Способ изготовления гексаферритовой текстурированной пленки и композиционный материал для ее изготовления Советский патент 1989 года по МПК H01F41/22 H01F10/13 

3U6

510-9бо с в течение 10-15 мин, охлаждают 20-25 мин, причем сушку, вжига- ние и охлаядение осуществляют в магнитном поле 1-А кЭ.

Толщина наносимого за один проход ракеля слоя составляет 8-100 мкм. Если требуется получить пленки больших толщин, первоначальный слой сушат в магнитном поле, а затем нано- сят новый слой поверх первого, который сушат в постоянном магнитном поле того же направления и т.д. В процессе сушки органическое связующее выгорает.. После нанесения последне- го слоя пленку сушат, . и ох- лал1дак1Т по приведенной схеме.

Консистенция предлагаемого материала (его вязкость и растекаемость) подобраны таким образом, чтобы обес- печить воспроизводимость заданной конфигурации пленки и в то же время не вызьшать частой очистки трафарета

Напряженность постоянного магнитного поля Нр, в котором производят 25

35

сушку, вжигание и охлаждение пленок, составляет 2-4 кЭ. При 2 кЭ не происходит полной ориентации магнитных моментов кристаллов в вязком стекле вдоль приложенного магт нитного поля. При кЭ эта ориентация оказьшается практически сто- процентной. Наиболее оптимальной является Нр 2,5-3,5 кЭ. Использоваг

ние магнитного поля напряженностью более 4 кЭ является экономически нецелесообразно.

Испытания электродинамических характеристик проводились на измерителе КСВН и ослабления Р2-69 при помощи измерительной камеры, которая представляет собой отрезок прямоугольного металлического волновода сечением 3,,8 мм, верхняя стенка которого свободно перемещается отно- сительно канала волновода в направлении, перпендикулярном оси канала волновода. Гиромагнитная ппенка наносится на поликоровый вкладыш 0,,6 «30 мм, который приклеивается к верхней крьшпсе волновода перпендикулярно к ней. Крьшпса устанавливается на волновод и при помощи микрометрического винта располагается так, чтобы гиромагнитный резона тор (пленка ) оказался точно в области с круговой поляризацией СВЧ-маг- нитного поля в волноводе. Точность

установки контролировалась по индикатору КСВН и ослабления Я2Р-67 (мак- симуму обратных потерь резонатора. Размер пленки О,, мм, погрешность измерений ±0,05 дБ.

Результаты испытаний-представлены в таблице.

Как из таблицы следует, поставленная цель достигается лишь при вполне определенных значениях параметров техпроцесса изготовления гексаЛеррито.в ой пленки.

Форм у л а изобретений

1. Способ изготовления гексафер- ритовой текстурированной пленки, включанщий нанесение пленки из композиционного материала на диэлектрическое основание и сушку в постоянном магнитном поле, отличающийся тем, что, с целью повышения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинами

.ческих характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механических свойств и устойчивости пленки к органическим растворителям композиционный материал, содержащий мелкодисперсный порошок поликристап- лического гексаферрита и связующее, , наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 150-200 С, вжигают в течение 10-15 мин при 520-900 С и охлаждают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее 2 кЭ,

2. Композиционный материал для изготовления гексаферритовой текстурированной пленки, содержащий мелко- Дисперсньй порошок поликристаллического гексаферрита и связующее, о т- личающийся тем, что, с целью повьш1ения технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям в качестве связующего используют смесь стеклосвязующего и органического связукщего при- следующем соот- .

ношении компонентов, Гексаферрит Стеклосвязующее Органическое связующее .

мас.%:

30-80 5-50

Остальное

и «

ve ч 00 о о CO о «ч m - in 1Л . uS

00

1Л m 00 Ю

00 г со во Г4 со - N см

со to г ON о го г f4 еч ч см м -. о

irt IT Р1 1Л 1Л (Л 1Л о о о о о о р

о о ch о h h d

о о о о сГ сГ о

о%со со a

to Ю Л -. ;( С5 О S О О

О О О О О О О

О О О О Ш СО О Г СП СП - -- с«4

1Л Ш 4Г( П Л In 1Л

ч ем м с м г ч

iiiAAi.i

«) N fM гч «м см ем

ш ш ш 1Г| 1Л in 1Л

О с о о о о О

О О О vO vO С D г г- | г tx f г..

in Ю irt Ш UMft М .М М «М Г4

. Aiii I «М М N Г4

ii

см «ч

о о о о

00 со со 00

in ш Л о о о о - « Г4 М N С4

м О О О О

со со со « 1в 0 40

о о о о о о г г tv со « «п

Ю in ш п 1Л ш

V V V V V V

о о о о о о

«о - о сч ч см м м см сч

Ю .- СП t Ю in

0о о-о о о

со 00 f-- о Оч О CT О О он

о о о о о о

Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано I Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано для создания гексаферритовых текстури- рованных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона. Цель изобретения - повышение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с диэлектрическим основанием, ее механидля создания гексаферритовых тексту- рированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона. Цель изобретения - повышение технологической стабильности параметров пленки, ее электродинамических характеристик, адгезии пленки с основанием, ее механической прочности и устойчивости пленки к органическим растворителям. Композиционный материал, включающий, мас.%: функциональный материал 30-80; стеклосвязующее 5-50, органическое связукщее - остальное, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сушат при 150-200°С, вжигают в течение 10-15 мин при 520-900°С и охлаждают, причем сушку, вжигание и охлаждение проводят в постоянном магнитном поле напряженностью не менее 2 кЭ, силовые линии которого параллельны плоскости пленки. 2 с.п. ф-лы, 1 табл. ческой прочности и устойчивости к органическим растворителям. Пример. Композиционный материал, включающий в себя мелкодисперсный (0,3-10 мкм, лучше 1-3 мкм) порошок гексаферрита марки 04С4А1, - стеклосвязующее Ри 34 ПАЦ.024.006 ТУ : с температурой размягчения 450°С и органическое связующее - 4%-ный раствор этилцеллкшозы в терпинеоле, наносят методом трафаретной печати на диэлектрическое основание, сутаат при 140-210 С 20-25 штн, вжигают при $ (О 4 о: ч8 О1

g

4f S S 8 8 S S т л

о о (Ч СП -« in kO

л сл rt ел to «n m

r« «

«л 1Л

о о о о

М «ч 1Л

m о м «п

ш

g|

к 0)

о. i4 со Kt

1Л«Л. IOmirilAW trilAtAini/ AlOIA rt rtlOIOir OmiAtnin ninm ri

(Jrslc4 e Jг Jc cN.cч(Nc со с с oooececcjcococooococcccocc

r rs|c eMr ic4r i 4 sc rvies rjr CNie4fs rjC4c io4r r fN4csjrvirsirjp j

г(мгмсмО1Л1 мсчем1Ч«мсч| ммс е еч л Л1Л11Л1П1л лог ю Л1Л

с: О с

(.

. ...

ооооссососсрссссссосс

. C CvCsc C C -

1Л П Л1Л1ПиЛЮ«а Л1Л Г 1Г)1Г11А1Л ЛЩ1Л1Л1Л1Г(|Г| Л1Л1П1Л1Л1Л1Л r4t4t4eM 4Mt4(Mr4 rj fM 4«4CMC4( MM CV| N «Ч evj (Ч CM

i i A cL A , i i i Ai iiAid iiAii i i i

«N ГЧ (-4 M S «Ч e4r««4t4eMtNNr JC4 MCvItMMf4M NtvlC4CNMMMeN

OQOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOOO inoojcoeoeoaoeocoeoooeoaeoo eo o eoeooooooococoaoaooooo oo eo

- - отслепвл