| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ | 2002 |
|
RU2227344C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПЛЕНКИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ | 2014 |
|
RU2578870C2 |
| СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ | 1989 |
|
SU1662294A1 |
| СПОСОБ СЕЛЕНАТНО-ТИОСУЛЬФАТНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ n-ТИПА | 2014 |
|
RU2572793C1 |
| ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2021 |
|
RU2769749C1 |
| СПОСОБ ХАЛЬКОГЕННОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ n-ТИПА | 2005 |
|
RU2291517C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЗОПРОНИЦАЕМОЙ МЕМБРАНЫ И ГАЗОПРОНИЦАЕМАЯ МЕМБРАНА | 2005 |
|
RU2283691C1 |
| СПОСОБ УВЕЛИЧЕНИЯ ПОРОГОВОГО НАПРЯЖЕНИЯ ОТПИРАНИЯ GaN ТРАНЗИСТОРА | 2016 |
|
RU2642495C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И ТРАВИТЕЛЬ | 2012 |
|
RU2485628C1 |
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ (ВАРИАНТЫ) | 2009 |
|
RU2391741C1 |
1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулы
где Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат · см-3;
Nn - концентрация водорода на поверхности образца, ат · см-3;
Dн - коэффициент диффузии водорода при используемой температуре обработки;
t - время обработки, с,
с последующим охлаждением со скоростью 1 - 50 град/с до температуры 100oС.
2. Способ по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения локальности пассивации, на поверхности кремния или арсенида галлия размещают шаблон, форма которого соответствует форме подлежащих пассивации областей, выполненный из материала, аккумулирующего водород.
