Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке Советский патент 1988 года по МПК H03K5/02 

to ел

00

ю

у.

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к формированию импульсов напряжения на емкостной нагрузке, и может быть использовано,на йример для управления электрооптическими световыми затворами и дискретными дифлекторами.

i Цель изобретения - уменьшение мощ Иости, потребляемой от схемы управле Йия.

I На фиг. 1 представлена принципи- |апьная электрическая схема устройст- ра; на фиг. 2 - временные диаграммы jero работы.

i Формирователь импульсов напряже- ния на емкостной нагрузке (фиг. 1) содержим источник 1 питания, р-п-р- транзисторы 2 и 3, п-р-п-транзисто- ры 4 и 5, резисторы 6-10. Коллектор транзистора 2 соединен с базой тран :зистора 3 и с резистором 7, второй яывод которого соединен с коллектором транзистора 5 и базой транзистора 4. Коллектор транзистора 3 соединен с азой транзистора 5 и резистором 8, второй вывод которого соединен с миттером транзистора 5, отрицатель- |дым электродом источника 1 питания нагрузкой. Коллектор транзистора 4 Ьоединен с базой транзистора 2 и резистором 6, второй вьгоод которого соединен с эмиттером транзистора 2 и положительным электродом источника питания. Эмиттеры транзисторов 3 и 4 соединены с резисторами 9 и 10 и с нагрузкой 11, резисторы 9 и 10 соединены с базами транзисторов 3 и 4. Базы транзисторов 2 и 5 являются входами формирователя.

Формирователь работает следующим образом.

Пусть в исходном состоянии все транзисторы закрыты, -а емкость нагрузки 11 разряжена. В момент времени t на базу транзистора подается отрицательный запускающий импульс. Тран зистор 2 приоткрывается, его коллекторный ток, проходя через резистор 7 и переход база-змиттер транзистора 4, приоткрывает его, Коллекторньй же ток Транзистора 4 является базовым током транзистора 2. В зарядном ключе развивается регенеративной процесс, в результате чего напряжение на емко- сти нагрузки по окончании процесса заряда становится равным напряжение

источника I питания. Во время заряда емкости нагрузки напряжение с резистора 7 и перехода база-эмиттер транзистора 4 приложено к переходу база-эмиттер транзистора 3 и является для него запирающим, что предотвращает включение разрядного ключа за счет протекания емкостных токов.

Аналогичные процессы протекают при работе разрядного ключа. Положительный импульс, поданный на базу транзистора 5 в момент времени t, приоткрывает его,и в разрядном ключе развивается регенеративный процесс, в результате которого емкостная нагрузка 11 разряжается. Причем напряжение с перехода база-эмиттер транзистора 3 и напряжение с резистора 7 подаются на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрывают его, что предотвращает включение зарядного ключа. Длительность управляющего импульса в предлагаемом устройстве определяется только моментом возникновения регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в известной схеме.

Фор м у ла изобретения

Формирователь импульсов напряжения на емкостной нагрузке, содержащий первые р-п-р- и п-р-п-транз исто- ры, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами, причем эмиттер р-п-р-транзистора подключен к положительному полюсу, а эмиттер п-р-п-транзистора - к отрицательному полюсу источника питания, отличающийся тем, что, с целью уменьшения мощности, потребляемой от схемы управления, введены резистор, подключенный между коллекторами указанных транзис горов и вторые р-п-р и п-р-п-транзисторы, переходь база-эмиттер которых также зашунтированы резисторами, эмиттеры вторых р-п-р- и п-р-п-транзисторов объединены и подключены к выходной клемме формирователя, базы подключены соответственно к коллекторам первых транзисторов одноименного типа проводимости, а коллекторы - к базам первых транзисторов противоположного типа проводимости, которые являются входами формирователя.

Фиб.2

Изобретение может быть использовано, например, дпя управления электрооптическими световыми затворами и дискретными рефлекторами. Цель изобретения - уменьшение мощности потребляемой от схемы управления, достигается за счет введения резистора 7, который включен между коллекторами транзисторов 2 и 5, и двух транзисторов 3 и 4, переходы база-эмиттер которых зашунтированы резисторами 9 и 10. Базы транзисторов 2 и 5 являются входами формирователя. Положительный импульс, поданный на базу транзистора 5, от - крывает его. В разрядном ключе развивается регенеративный процесс, в результате которого емкостная нагрузка 11 разряжается. При этом напряжение с перехода база-эмиттер транзистора 3 и напряжение с резистора 7 подаются на переход база-эмиттер транзистора 4 и надежно закрьшают его, что предотвращает включение зарядного клю-g ча Длительность управляющего импульсу в данном устройстве определяется только моментом возникновения регенеративного процесса, т.е. значительно короче, чем в прототипе, 2 ил. (Л