Способ управления силовым транзистором ключевых преобразователей Советский патент 1991 года по МПК H02M7/538 

(Л

С

1

4i

:«9

sj

10

15

Изовретение относится к электроехнике и может быть использовано системах вторичного электропитаия для преобразования постоянного апряжения.

Цель изобретения - повышение бытродействия.

На фиг,1 представлена блок-схе- а устройства, реализующего способ; на фиг.2 - диаграммы, поясняющие его аботу.

В схеме для реализации способа (фиг.1) используется силовой тран- 8ИСТОР 1, управляемые ключи 2 и 3 в цепи отпирания, и 4 в цепи запирания, подключающие отпирающий 5 и запирающий б источники питания к базе силовр го транзистора, ограничительный резистор 7 и диод 8 со- единйют источник 5с коллектором силового транзистора, а стабилитрон 9 шунтирует ключ 3.

Для запирания насыщенного транзистора 1 одновременно (момент вре- tg на фиг,2) размыкают ключи 2 (К1), 3 (К2) и замыкают ключ 4. (КЗ), что обеспечивает соответственно отключение цепи отпирающего тока базы и подачу запирающего напряжения зо на эмиттерный переход от источника 6 запирающего напряжения (U).Кроме того, вследствие запирания ключа 2 по коллекторно-эмитТерной цепи транзистора 1 и/через диод 8 протекает дополнительный ток от источника отпиракядего напряжения 5 (U) , ограниченный сопротивлением 7. В результате обеспечивается форсированное расса сьтание избыточных носителей заряда в транзисторе 1 который выходит из насыщения.

20

25

35

40

0

5

о

0

5

5

0

В момент времени t, ключ 2 (К1) замыкается, а ключ 4 (КЗ) размыкается, что позволяет протекать отпирающему току базы через стабилитрон 9 и обеспечивает стабилизацию ненасыщенного состояния транзистора 1 (см. и на фиг.2) за счет диодной фиксации коллекторного напряжения.

Затем в момент времени t вновь размыкают ключ 2 (К1), замыкают ключ 4 (КЗ), что приводит к запиранию транзистора 1, предварительно выведенного из насыщения. Одновременно активное запирание коллекторного и :эмиттерного переходов на этапе рассасывания повышает быстродействие . Фо р кула и 3 обр е те ния

Способ Управления силбвым тран зистором ключевых преобразователей, состоящий в том, что .для силового запирания транзистора отключают на время, не превышающее длитеяьио сть рассасывания избыточных носител ёй. Цепь отпирающего тока базы и пропускают дополнительный ток.по коллек- . торно-эмиттерной цепи с последующей фиксацией ненасыщенного состояния силового транзистора, а затем подают запирающее напряжение на эмиттерный переход, отличающий- с я тем, что, с целью повьщ1ения быстродействия, одновременно с отключением цепи отпиранмцего тока базы подают запирающее напряжение на эмиттерный перехоп на время, не пре- вьшающее длительность запирания этого перехода.

Фи. 1