Амплитудный детектор Советский патент 1988 года по МПК H03D1/18 

(Л

ригЛ

Изобретение относится к радиотех- ике и может быть использовано в раиоприемных устройствах.

Цель изобретения - увеличение чувствительности.

На фиг.1 приведена структурная электрическая схема амплитудного детектора; на фиг.2 - схема-амплитудного детектора с регулируемым автоматическим смещением.

Амплитудный детектор (фиг.1) соержит первый и второй транзисторы

1и 2, первый, второй и третий резисторы 3, 4 и 5, резистивный делитель

6 напряжения и первый и второй конг, енсаторы 7 и 8. .

Амплитудньй детектор, показанный на фиг.2, содержит полевой транзистор 9, дополнительный конденсатор 10 и дополнительный резистор 11.

Амплитудный детектор работает сле- дуюищм образом.

Входной сигнал через второй конденсатор 8 поступает на базу первого транзистора 1. Первый и второй транзисторы 1 и 2 включены по схеме с общим эмиттером. Второй транзистор 2 выполняет функцию амплитудного детектирования , а первьй транзистор 1 - функцию усиления и температурной компенсации изменения порогового напряжения детектирования.

Использование детектирующего второго транзистора 2 в режиме усиления с учетом коэффициента усиления первого транзистора 1 по переменному току позволяет иметь коэффициент передачи амплитудного детектора равным 40- 50 дб, что дает возможность детектировать .сигналы с амплитудой единицы милливольт.

За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллек торе первого транзистора 1 и переходе база-эмиттер второго транзистора

2обеспечивается высокая стабильность чувствительности а мплитудного детектора при изменении температуры окружающей среды.

Предложенная структура связи транзисторов позволяет обеспечить работоспособность амплитудного детектора вплоть до напряжений питания, близких к напряжению 1В. Верхний предел питающего напряжения ограничивается максимально допустимым напряжением для транзисторов.

Для расширения диапазона входных напряжений и сохранения при этом стабильности режима работы нижнее

плечо резистивного делителя 6 напряжения может быть выполнено управляемым, например в виде полевого транзистора (фиг.2).

Управляемое плечо делителя выполнено на полевом транзисторе 9, затвор которого через дополнительный резистор соединен с выходом детектора . Дополнительный конденсатор 10 обеспечивает управление полевым транзистором 9 только по постоянному току.

При увеличении амплитуды несущей частоты входного сигнала уменьшается напряжение на коллекторе второго

транзистора 2. Отфильтрованное цепью конденсатор 10 - резистор 11 это напряжение передается на затвор полевого транзистора 9. В результате омическое сопротивление канала полевого

транзистора и амплитуда на входе (базе) второго транзистора 2 умень- щаются.

Таким образом, амплитудный детектор обладает более высокой чувствительностью, стабильностью и сохраняет работоспособность при уменьшении напряжения питания до малых значений

C-iB).

.Формулаизобретения

1. Амплитудный детектор, содержащий первый транзистор, между коллектором и базой которого включен первый резистор, а эмиттер соединен с общей шиной, второй резистор, один . из выводов которого подключен к щине питания, резистивный делитель Напряжения, включенный между коллектором

первого транзистора и общей шиной, второй транзистор, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к отводу резистивного делителя напряжения, третий резистор,

включенный между шиной питания и коллектором второго транзистора, и конденсатор, включенный между общей шиной и коллектором второго транзистора, который является выходом амплитудного детектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности, введен, второй конденсатор, один из вьтодов которого подключен к базе первого транзис тора, другой вывод второго конденсатора, является входом амплитудного детектора, а другой вывод второго резистора соединен с коллектором первого транзистора.

2. Детектор по п.1, о тли ч аю- .щ и и с я тем, что резисторный эле

мент резистивного делителя напряжения, включенньш между базой второго транзистора и общей шиной, выполнен в виде полевого транзистора, между затвором и общей шиной которого включен дополнительный конденсатор, а между затвором и коллектором второго транзистора - дополнительный резистор.

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение чувствительности. Амплитудный детектор содержит транзисторы 1 и 2, резисторы 3,4 и 5, резистивный делитель напряжения 6 к конденсаторы 7 и 8. Входной сигнал через конденсатор 8 поступает на базу транзистора , выполняющего ф-цию усиления и температурной компенсации изменения по рогового напряжения детектирования. За счет одинакового дрейфа по постоянному току напряжений на коллекторе транзистора 1 и на переходе ба- за-змиттер транзистора 2, выполняющего ф-цию амплитудного детектирования, обеспечивается высокая стабильность чувствительности детектора при изменении температуры окружающей среды. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

.

1

фиг.2