Ферротранзисторная ячейка Советский патент 1962 года по МПК H03K19/16 

Известны ферротранзисторные ячейки, в которых для устранения вредного выброса тока коллектора при выходе транзистора из насыщения последовательно с источником питания включается линейное сопротивление, выбираемое таким образом, чтобы ток коллектора не превышал допустимых значений. Однако при этом на сопротивлении Нерационально расходуется значительная часть мощности источника питания 1и, кроме того, снижается скорость перемагничивания сердечников, а следовательно, и быстродействие ячейки.

Предлагаемая ферротранзисторная ячейка отличается тем, что для снижения мощности рассеяния на коллекторе полупроводникового триода в цепь коллектора последовательно с запоминающим ферритом включен феррит с прямоугольной петлей гистерезиса.

Принципиальная схема описываемой ферротранзисторной ячейки приведена на чертеже.

В описываемой ячейке в цепь коллектора триода вместо линейного сопротивления включено нелинейное управляемое сопротивление, величина которого близка к нулю, если ток коллектора 4 не превыщает некоторой допустимой величины г/гаол и становится достаточно больщой, как только 4 «сюл- В качестве такого нелинейного сопротивления применен феррит ) с .прямоугольной петлей гистерезиса, включенный в цепь коллектора триода 2 последовательно с запоминающим ферритом 3 данного разряда. Число витков об.мотки 4 феррита 1 выбирается так, чтобы он начинал перемагничиваться только тогда, когда 4. превысит допустимую величину.

Схема работает следующим образом. Пока перемагничиваются ферриты Зп и 5(/г + /), феррит / находится в насыщенном состоянии и напряжение на его обмотке 4 равно нулю. Все напряжение источника 5 питания приложено к обмоткам запоминающих ферритов п и ( 1)-OTQ разрядов. Когда перемагничивание ферритов Зп и 3(п + 1) заканчивается, ток 4. быстро растет, но когда он достигает

величины ik аоп феррит 1 переходит в ненасыщенное состояние и ограничивает jfe. Время полного нерематаичивания феррита / должно быть больше времени рассасывания неосновных носителей в транзисторе. В исходное состояние феррит 1 возвращается постоянным или импульсным токам, протекающим по обмотке 6.

Таким образом, описываемая -схема ферротранзисторной ячейки позволяет снизить мощность рассеяния на коллекторе триода и, вместе с тем, повысить быстродействие ячейки.

Предмет изобретения

Ферротралзисторяая ячейка, отличаюЩ|аяся тем, что, с целью снижения мощности рассеяния на коллекторе полупроводникового триода, в цепь коллектора последовательно с запоминающим ферритом включен феррит с прямоугольной петлей гистерезиса.