Сверхвысокочастотное контактное устройство Советский патент 1988 года по МПК H01P5/08 

П

9иг.Г

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем,

Целью изобретения является улучшение согласования, повьшение стабиль .|Ности контактирования и уменьшение разрушающего действия при контакти- |ровании.

На фиг,1 показана конструкция сверхвысокочастотного контактного |устройства; на фиг,2 - то же, другая Проекция.

I Сверхвысокочастотное устройство содержит входной и выходной отрезки

1и 2 копланарной линии, выполненные на единой подложке 3 из эластичного материала. Ширина токонесущих проводников 4 и 5 входного и выходного от- ipesKOB 1 и 2 копланарных линий плавно уменьшается в направлении к кон- тактным площадкам, размещенным на .диэлектрической подложке {не показаны) .

Концы заземпякнцих проводников 6 и 7 входного и выходного отрезков 1 и

2копланарных линий соединены между собой, на них и концах токонесущих проводников 4 и 5 закреплены контакт ные элементы 8, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений.

Входной СВЧ-сигнал, поступает на входной отрезок 1 копланарной линии и через контактные элементы 8, к которым подключается полупроводниковый прибор, передается на контактные площадки и снимается с них, поступая на выходной отрезок 2 копланарной ли-

НИИ.

Благодаря выполнению подложки 3 и эластичного материала и размещению

J «

в в

0

5

с

0 5

о

Q

35

на ней токонесущих и заземляющих проводников 4-7, а также благодаря соединению между собой заземляющих проводников 6 и 7 достигается улучшение согласования, так как улучшается симметрия электрического поля в месте подключения полупроводникового прибора и уменьшаются неоднородности при переходе с от резков 1 и 2 копланарных линий на полупроводниковый прибор. Эластичностью подложки 3 обеспечиваются повьщзение стабильности контактирования и уменьшение разрушающего действия при контактировании, так как при этом к контактным элементам 8 можно приложить равномерное и нормированное усилие.

Формула изобретения

Сверхвысокочастотное контактное устройство, содержащее входной и выходной отрезки копланарной; линии, подключенные к контактным площадкам, размещенным на диэлектрической подложке, через контактные элементы, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений на токонесущих и заземляющих проводниках, причем ширина токонесущих проводников плавно уменьшается в направлении к контактным площадкам, отличающее- с я тем, что, с целью улучшения согк гласования, повьщ1ения стабильности контактирования и уменьшения разрушающего действия при контактировании, токонесущие и заземляющие проводники входного и выходного отрезков копланарной линии размещены на единой подложке, вьшолненной из эластичного материала, и их заземляющие проводники непосредственно соединены между собой.

/

Изобретение может использоваться при производстве полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем и позволяет улучшить согласование, повысить стабильность контактирования и уменьшить разрушающее действие при контактировании. Входной 1 отрезок копланарной линии (ОКЛ) и выходной 2 ОЮТ подключены к контактным площадкам через контактные элементы 8, выполненные в виде локальных электропроводящих утолщений на концах их токонесущих проводников (тип) 4, 5 и заземляющих проводников (ЗП) 6, 7. ОКЛ 1, 2 выполнены на единой подложке 3 из эластичного материала. Концы их ЗП 6, 7 соединены между собой, а концы ТИП 4, 5 имеют плавно уменьшающуюся к контактным площадкам ширину. Входной СВЧ-сигнал поступает на ОКЛ 1 и через контактные элементы 8, к которым подключается полупроводниковый прибор, передается на контактные площадки, снима ется с них и поступает на выходной ОКЛ 2. 2 ил. (Л