Квадратичный детектор Советский патент 1962 года по МПК H03D1/08 

Известно, что параметры nOviynpoBOAHHKa, помещенного в магнитное поле, изменяются при изменении магнитного поля. Так, например, наибольшее изменение сопротивления полупроводников достигается при воздействии на них магнитного поля в том случае, если полупроводники выполнены в виде дисков или пластинок, на л оторые электролитическим путем или испарением в вакууме нанесен растр в виде полосокВ предлагаемом квадратичном детекторе для повышения качества детектирования и увеличения чувствительности применен соленоид, подключенный ,к источнику детектируемого сигнала, а детектор, сопротивление которого зависит от величины магнитного поля, включен последовательно с активным сопротивлением и источником постоянного смеш,ения и размеш,ен в магнитном поле соленоида.

Принципиальная схема детектора изображена на чертежеДетектируемый сигнал подают на зажимы / соленоида 2, в магнитное поле которого помеш.ен полупроводник 3, служаш.ий детектором.

Для создания начального падения напряжения на детекторе служит источник питания, подключаемый к зажимам 4. Для того, чтобы изменение сопротивления детектора в магнитном поле не влияло на величину тока смещения, последовательно с полупроводником 3 включают активное сопротивление 5. Выходной сигнал снимают с зажимов 6.

Описанный детектор обладает квадратичной характеристикой и обеспечивает высокое качество детектирования при высокой чувствительности устройства.

Предмет изобретения

Квадратичный детектор, выполненный на полупроводниковом элементе, отличающийся тем, что, с целью повышения качества детектироваиия и увеличения чувствительности детектора, в нем применен соленоид, подключенный к источнику детектируемого сигнала, а детектор, сопротивление которого зависит от величины магнитного поля, включен последовательно с активным сопротивлением и источником постоянного смещения и размещен в магнитном поле соленоида.