Модулятор электромагнитного излучения Советский патент 1962 года по МПК H03C7/00 

Известные модуляторы электромагнитного излучения, содержащие полупроводниковый нелинейный элемент, на который воздействуют модулирующие сигналы, не дают возможности получить достаточную глубину модуляции. Кроме того, в подобных модуляторах затруднено согласование источника модулирующего сигнала с нагрузкой.

В описываемом модуляторе существенное увеличение глубины модуляции достигнуто размещением -полуцроводникового модулирующего слоя на уровне внутренней поверхности волновода, по которому проходит модулирующий СВЧ сигнал.

На чертеже схематически изображен предлагаемый модулятор.

Модулирующая пластина / выполнена из слоя полупроводника, например германия типа р. Пластина размещена на металлической подкладке 2, расположенной на уровне внутренней поверхности -верхней широкой стенки 3 .волновода 4, по которому распространяются модулирующие СВЧ колебания. Модулирующий световой поток 5 от источника излучения, не показанного на чертеже, падает на полупрозрачное зеркало 6, отражается от него, :проходит через отверстие 7 в нижней щирокой стенке 8 волновода 4, являющейся зеркалом для модулируемого излученИя, и падает на модулирующую пластину 7.

Металлическая подкладка 2 И участок нижней щирокой стенки 8 волновода 4, расположенный против лодкладки 2, являются зеркалами для (Модулируемого излучения и образуют резонатор. Расстояние между подкладкой 2 и стенкой 8 выбирается из условий резонанса на частоте светового потока 5 (модулируемого излучения).

Число полуволн модулируемого -излучения, укладывающихся между подкладкой 2 и стенкой 8, зависит от глубины проникновения света в слой полупроводниковой модулирующей пластины У, т. е. от коэффициента поглощения модулируемого излучения в Полупроводниковом 1слое и от положения внутри этого слоя области с высокой концентрацией носителей.

Под влиянием электрической составляющей поля модулирующих СВЧ колебаний, распространяющихся чю волноводу 4, происходит период, изменение положения области с высокой концентрацией носителей в полупроводниковом слое, что приводит к изменению эффективного расстояния между прокладкой 2 и стенкой 8, т. е. к периодической расстройке резонатора. В результате изменения настройки резонатора изменяется интенсивность светового потока, выходящего из отверстия 7. ,

Описанное устройство может найти применение при разработке модулируемых квантовых генераторов когерентных колебаний (лазеров) .

Предмет изобретения

Модулятор электромагнитного излучения на полупроводниковом нелинейном элементе, отличающийся тем, что, с целью улучщения прохождения модулирующих колебаний и повышения глубины модуляции, он выполнен IB виде модулирующей лластины из слоя полупроводника, например германия, на металлической подкладке, размещенной на уровне внутренней поверхности волновода с модулирующим СВЧ сигналом против входного отверстия в зеркале для модулируемого излучения, расстояние до которого выбрано из условия резонанса на частоте модулируемого излучения.

у//////у/////).

тт

34

////// a/f/1/ //1 //// f i