Высокочастотный резистор Советский патент 1988 года по МПК H01P1/26 

Описание патента на изобретение SU1370569A1

113

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при построении миниатюрных коаксиальных и полосковых устройств.

Целью изобретения является повышение допустимой рабочей мощности.

На чертеже показана конструкция высокочастотного резистора.

Высокочастотный резистор содержит диэлектрическую подложку 1, на которой размещены круглая контактная площадка 2 и кольцевая контактная площадка 3, расположенные коаксиально, причем между ними размещен резистив- ный слой 4, разделенный проводниками 5, выполненными в виде колец, расположенных коаксиально с круглой 2 и кольцевой 3 контактными площадками.

Высокочастотный резистор работает следующим образом.

При подключении к круглой 2 и кольцевой 3 контактным площадкам источника СВЧ мощности последняя рассеивается на резистивном слое 4. Плот- ность тока в резистивном слое 4 максимальна у круглой контактной площадки 2. Наличие проводников 5 обеспечивает снижение плотности тока в каждой последующей части резистивно- го слоя 4 и пространственное разнесение частей резистивного слоя 4, при этом улучшаются условия теплоот- вода и растет допустимая рабочая мощность. Для получения максимально до

пустимой рабочей мощности ширина частей резистивного слоя 4, ближайших к круглой контактной площадке 2, минимальна, а ширина проводников 5, ближайших к круглой контактной площадке 2, максимальна. Сопротивление каждой из частей резистивного слоя 4 рассчитывают исходя из того, чтобы на любой единице площади резистивного слоя 4 рассеивалась одинаковая . мощность, а суммарное сопротивление всех частей резистивного слоя 4, включенных последовательно, равнялос требуемому номинальному значению.

Нанесение круглой и кольцевой контактных площадок 2,3, резистивного слоя 4 и проводников 5 с двух сторон диэлектрической подложки позволяет дополнительно увеличить допустимую рабочую мощность.

Формула изобретения

Высокочастотный резистор, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещены круглая и кольцевая контактные площадки, расположенные коаксиально, а между ними размещен резистивный слой, разделенный проводниками, отличающий

с я тем, что, с целью повышения допустимой рабочей мощности, проводники выполнены в виде колец, расположенных коаксиально с круглой и кольцевой контактными площадками.

Похожие патенты SU1370569A1

название год авторы номер документа
МНОГОЭЛЕМЕНТНАЯ СВЧ НАГРУЗКА 2010
  • Аубакиров Константин Якубович
  • Разинкин Владимир Павлович
  • Хрусталев Владимир Александрович
  • Рубанович Михаил Григорьевич
  • Востряков Юрий Валентинович
  • Воробьев Павел Михайлович
RU2449431C1
МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 1992
  • Кузнецов Д.И.
  • Тюхтин М.Ф.
RU2034375C1
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР 2000
  • Кузнецов Д.И.
  • Овечкин Р.М.
  • Тихонов Н.Н.
RU2185010C1
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ АТТЕНЮАТОР 1992
  • Кузнецов Д.И.
  • Тюхтин М.Ф.
RU2048694C1
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР 2009
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Петров Борис Константинович
  • Лупандин Владислав Владимирович
RU2403650C1
МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА 2000
  • Кузнецов Д.И.
  • Овечкин Р.М.
  • Протас А.С.
RU2187866C1
Мощный СВЧ-аттенюатор 2021
  • Калинина Татьяна Михайловна
  • Малышев Илья Николаевич
RU2758083C1
Нагрузка для полосковой линии передачи 1981
  • Мерзляков Игорь Николаевич
  • Моругин Станислав Львович
SU1086484A1
Датчик СВЧ-мощности 1985
  • Курчук Борис Александрович
SU1310740A1
Полосковая согласованная нагрузка (ее варианты) 1983
  • Клименков Александр Сергеевич
  • Пивоваров Иван Иванович
SU1109833A1

Реферат патента 1988 года Высокочастотный резистор

Изобретение относится к технике СВЧ и может использоваться при построении миниатюрных коаксиальных и / Ч / плосковых устр-в.Высокочастотный резистор представляет собой диэл. подложку 1, на которой размещены круглая контактная площадка (КП) 2, кольцевая КП 3, расположенные коаксиально, резистивный слой (PC) 4, расположенный между КП 2,3, и проводники 5 в виде колец, которые расположены коаксиально КП 2,3 и разделяют PC 4. Подводимая к КП 2,3 мощность СВЧ рассеивается на PC 4. Проводники 5 обеспечивают снижение плотности тока в каждой последующей части PC 4. Для получения макс, допустимой рабочей мощности ширина частей PC 4, ближайших к круглой КП 2, минимальна, а ширина проводников 5 максимальна. 1 ил. 2 5 с (Л со О СП Од со

Формула изобретения SU 1 370 569 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1988 года SU1370569A1

Патент США № 3678417, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ДВИГАТЕЛЬНАЯ УСТАНОВКА СО СТАЦИОНАРНЫМИ ПЛАЗМЕННЫМИ ДВИГАТЕЛЯМИ 2012
  • Лоран Антони Клод Бернар
RU2604972C2
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 370 569 A1

Авторы

Соколов Евгений Александрович

Даты

1988-01-30Публикация

1985-10-30Подача