Транзисторный ключ Советский патент 1989 года по МПК H03K17/42 

потенциала на базе транзистора 9 последний запирается. При этом весь ток от шины 7 дополнительного источника питания замыкается через диод 3 и силовой транзистор 2. Длительность протекания этого тока через диод 3 равна времени рассасьгоания неосновных носителей заряда в силовом тран 1458970

Изобретение относится к электротехнике и автоматике, в частности к электронным коммутаторам,

Цель изобретения - повышение КПД транзисторного ключа путем уменьшения времени включения силового транзистора.

На чертеже приведена принципиаль- -. ....„..„ v.yi..uauM тр ная электрическая схема транзисторно- зисторе 2. Благодаря этому на р-п го ключа.переходе диода 3 накапливается заКпюч состоит из схемы 1 управления ряд .(неосновных носителей тока), ко- и силового транзистора 2, включенного торый при запирании силового тран- по схеме с общим эмиттером. Схема 1 зистора 2 обеспечивает в течение вре- управления содержит инерционный диод 15 мени восстановления обратного сопро- 3, соединенный катодом с коллектором тивления диода 3 протекание через силового транзистора 2, связанным через нагрузочный резистор 4 с шиной 5 источника питания, конденсатор 6, включенный между эмиттером силового 20 транзистора 2 и шиной 7 дополнительного источника питания с внутренним сопротивлением, представленным резистором 8, и транзистор 9, промежуток

коллектор - эмиттер которого подклю- 25 Уменьшающее время включения силового чен между шиной 7 дополнительного ис- транзистора 2 и следовательно, дина- точника питания и базой силового транзистора 2. Положительная-щина 7 дополнительного источника электрически развязана от коллектора силового транзистора 2 диодом 3, Отрицательные шины источников питания связаны общей шиной 10.

Транзисторный ключ работает следующим образом.

При открывающем входном сигнале на базе транзистора 9 через него и через переход j база - эмиттер си-: лового транзистора 2 протекает ток

40

негО тока, заряжающего конденсатора 6 и поддерживает низкое напряжение на коллекторе силового транзистора 2.

Повышение КПД обусловлено также тем, что в момент отпирания транзистора 9 происходит форсирование базового тока силового транзистора 2 благодаря разряду конденсатора 6,

мические потери.

Формула изобретения

30

35

от шины 7 дополнительного источника питания, при этом часть тока от шины 7 дополнительного источника питания ответвляется по цепи: диод 3 силовой транзистор 2. Это ответвле- . -...„.,

ние части тока обусловливает ограни- j между шиной дополнительного источничение степени насыщения силового .ка питания и базой силового транзистранзистора 2. .тора последовательно по постоянному

При исчезновении отпирающего вход- току с база-эмиттерным переходом

ного сигнала и появлении запирающегопоследнего.

Транзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, конденсатор, подключенный между эмиттером силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, инерционный диод, подключенный между коллектором силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, о т - л и чающийся тем, что, с целью повьш1ения КПД в него введен дополнительный транзистор, подключенный базой к шине входного сигнала, а промежутком коллектор - эмиттер потенциала на базе транзистора 9 последний запирается. При этом весь ток от шины 7 дополнительного источника питания замыкается через диод 3 и силовой транзистор 2. Длительность протекания этого тока через диод 3 равна времени рассасьгоания неосновных носителей заряда в силовом тран-. ....„..„ v.yi..uauM тр зисторе 2. Благодаря этому на р-п переходе диода 3 накапливается заряд .(неосновных носителей тока), ко- торый при запирании силового тран- зистора 2 обеспечивает в течение вре- мени восстановления обратного сопро- тивления диода 3 протекание через

Уменьшающее время включения силового транзистора 2 и следовательно, дина-

негО тока, заряжающего конденсатора 6 и поддерживает низкое напряжение на коллекторе силового транзистора 2.

Повышение КПД обусловлено также тем, что в момент отпирания транзистора 9 происходит форсирование базового тока силового транзистора 2 благодаря разряду конденсатора 6,

Уменьшающее время включения силового транзистора 2 и следовательно, дина-

мические потери.

Формула изобретения

Уменьшающее время включения силового транзистора 2 и следовательно, дина-

. -...„.,

между шиной дополнительного источниТранзисторный ключ, содержащий силовой транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, конденсатор, подключенный между эмиттером силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, инерционный диод, подключенный между коллектором силового транзистора и шиной дополнительного источника питания, о т - л и чающийся тем, что, с целью повьш1ения КПД в него введен дополнительный транзистор, подключенный базой к шине входного сигнала, а промежутком коллектор - эмиттер

Изобретение относится к электротехнике и автоматике и может использоваться в качестве ключа и коммутатора. Цель изобретения - пов ьшгение КПД транзисторного ключа за счет уменьшения времени включения силового транзистора. Транзисторный ключ, содержит схему 1 управления и силовой транзистор 2, включенный по схеме с общим эмиттером. Схема управления содержит транзистор 9, подключенный эмиттером к базе силового транзистора 2, а коллектором - к шине дополнительного источника питания, конденсатор 6 и инерционный диод 3. Повьш1е- ние КПД обусловлено разрядом конденсатора 6 через база-эмиттерный переход силового транзистора 2, уменьшающим время включения силового транзистора 2 и тем самым динамические потери. 1 ил. о (Л 4 СП 00 со