Устройство для определения ориентации оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах Советский патент 1989 года по МПК G01N22/00 

Описание патента на изобретение SU1469398A1

Изобретение относится к области СВЧ-измерений, а именно к измерениям физических свойств кристаллов методами СВЧ, и может найти применение в квантовой радиотехнике, квантовой электронике, электронике СВЧ, в технике синтеза монокристаллов-диэлектриков и в других областях науки и техники, в которых возникают ориентирования кристаллов.

Цель изобретения - упрощение определения ориентации оптической оси в цилиндрических образцах при произвольных их геометрических размерах

На чертеже изображена схема устройства для определения оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах.

Устройство для определения оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах состоит из волновода 1 поверхностной волны (диэлектрического волновода или металлического волновода с продольной щелью), источ ника 2 СВЧ, соединенного с волноводом 1 через блок 3 развязки, выход волновода 1 соединен через последовательно включенные волновод 4 и детектор 5 с индикатором 6. Цилиндрический образец 7, вьфезанньй из исследуемого одноосного диэлектрического кристалла, установлен около волновода 1 с возможностью вращения вокруг своей геометрической оси 8 и оси 9, перпендикулярной оси 8 и продольной оси волновода 1, причем расстояние между боковой поверхностью цилиндрического образца 7 и волновода 1 меньше длины волны в свободном пространстве.

Устройство для определения ориентации оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах основано на том что резонаторы в виде круглых прямых цилиндров могут возбуждаться в режиме азимутальных волн высшего порядка,поле которых локализовано в области цилиндрической границы раздела диэлектрика и внешней среды, т.е. возбуткдаются так называемые колебания типа шепчущей галереи, обладающие высокой добротностью. Взаимодействие цилиндрического образца 7 с волноводом 1 зависит от взаимного расположения опти10

15

20

25

30

35

40

45

50

55

ческой оси кристалла (оси анизотропии) и продольной оси волновода 1. Связь цилиндрического образца 7 и волновода 1 оказывается максимальной при параллельном расположении оси излучателя и оптической оси крист итла из которого вырезан цилиндрический образец 7.

Устройство для определения оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах работает следующим образом.

С помощью источника 2 СВЧ-излуче- ния и волновода 1 возбуждают азимутальную бегущую волну высшего порядка в цилиндрическом образце 7 за счет распределенной связи цилиндрического образца 7 с волноводом 1. Сигнал на выходе волновода 1 регистрируется с помощью детектора 5 и индикатора 6, например осциллографа. Цилиндрический образец 7 вращают последовательно вокруг осей 8 и 9 до получения максимальной связи азимутальной волны в цилиндрическом образце 7 с волноводом 1, что фиксируется по минимуму сигнала его выхода детектора 5. При этом положении цилиндрического образца 7 его оптическая ось оказывается направленной параллельно продольной оси волновода 1.

Формула изобретения Устройство для определения ориен- тащ1и оптической, оси в одноосных диэлектрических кристаллах, состоящее из источника СЕЧ, соединенного с блоком развязки, детектора, соединенного с индикатором, отличающееся тем, что, с целью упрощения определения ориентации оптической оси в цилиндрических образцах при произвольных их геометрических размерах, между блоком развязки и детектором включен волновод поверхностной волны, цилиндрический образец установлен с: возможностью вращения вокруг своей оси и оси, перпендикулярной оси цилиндрического образца и оси волновода поверхностной волны, расстояние между стенкой волновода поверхностной волны и боковой поверхностью цилиндрического образца меньше длины волны в свободном пространстве.

Похожие патенты SU1469398A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ АНИЗОТРОПНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ 2019
  • Казьмин Александр Игоревич
  • Федюнин Павел Александрович
  • Федюнин Дмитрий Павлович
RU2721472C1
Устройство для измерения параметров полупроводников 1990
  • Вертий Алексей Алексеевич
  • Гудым Ирина Яковлевна
  • Иванченко Игорь Витальевич
  • Попенко Нина Алексеевна
  • Пустыльник Олег Дмитриевич
  • Тарапов Сергей Иванович
  • Шестопалов Виктор Петрович
SU1733986A1
Способ измерения толщины диэлектрических покрытий металлов и устройство для его осуществления 1990
  • Любецкий Николай Васильевич
  • Михнев Валерий Александрович
SU1753379A1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ ПРОТЯЖЕННЫХ СТРУКТУР С ДИАМЕТРАМИ СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ ФЕМТОСЕКУНДНЫМИ РЕНТГЕНОВСКИМИ ИМПУЛЬСАМИ 2023
  • Пикуз Сергей Алексеевич
  • Макаров Сергей Станиславович
  • Пикуз Татьяна Александровна
  • Кузнецов Андрей Петрович
RU2815615C1
Способ определения намагниченности насыщения в феррите на СВЧ 1986
  • Игнатьев Александр Анатольевич
  • Лепесткин Александр Николаевич
SU1394163A1
Способ определения поверхностного сопротивления 1989
  • Егоров Виктор Николаевич
  • Масалов Владимир Леонидович
  • Костромин Валерий Васильевич
SU1835506A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТАЦИИ КВАНТОВЫХ СИСТЕМ В КРИСТАЛЛАХ 2017
  • Мартынович Евгений Фёдорович
  • Лазарева Наталья Львовна
  • Кузнецов Алексей Витальевич
RU2658121C1
Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводнике 1977
  • Виткус Альгирдас Мечислово
  • Лауринавичус Альбертас Казио
  • Пожела Юрас Карлович
SU731402A1
Устройство для исследования колебаний в магнитоупорядоченных кристаллах 1976
  • Даньшин Николай Кузьмич
SU693228A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2011
  • Владимиров Валерий Михайлович
  • Коннов Валерий Григорьевич
  • Марков Владимир Витальевич
  • Репин Николай Семенович
  • Шепов Владимир Николаевич
RU2451298C1

Реферат патента 1989 года Устройство для определения ориентации оптической оси в одноосных диэлектрических кристаллах

Изобретение относится к СВЧ- измерениям. Цель изобретения - упрощение определения ориентации опти8 ческой оси в цилиндрических образцах (ДО) при произвольных их геометрических размерах. С помощью источника 2 СВЧ-излучения, соединенного через блок 3 развязки с волноводом 1, возбуждают в ЦО 7, вырезанном из исследуемого одноосного диэлектрического кристалла, азимутальную бегущую волну высшего порядка за счет распределенной связи ЦО 7 с волноводом 1 с Сигнал на выходе волновода 1 регистрируется с помощью детектора 5 и индикатора 6. ЦО 7 вращают последовательно вокруг осей 8 и 9 до получения максимальной связи азимутальной волны в ЦО 7 с волноводом 1. Это фиксируется по минимуму сигнала на выходе детектора 5. При таком положении ЦО 7 его оптическая ось оказывается направленной параллельно продольной оси волновода 1. Цель достигается введением волновода-1 поверхностной волны.1 ил. (Л с 4 о ;о со со СХ)

Формула изобретения SU 1 469 398 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1989 года SU1469398A1

Авторское свидетельство СССР № 904423, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Макеев Б.Г., Коробкин В.А., Пли- так Н.И., Пивень Н.М
Определение параметров анизотропных диэлектриков на основе волноводно-диэлектри- Ческого резонанса
- Приборы и техника эксперимента, 1978, № 6, с.104- 107.

SU 1 469 398 A1

Авторы

Кириченко Александр Яковлевич

Смирнова Тамара Александровна

Харьковский Сергей Николаевич

Черпак Николай Тимофеевич

Даты

1989-03-30Публикация

1987-03-19Подача