СВЧ-транзистор Советский патент 1992 года по МПК H01L29/73 

(46) 30.08.92, Бюл. 32

(21)4122186/25

(22)17.09.86

(72) В.Л.Аронов, В.А.Васильев, Ю.И..Мороэ6в, И.Б.Десятов и А.В.Родионов(53) 621.382 (088.8)

(56)Федотов Я.А.Основы физики полупроводниковых приборов. М.J Советское радио, 1970, с. 502,

Технические условия аАО,339455 на транзистор 2Т994.

(54) СВЧ-ТРАНЗИСТОР

(57)Изобретение относится к пояупро-, водниковой технике и направлено на улучгаение электрических характеристик транзистора. Цель - снижение длительности фронтов радиоимпульса усиливаемого транзистором сигнала. СВЧ-тран- зистор, включающий кристаллы с электродами и корпус с , содерясит дополнительные проводники, размещенные внутри корпуса и соединягощие входные электроды кристаллов с общим электродом транзистора. Ицдуктиэность L совокупности этих проводников удов- лётворяет условиям lpLoBi4 SL() X (t(p/r,u ) t где Lo6iii индуктивность общего электрода транзистореjUuftMOKe максимальное обратное напряжение эмиттер-база; I - импульсный ток эмиттера- после завершения переходного процесса; - требуемая длительность фронта радиоимпульса. Изобретение позволяет распмрить область при- менения СВЧ-транзистора. f ил.

&

Изобретение относится к полупроводниковой технике.

Целью изобретений является снижение длительности фронтов радиоимгтуль- са усиливаемого транзистором сигнала.

Изобретение иллюстрируется чер.те- жом.

СВЧ мощный импульсный транзистор включает в себя корпус ,являющийся общим электродом, с внешними входными ;2 и выходными 3 выводами, кристаллы активной структуры А, согласующие 1емкости 5, эмиттерные б, базовые 7, коллекторные 8 проводники и дополнительные проводники 9, соединякядие 01юдные электроды JO кристаллов с общим- электродом.

Пример конкретной реализации.

СВЧ транзисторы были собраны на баае и в корпусе транзистора 2Т994. Параметры транзистора имеют следую

-вещ

0,01 нГн, L

агя энапения: « 0,05 нГк.

.Формула изобретения, СВЧ-транэистор,включенный по схе- tes е общей базой, содержащий корпус

с выподами, в котором расположены кристаллы с входными эмиттерными и выходными коллекторными электродами отличающийся тем, что, с целью снижения длительности фронтов радиоимпульса усиленного транзистором сигнала, входные эмиттерные электроды кристаллов соединены с общим базовым электродом транзистора проводниками, размещенными внутри корпуса, npfj4eM индуктивность совокупности проводников удовлетворяет условиям

1ПТ г т - fy ,,

где L

- индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базы и внешнюю индуктивность монтажа;

Импульсный ток эмиттера после завершения переходного процесса;

бмаис максимальное обратное напряжение эмиттйр-база; требуемая длительность фронта радиоимпульсов.

еещ

,.«

7 в