Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с большим входным сопротивлением Советский патент 1962 года по МПК H03F3/18 

Известны транзисторные усилители с высоким входным сопротивлением. Основной недостаток подобных устройств состоит в том, что входное сопротивление зависит от коллекторного сопротивления входного и последующего транзисторов.

В описываемом усилителе высокое входное сопротивление (порядка 600 мом) обеспечивается применением последовательно-параллельной отрицательной обратной связи, позволяющей устранить шунтирующее действие входа коллекторными сопротивлениями входного и последующих транзисторов. Кроме того, в усилителе вместо опорных батарей включены опорные диоды, что уменьшает габариты ycIiлитeля и расход энергии от источников питания.

Принципиальная схема усилителя приведена на чертеже.

Усиливаемый сигнал подается на зажимы /-/ и поступает на базу транзистора 2. Эмиттерная шина первых трех транзисторов (2, 3 и 4 со структурой р-п-р присоединена через общее сопротивление 5 к положительному полюсу источника питания. Выходной транзистор 6 со структурой п-р-п работает на сопротивление 7 нагрузки.

Между эмиттерной щиной первых трех транзисторов и нагрузкой включено сопротивление обратной связи 8. Кроме того, обратной связью охвачен каждый транзистор с помощью сопротивлений 9, 10, 11 и 12. Комбинированная последовательно-параллельная отрицательная обратная связь устраняет шунтирующее действие входа коллекторным сопротивлением транзистора 2 и последующих транзисторов, что позволяет получить очень высокое входное сопротивление усилителя. Смещения на транзисторы 5, 4 и 5 подают с помощью опорных диодов 13, 14 и 15.

Описанный усилитель может быть использован, например, в вычислительных машинах для анализа атомных структур кристаллов.

ЛЬ 144199

2

Предмет и з о б р е т е и и я

Прецизионный транзисторный усилитель напряжения с больши. входным сопротивлением, с локальными и общей обратной связью, включением коллектора предыдущего транзистора к базе последующего, включением опорных диодов в цепях эмиттеров всех транзисторов, кроме выходного, отличающийся тем, что, с целью увеличения входного сопротивления, эмиттерная шина первых трех транзисторов со структурой «р-п-р присоединена к положительнолму зажиму источника питания через общее эмиттерное сопротивление а между эмиттерной шиной и незаземленным зажимом нагрузки, к которому включен опорный диод коллекторной цепи выходного транзистора структуры «п-р-л, включено сопротивление обратной связи, причем эмиттер выходного транзистора присоединен к источнику питания.