Ключевой усилитель Советский патент 1988 года по МПК H03F3/217 

/2 13

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в усилителях, генераторах и преобразователях с широтно-импульсной модуляцией. Цель изобретения - повышение К1Щ и быстродействия.

На чертеже представлена электрическая схема ключевого усилителя.

Ключевой усилитель содержит первый Q транзистор 1, первый резистор 2, первый конденсатор 3, второй резистор 4, второй транзистор 5, третий резистор 6, третий транзистор 7,.индуктивную нагрузку 8, второй конденсатор 9., 15 дИод 10, четвертый резистор 11, об- ратносмещенньш диод 12, пятый резистор 13, четвертый транзистор 14.

Ключевой усилитель работает следующим образом.20

При подаче отрицательного перепада напряжения на вход ключевого усилителя происходит запирание первого транзистора 1 и в базу третьего транзистора 7 начинает течь относительно 25 небольшой ток, протекающий через второй резистор 4 и второй конденсатор 9. По мере заряда второго конденсатора 9 ток через него уменьшается, но постепенно отпираются ключ на четвер- зо том транзисторе 14 и эмиттерный повторитель на втором транзисторе 5, поддерживая третий транзистор 7 в насыщенном состоянии при соответствующем увеличении тока подмагничивания . индуктивной нагрузки.

При подаче положительного перепада напряжения на вход ключевого усилителя отпирается первый транзистор 1, запирается ключ на четвертом транзисторе 14 и эмиттерный повторитель на втором транзисторе 5. Второй конденсатор 9 обеспечивает ускоренное выключение третьего транзистора 7 через инверсную активную область. Диод 12 обеспечивает восстановление исходного напряжения на втором конденсаторе (как и первый диод 10 на входе - на первом конденсаторе 3), а наличие пятого резистора 13 позволяет увеличить амплитуду отрицательного импульса напряжения на базе третьего транзистора 7, что приводит к более быстрому его запиранию. При этом установившийся ток открытого первого транзистора 1 незначителен, а в момент отпирания,

Заказ 1783/55

благодаря наличию первого к ра 3, через коллекторную це транзистора 1 протекает импу большой амплитуды, обеспечи быстрое рассасывание неосно телей из базовой области тр транзистора 7. I

Таким образом, за счет в четвертого транзистора 14 с мощность управления третьим тором 7 (за счет ее плавног ния по мере увеличения тока т.е. повьш1ается КПД, и увел быстродействие ключевого ус

Формула изобре

К-пючевой усилитель, соде первый транзистор, включенн ме с общим эмиттером, база подключена через параллельн ненные первый резистор и пе денсатор к входной клемме к усилителя, а его коллектор рой резистор подключен к ши ния, второй транзистор, вкл схеме с общим коллектором, которого через третий резис ключен к базе третьего тран включенного по схеме с общи тером, коллектор которого ч дукти вную нагрузку соединен питания, а также второй кон 35 диод, четвертый резистор, п тельно соединенные обратнос диод, пятый резистор, отл щийся тем, что, с цель

40

45

50

55

ния кпд и быстродействия, д тельно введен четвертый тра имеющий противоположный тип ры, включенный по схеме с о зой, коллектор которого сое базой второго транзистора, тер - с коллектором первого тора, при этом другой вывод резистора, один вывод четве зистора и анод диода соедин шиной, катод диода подключе первого транзистора, другой четвертого резистора подклю четвертого транзистора, кат носмещенного диода подключе третьего транзистора непоср а через второй конденсатор тору первого транзистора.

Тираж 928

j p J ii -:J Произв.-по.чиг р. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Q 5

0

5 о

благодаря наличию первого конденсатора 3, через коллекторную цепь первого транзистора 1 протекает импульс тока большой амплитуды, обеспечивающий быстрое рассасывание неосновных носителей из базовой области третьего транзистора 7. I

Таким образом, за счет введения четвертого транзистора 14 снижается мощность управления третьим транзистором 7 (за счет ее плавного увеличения по мере увеличения тока нагрузки) т.е. повьш1ается КПД, и увеличивается быстродействие ключевого усилителя.

Формула изобретения

К-пючевой усилитель, содержащий первый транзистор, включенньм по схеме с общим эмиттером, база которого подключена через параллельно соединенные первый резистор и первый конденсатор к входной клемме ключевого усилителя, а его коллектор через второй резистор подключен к шине питания, второй транзистор, включенный по схеме с общим коллектором, эмиттер которого через третий резистор подключен к базе третьего транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, коллектор которого через ин- дукти вную нагрузку соединен с шиной питания, а также второй конденсатор, 5 диод, четвертый резистор, последовательно соединенные обратносмещенный диод, пятый резистор, отличающийся тем, что, с целью повьш е

ния кпд и быстродействия, дополнительно введен четвертый транзистор, имеющий противоположный тип структуры, включенный по схеме с общей ба- зой, коллектор которого соединен с базой второго транзистора, а эмиттер - с коллектором первого транзистора, при этом другой вывод пятого резистора, один вывод четвертого резистора и анод диода соединены с общей шиной, катод диода подключе к базе первого транзистора, другой вывод четвертого резистора подключен к базе четвертого транзистора, катод обрат- носмещенного диода подключен к базе третьего транзистора непосредственно, а через второй конденсатор к коллектору первого транзистора.

Тираж 928

j p J ii -:J

Изобретение относится к радиотехнике . Цель изобретения - повьшение КПД и быстродействия. Усилитель содержит транзисторы (Т) 1,5,7, резисторы (Р) 2,4,6,11,13, конденсаторы (К) 3 и 9, индуктивную нагрузку 8, диод 10, обратносмещенный диод 12. Введен Т 14, имеющий противоположный тип структуры, включенный по схеме с общей базой. За счет введения Т 14 снижается мощность управления Т 7 (за счет ее плавного увеличения по мере увеличения тока нагрузки), т.е. повышается КПД и увеличивается быстродействие усилителя. 1 ил.