Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн Советский патент 1988 года по МПК H03B1/00 H03B5/32 

13

мент 5, токопроводящие полоски 6. - Введением электронного облучения решетки 3 осуществляется изменение отражающих свтв. При достаточно интенсивном облучении вся структура ре- Шетки 3 может рассматриваться как однородный токопроводящий спой с миним, отражающими свойствами. Изменением интенсивности электронного облучения

источника 2 осуществляется модуляция интенсивности волнового поля ПАВ путем управления вносимым ослаблением по апертуре волнового поля ПАВ, Макс, величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки 3, минимально- диссипативными потерями ПАВ в пластине 1 со сплошным токопроводя- щим покрытием. 1 ил.

1

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано дпя генерирования поверхностных акустических волн с управляемой интенсивностью их излучения.

Целью изобретения является расширение диапазона управления амплитудо поверхностных акустических волн,

На чертеже представлена конструк- тивная схема устройства модуляции амплитуды поверхностных акустических волн.

Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн.(ПАВ содержит пластину-звукопровод 1, источник 2 облучения электронным лучом решетку 3 отражающих элементов, элемент 4 излучения поверхностных акустческих волн (ПАВ), приемный акусто- электрический элемент 5, токопроводя пще полоски 6,

Устройство модуляции амплитудь ПАВ работает следующим образом. .

Элемент излучения ПАВ 4 осуществляет ввод поверхностных акустических волн, которые распространяются вдоль пластины-звукопровсда 1, Источник 2 направляет на пластину-звуко- провод 1 парциальные волны с угловой расходимостью в радианах 9, Зона облучения источника 2 ориентирована в направлении, поперечном направлению распространения волнового поля ПАВ. Приходящее на решетку 3 волновое поле претерпевает отражение При отсутствии электронного облучения отражение является максимапьнь1м и определяется отражающими характеристика- ми решетки 3. Благодаря достаточно малым длинам токопроводящих полосок

отражение осуществляется для всех волн в пределах угловой расходимости в радианах б. Плотное размещение то- копроводящих полосок обеспечивает отражение по всей апертуре решетки 3. Введением электронного облучения решетки 3 осуществляется изменение отражающих свойств. Это происходит за счет нивелирования проводимости поверхности пластины-звукопровода в местах расположения токопроводящих полосок и в промежутках между ними и вторичной электронной эмиссии при электронном облучении. При достаточно интенсивном облучении вся структура решетки 3 может рассматриваться как однородный токопроводяш 1й слой с минимальными отражающими свойствами. Изменением интенсивности электронного облучения источника 2 (что может быть осуществлено изменением плотности тока и времени облучения при сканировании) осуществляется модуляция интенсивности волнового поля поверхностных акустических волн путем управления вносимым ослаблением по апертуре волнового поля ПАВ, Максимальная величина вносимого ослабления определяется добротностью решетки 3, минимально-диссипативными потерями ПАВ в пластине-звукопроводе со сплошным токопроводящим покрытием Токопроводящие элементы 6 расположены в направлении, поперечном продольной оси пластины-звукопровода с возможно меньшими зазорами, практически порядка длины ПАВ. Таким образом воздействие источника 2 на решетку 3, ее выполнение позволяют расширить динамический диапазон модуляции амплитуд ПАВ.

Формула изобретения

Устройство модуляции амплитуды поверхностных акустических волн, содержащее пластину-звукопровод, на поверхности которой расположены элемент излучения поверхностных акустических волн, приемный акустоэлектри- ческий элемент, который расположен в направлении распространения поверх- ностных акустических волн, и решетку отражающих элементов, которая расположена вдоль продольной оси пластины звукопровода, а также источник облучения электронным лучом, который вы- полнен в виде электронно-лучевой пушки с управляемой интенсивностью облучения, причем отражающие элемент решетки отражающих элементов вьшол- нены в виде токопроводяш11Х полосок и расположены перпендикулярно продольной оси пластины-звукопровода,

решетка отражающих элементов расположена в зоне облучения источника облучения электронным лучом, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона управления амплитудой поверхностных акустических волн, решетка отражающих элементов расположена между элементом излучения поверхностных акустических волн и приемным акустоэлектрическим элементом, длина 1 токопроводящих полосок 16 -- , где - минимальная дли- У

на поверхностной акустической волны, 0 - угловая расходимость электронного луча в радианах источника облучения электронным лучом, а расстояние между токопроводяшими полосками в направлений продольной оси пластины- звукопровода -равно половине длины поверхностной акустической волны.