(46) 30.08.92, Бюл. 32
(21)4122186/25
(22)17.09.86
(72) В.Л.Аронов, В.А.Васильев, Ю.И..Мороэ6в, И.Б.Десятов и А.В.Родионов(53) 621.382 (088.8)
(56)Федотов Я.А.Основы физики полупроводниковых приборов. М.J Советское радио, 1970, с. 502,
Технические условия аАО,339455 на транзистор 2Т994.
(54) СВЧ-ТРАНЗИСТОР
(57)Изобретение относится к пояупро-, водниковой технике и направлено на улучгаение электрических характеристик транзистора. Цель - снижение длительности фронтов радиоимпульса усиливаемого транзистором сигнала. СВЧ-тран- зистор, включающий кристаллы с электродами и корпус с , содерясит дополнительные проводники, размещенные внутри корпуса и соединягощие входные электроды кристаллов с общим электродом транзистора. Ицдуктиэность L совокупности этих проводников удов- лётворяет условиям lpLoBi4 SL() X (t(p/r,u ) t где Lo6iii индуктивность общего электрода транзистореjUuftMOKe максимальное обратное напряжение эмиттер-база; I - импульсный ток эмиттера- после завершения переходного процесса; - требуемая длительность фронта радиоимпульса. Изобретение позволяет распмрить область при- менения СВЧ-транзистора. f ил.
&
Изобретение относится к полупроводниковой технике.
Целью изобретений является снижение длительности фронтов радиоимгтуль- са усиливаемого транзистором сигнала.
Изобретение иллюстрируется чер.те- жом.
СВЧ мощный импульсный транзистор включает в себя корпус ,являющийся общим электродом, с внешними входными ;2 и выходными 3 выводами, кристаллы активной структуры А, согласующие 1емкости 5, эмиттерные б, базовые 7, коллекторные 8 проводники и дополнительные проводники 9, соединякядие 01юдные электроды JO кристаллов с общим- электродом.
Пример конкретной реализации.
СВЧ транзисторы были собраны на баае и в корпусе транзистора 2Т994. Параметры транзистора имеют следую
-вещ
0,01 нГн, L
агя энапения: « 0,05 нГк.
.Формула изобретения, СВЧ-транэистор,включенный по схе- tes е общей базой, содержащий корпус
с выподами, в котором расположены кристаллы с входными эмиттерными и выходными коллекторными электродами отличающийся тем, что, с целью снижения длительности фронтов радиоимпульса усиленного транзистором сигнала, входные эмиттерные электроды кристаллов соединены с общим базовым электродом транзистора проводниками, размещенными внутри корпуса, npfj4eM индуктивность совокупности проводников удовлетворяет условиям
1ПТ г т - fy ,,
где L
- индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базы и внешнюю индуктивность монтажа;
Импульсный ток эмиттера после завершения переходного процесса;
бмаис максимальное обратное напряжение эмиттйр-база; требуемая длительность фронта радиоимпульсов.
еещ
,.«
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2253924C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2227946C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 1992 |
|
RU2054754C1 |
МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2251175C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2227945C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2022 |
|
RU2789511C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2022 |
|
RU2791863C1 |
МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 1992 |
|
RU2054750C1 |
МОЩНЫЙ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР | 2001 |
|
RU2192692C1 |
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2001 |
|
RU2190899C1 |
7 в
Авторы
Даты
1992-08-30—Публикация
1986-09-17—Подача