МОЩНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР Советский патент 1997 года по МПК H01L29/73 

Описание патента на изобретение SU1424656A1

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др.

Целью изобретения является улучшение энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами.

На чертеже представлена структура мощного СВЧ- или ВЧ-транзистора.

На отдельном низкоомном полупроводниковом кристалле 1 изготавливается ряд тонкопленочных сопротивлений 2, параллельно каждому из которых подключается реактивная проводимость, емкость, которая образуется между металлизированными площадками 3 (одновременно служащими для термокомпрессии эмиттерных проволочек) и телом низкоомного полупроводникового кристалла 1 через слой диэлектрика 4. Стабилизирующие сопротивления 2 выполняются в виде резистивных слоев, один конец которых соединен с площадками 3, а другой через окно 5 в диэлектрике 4 с телом низкоомного кристалла 1, то есть с эмиттерным выводом 6. Каждая из таких RC-цепочек включается в эмиттерную цепь каждого из параллельно соединенных малых по площади транзистора 7, изготовленных на полупроводниковом кристалле 8, расположенном на коллекторном выводе 9 мощного высокочастотного транзистора, базовые электроды транзисторов 7 соединены с базовым выводом 9.

Реактивное сопротивление выбирается таким образом, чтобы обеспечить прохождение высокочастотного сигнала непосредственно на вход каждого элементарного транзистора и тем самым исключить потери высокочастотной мощности на омических сопротивлениях rэ, даже при достаточно большой величине последних. В качестве реактивных проводимостей может быть использован, например, резонансный последовательный контур, настроенный на рабочую частоту прибора. Вся конструкция собирается в одном корпусе, как в случае обычных ВЧ- и СВЧ-транзисторов.

При работе транзисторов в режиме класса "А", когда наряду с переменной высокочастотной составляющей к прибору прикладывается также постоянное смещение, можно за счет увеличения rэ обеспечить полную тепловую стабилизацию транзистора по постоянному току, последний будет протекать именно через rэ. Однако в этом случае в силу наличия реактивных проводимостей энергетические и частотные параметры не ухудшаются. Распределение высокочастотной мощности между отдельными транзисторами практически полностью определяется распределением между ними постоянной мощности, что принципиально исключает необходимость каким-то образом (например, с помощью rэ) добиваться ее равномерного распределения. Это связано с тем, что частота изменения высокочастотного сигнала много больше, чем время установления тепловых процессов в структуре транзистора. Следовательно, температура в структуре приборов и ее распределение определяются только постоянной мощностью и ее распределением между отдельными транзисторами. Таким образом, достаточно обеспечить тепловую стабильность параллельно включенных транзисторов по постоянному току, чтобы добиться высоких уровней мощности в режиме класса "А" без ухудшения энергетических показателей прибора.

Похожие патенты SU1424656A1

название год авторы номер документа
МОЩНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА 2009
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Петров Борис Константинович
  • Петров Семен Александрович
RU2403651C1
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР 2009
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Петров Борис Константинович
  • Лупандин Владислав Владимирович
RU2403650C1
СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ МИКРОСБОРКА 1992
  • Гаганов В.В.
  • Асеев Ю.Н.
  • Велигура Г.А.
  • Асессоров В.В.
RU2101804C1
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР 1990
  • Асессоров В.В.
  • Булгаков О.М.
  • Инкерманлы И.Л.
  • Кочетков А.И.
  • Петров Б.К.
SU1679922A1
Мощная ВЧ (СВЧ) транзисторная структура 1977
  • Ассесоров В.В.
  • Булгаков С.С.
  • Горохов В.С.
  • Кочетков А.И.
  • Кожевников В.А.
SU656432A1
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура 2020
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Николаенков Юрий Кимович
  • Таравков Михаил Владимирович
RU2743674C1
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура 2022
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Николаенков Юрий Кимович
  • Таравков Михаил Владимирович
RU2791863C1
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура 2020
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Николаенков Юрий Кимович
  • Таравков Михаил Владимирович
RU2743673C1
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура 2022
  • Булгаков Олег Митрофанович
  • Николаенков Юрий Кимович
  • Таравков Михаил Владимирович
RU2789511C1
СВЧ-ТРАНЗИСТОРНАЯ МИКРОСБОРКА 1992
  • Асессоров В.В.
  • Гаганов В.В.
  • Жильцов В.И.
RU2101803C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 424 656 A1

Реферат патента 1997 года МОЩНЫЙ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. Цель - улучшение энергетических параметров путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными транзисторными структурами. Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора, содержит ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в электрической цепи. В корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, которые представляют собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор. Один конец каждой RC-цепочки соединен с проводником с эмиттерным электродом, а другой электрически соединен с эмиттерным выводом транзистора. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 424 656 A1

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а другой электрически соединен с эмиттерным выводом транзистора.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1997 года SU1424656A1

Кремниевые планарные транзисторы
/Под ред
Я.А.Федотова
М.: Сов
Радио, 1973, с.175
Патент США N 3504239, кл.317 - 235, 1970.

SU 1 424 656 A1

Авторы

Захаров В.И.

Левкович Г.С.

Левицкий К.Б.

Синкевич В.Ф.

Шибанов А.П.

Шелчков Б.И.

Щиголь Ф.А.

Даты

1997-01-10Публикация

1975-01-23Подача