Плоская спиральная антенна Советский патент 1989 года по МПК H01Q1/36 

(21)42821А1/24-09

(22)13.07.87

(46) ЗО.П7.89. Бюл. № 28 (72) Н.С.Маркун и В.В.Чебьппев

(53)621.396.677.45 (088.8)

(56)Патент CUJA 1 3192531, кл. Н 01 Q 1/36, 29.07.1965.

(54)ПЛОСКАЯ СПИРАЛЬНАЯ АНТЕННА

(57)Изобретение относится к антенной технике. Цель изобретения - уменьшение вертикального размера. Антенна содержит спиральный излучатель 1, спираль 2, диэлектрическую

подложку 3, диэлектрический слой 4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласуюищй эл-т 7 и СВЧ- соединитель 8. В антенне функции резонатора осуществляют слои 4 и 5 и спираль 2, вьтолненная из токопро- водящего материала. Основной вклад в излучение антенны дают токовая область излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяется слоями 5 и 4 и экраном 6. Цепь достигается введением спирали 2 и слоя 4. I ил.

Изобретение относится к антенной технике. Цель изобретения - уменьшение вертикального размера. Антенна содержит спиральный излучатель 1, спираль 2, диэлектрическую подложку 3, диэлектрический слой 4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласующий эл-т 7 и СВЧ соединитель 8. В антенне функции резонатора осуществляют слои 4 и 5 и спираль 2, выполненная из токопроводящего материала. Основной вклад в излучение антенны дают токовая область излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяется слоями 5 и 4 и экраном 6. Цель достигается введением спирали 2 и слоя 4. 1 ил.

Р W7 У/Л Б W Г7 77i

с

f

477 У7 V71

XXW yWXKX

у- Лу/Х/Х //--//

F

El

Т71 FTl

Т та

R7x1 Г7 ГП

ТУ , // // X

5

В

« ч

9д О)

3IA9

Изобретение относится к антенной технике, а именно к спиральным антеннам.

Цель изобретения - уменьшение вертикального размера.

На чертеже представлена плоская спиральная антенна, разрез.

Плоская спиральная антенна содержит спиральный излучатель I, спираль 2, диэлектрическую подложку 3, дополнительный диэлектрический слой 4, поглощающий слой 5, токопроводящий экран 6, согласующий элемент 7, СВЧ-соединитель 8.

Плоская спиральная антенна работает следующим образом.

От генератора через СВЧ-соединитель 8 и согласующий элемент поступает электромагнитная энергия, возбуждая в точках питания спирального излучателя 1 поверхностную волну. Спиральный излучатель 1 излучает электромагнитную волну как в верхнее полупространство, так и в нижнее, где она возбуждает поверхностную волну в спирали 2. Эта поверхностная волна излучается и складывается синфазно с электромагнитно волной, излучаемой спиральным излучателем 1. При этом электромагнитна

волна, бегущая по ветвям спирали 2 к периферии, затухает, благодаря н lличию поглощающего слоя 5. Поэтому основной вклад в излучение плос- кой спиральной антенны датат токовая область спирального излучателя 1 и сдвинутая по фазе токовая область спирали 2, фаза которой определяетс поглощающим слоем 5, дополнительным диэлектрическим слоем 4 и токопро- водящим экраном 6. Таким образом,

в предложенном устройстве функции резонатора осуществляет дополнительный диэлектрический слой 4 с пог-ло- щающим слоем 5 и спиралью 2. Наилучшие результаты получены в случае, когда на один виток спирального излучателя 1 приходится два витка спирали 2, толщина дополнительного диэлектрического слоя 4 составляет 0,01 А , где Я - максимальная рабочая длина волны, эквивалентное поверхностное сопротивление поглощающего слоя составляет 70 Ом/Q, а расстояние между спиральным излучателем 1 и спиралью 2 равно 0,0313 „, значение относительной диэлектрической проницаемости 2,56.

Это позволяет значительно (/ч,в 4,8 раза) уменьшить габариты плоской спиральной антенны по сравнению с прототипом при одновременном повышении коэффициента усиления на 2,2 дБ в полосе частоты (2:1).

Формула изобретения

Плоская спиральная антенна, содержащая спиральный излучатель, размещенный на диэлектрической подложке, установленной с воздушным зазором над токопроводящим экраном, поглощающий слой и согласующий элемент, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения вертикапьного размера, введена спираль, выполпенная из токопроводящего материала на поглощающем слое соосно со спиральным излучателем, и дополнительный диэлектрический слой, размещенный между токопроводящим экраном и поглощающим слоем.