Контактирующее устройство для контроля кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем Советский патент 1988 года по МПК H05K1/11 

Изобретение относится к радиоизмерительной и электронной технике и предназначено для измерения СВЧ -монолитных интегральных схем СМИС),ос- новной особенностью СВЧ МИС является наличие распределенных пассивных элементов на лицевой поверхности и экрана на нижней поверхности кристалла.

Цель изобретения - снижение погрешности измерения контролируемых параметров и расширение номенклатуры контролируемых изделий.

На фиг.1 представлено контактиру- ющее устройство, поперечное сечение; на фиг.2 - то же, вид сверху без эла томерного разъема и кристалла МИС.

Контактирующее устройство состоит из металлического основания 1 с выступом 2, вставленным заподлицо в отверстие 3 диэлектрической подложки 4, на которой закреплен экран 5, проводники 6 и микрополосковые линии 7. В пьедестале по форме контролируе мого кристалла выполнено гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, которые расположены с возможностью соединения с вакуумным насосом (не показан) .

Диэлектрическая рамка эластомер- ного разъема 11 изготавливается из пластмассы с малыми диэлектрической проницаемостью и диэлектрическими потерями. В качестве оптически прозрачной диэлектрической пленки 12 желательно использовать полиимидную пленку толщиной, например, 35 мкм. Контакты 13 вьшолняются По тонкопле- ночной технологии с последующим гальваническим наращиванием золота 2 - 6 мкм. Пленку 12 закрепляют на рамке например, с помощью приклеивания. В гнезде 8 показан контролируемьй крис талл 14.

Устройство работает следующим образом.

С помощью вакуумного пинцета кристалл 14 МИС экраном вниз устанавли- вается в гнездо 8, образованное прямоугольным отверстием 3 и плоскостью пьедестала. Кристалл накрывается эла .томерным разъемом 11 (фиг.1). При визуальном каб.пюдении с помощью микро- скопа золотые контакты 13 совмещают с контактными площадками на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4,

и подается разряжение (форвакуум). Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса). После этого включаются питающие напряжения, подаются измерительные сигналы и производятся измерения соответствующих электрических параметров.

При этом в пьедестале объединены функции корпусной детали, вакуумного уплотнения, контакты к обратной стороне кристалла, вакуумного зажима кристалла и базовой плоскости, предупреждающей разрыв пленочного эластичного держателя контактов.

По завершении измерений сигнал и питающие напряжения выключают, далее выключают форвакуум, эластомерный разъем убирают в сторону, а измеренный кристалл - в кассету годных или бракованных изделий.

Формула изобретения

1.Контактирующее устройство для контроля кристаллов СВЧ монолитных интегральных схем, состоящее из металлического основания, диэлектрической подложки с проводниками и микрополосковыми линиями и эласто- мерного разъема, содержащего диэлектрическую рамку, эластомерный держатель контактов и контакты, отличающееся тем, что, с целью снижения погрешности измерения контролируемых параметров и расширения номенклатуры контролируемых изделий, металлическое основание выполнено с выступом, вставленным в отверстие диэлектрической подложки заподлицо с ее плоскостью, в выступе по форме контролируемого кристалла вьшолнено гнездо с пазами и отверстием в дне, вьшолненными с возможностью соединения с вакуумным насосом.

2.Устройство по п.1, О т л и ч а ю щ е е с я тем, что в качестве эластичного держателя контактов использована оптически прозрачная диэлектрическая пленка.

/

Изобретение относится к области электроники. Контактирующее устройство для контроля сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем содержит металлическое основание 1 с выступом 2, размеп;енным в отверстии диэлектрической подложки 4, на которой закреплены проводники и микрополоско- вые линии. В выступе 2 по форме контролируемого кристалла 14 имеется гнездо 8 с пазами 9 и отверстием 10 в дне, к которому можно подсоединить вакуумный насос. В качестве эластичного держателя контактов использована оптически прозрачная диэлектрическая пленка 12. Контактирующее устройство данной конструкции снижает погрешности измерения контролируемых параметров и расширяет номенклатуру контролируемых изделий. 1 з.п. ф-лы, 2 ил. i (Л сд 4аь О

w

fas. 2