на полупроводниковых триодах с положительной и отрицательной обратными связями.

Предлагаемый эмиттерный повторитель на полунроводниковом триоде отличается применением цепочки положительной обратной связи, образованной емкостью, включенной между эмиттером и точкой соединения нагрузки с полупроводниковым диодом. Это позволяет повысить быстродействие работы устройства.

Принципиальная схема предлагаемого эмиттерного повторителя приведена на чертеже.

Ключ 1 нормально замкнут и размыкается только на время формирования выходного отрицательного импульса, снимаемого с нагрузки повторителя, образованной включенными в эмиттер триода 2 сопротивлением 3 и емкостью 4. При замкнутом ключе У емкость 5 положительной обратной связи по напряженшо заряжена до напряжения Е источника 6 питания. При размыкании ключа / на нагрузке в точке А образуется отрицательный перепад напряжения, который через емкость f передается на сопротивление 7 в точку 5. Полупроводниковый диод , предназначенный для предотвращения шунтирования положительной обратной связи через емкость 5 низким внутренним сопротивлением источника 6 питания, запирается и отрицательный потенциал в точке В повышается до величины 2Е. При этом, благодаря действию цепи положительной обратной связи с большой постоянной времени RC падение напряжения на сопротивлении 7 остается постоянным в течение всего времени формирования выходного импульса, чем обеспечивается большой входной ток триода 2, а следовательно, быстрое нарастание амплитуды выходного отрицательного импульса до полной амплитуды напряжения Е питания коллектора (R равно сумме величин сопротивлений 7+ входное и выходное сопротивления триода 2; С - емкость 5).

Ключ J представляет собой нормально открытый триод, коллекторной нагрузкой которого является сопротивление 7.

Предмет изобретен и я

Эмцтуерный повторитель на полупроводниковом триоде, отличающийся5;:тем, что, с целью повышения быстродействия его работы, в нем применена цепочка положительной обратной связи, образованная емкостью, включенной между эмиттером и точкой соединения нагрузки с полупроводниковым диодом.