Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на ганице раздела полупроводник-диэлектрик Советский патент 1991 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение SU1507138A1

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть Использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда в проводящем канапе от

концентрации заполненных погрг1нг1чньгх электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик .

315

Цель изобретения - увеличение числа определяемых параметров путем обеспечения определения зависимости подвижности носителей заряда от кон- центрации заполненных электронных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник .

На чертеже приведена зависимость холловскон подвижности носителей за- ряда fJf,OT приращения 4N концентрации заполненных электронных состояний, локализованных вблизи границы раздела.

Пример. Измерения проводят, используя холловский МДП-транзистор, изготовленный на кремнии р-типа проводимости. Толщина термического окисла кремния SiO 1800 А. МДП-транзис- тор имеет инверсионный канал с п-ти- пом проводимости.

Для определения зависимости хол- ловской подвижности pj носителей заряда в проводящем канале исследуемого МДП-транзистора от концентрации заполненных пограничных электронных состояний Ni, локализованных вблизи

Ч

границы раздела полупроводник-диэлектрик, осуществляют следующую совокупность операшш,

1.Размещают МДП-транзистор в магнитном поле, ориентированном перпендикулярно плоскости структуры транзистора.

2.Подают напряжение U , на токовые контакты МДП-транзистора.

3.Задают начальное значение потенциала Ud на затворе транзистора.

Д. В течение времени t,

чанного условием

t

ограни:, где

Вычисленное значение R при

потенциала R,

на

на- затвчальном значении

ре Un обозначают ,aix ix

5. Изменяют концентрацию N заполненных электронных состояний посредством полевой, термополевой ин- жекции или фотоинжекции носителей заряда на ЭС или опустошение ЭС по указанным механизмам.

времени v и вычисляют

t ; С,

Новое

н

Изменяют и а на величину Ue

6. В течение измеряют I и Uj значение R

7.

таким образом, чтобы обеспечить выполнение условия Ry R.

8.Измеряют приращение потенциала на затворе jUa .

9.Синхронно с uVл измеряют знач ния I и и.. Вычисляют величину л

о

ПО формуле (1).

10.Повторяют операции 5-9.

11.Вычисляют зависимость от

eN. Величину |и„ рассчитывают по формуле . Величину приращения концентрации заполненных ЭС dN рассчитывают по формуле

/lN

где С, - электрическая емкость единичной площади диэлектрика; q - заряд электрона.

Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает возможности автоматического измерения R и программного изменения и , что необходимо для реализации условия R к const.

Похожие патенты SU1507138A1

название год авторы номер документа
ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА 2008
  • Бланк Владимир Давыдович
  • Горнев Евгений Сергеевич
  • Мордкович Виктор Наумович
  • Терентьев Сергей Александрович
RU2390879C1
Способ определения концентрации свободных носителей заряда в каналах инверсии МДП-транзисторов 1990
  • Веденеев Александр Сергеевич
  • Ждан Александр Георгиевич
  • Рыльков Владимир Васильевич
  • Шафран Андрей Григорьевич
SU1835567A1
Способ определения поверхностного заряда в МДП структурах 1982
  • Кондратенко Тимофей Яковлевич
  • Кононенко Игорь Николаевич
  • Быков Владимир Анатольевич
  • Кузнецов Олег Александрович
SU1078363A1
Способ контроля профиля примеси во встроенном канале МДП - транзистора 1990
  • Титов Александр Николаевич
  • Андрияшик Юрий Романович
SU1777189A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕМРИСТОРА, ХАРАКТЕРИЗУЮЩИХ ПРОЦЕСС ФОРМОВКИ 2015
  • Тихов Станислав Викторович
  • Горшков Олег Николаевич
  • Антонов Иван Николаевич
  • Касаткин Александр Петрович
  • Коряжкина Мария Николаевна
  • Шарапов Александр Николаевич
RU2585963C1
СПОСОБ КУЛОНОМЕТРИЧЕСКОГО ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НАНОСТРУКТУР ТРАНЗИСТОРА n-МОП В ТЕХНОЛОГИЯХ КМОП/КНС И КМОП/КНИ 2010
  • Кабальнов Юрий Аркадьевич
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
RU2439745C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК 2018
  • Тихов Станислав Викторович
  • Антонов Иван Николаевич
  • Белов Алексей Иванович
  • Горшков Олег Николаевич
  • Михайлов Алексей Николаевич
  • Шенина Мария Евгеньевна
  • Шарапов Александр Николаевич
RU2706197C1
Способ определения параметров пограничных состояний на границе раздела полупроводник - диэлектрик 1986
  • Веденеев А.С.
  • Гольдман Е.И.
  • Ждан А.Г.
  • Кузнецов А.В.
SU1429848A1
ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ПРИБОР 2009
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Золотарев Виталий Иосифович
  • Рудаков Григорий Александрович
  • Рыгалин Дмитрий Борисович
  • Федирко Валерий Алексеевич
  • Фетисов Евгений Александрович
  • Хафизов Ренат Закирович
RU2399064C1
Матрица приборов с зарядовой связью 1978
  • Ржанов А.В.
  • Черепов Е.И.
SU719408A2

Иллюстрации к изобретению SU 1 507 138 A1

Реферат патента 1991 года Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на ганице раздела полупроводник-диэлектрик

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения зависимости холловской подвижности носителей заряда проводящем канале от концентрации заполненных пограничных электронных состояний (ЭС), локализованных вблизи границы раздела полупроводник-диэлектрик. Цель изобретения - увеличение числа определяемых параметров путем обгспече- ния определения зависимости подвижности носителей заряда от концентрации заполненных ЭС на границе раздела диэлектрик-полупрородник. Исследуемую ВДП-структуру помещают в магнитное поле, ориентированное перпендикулярно плоскости структуры, подают напряжение между ToKonhibni контактами к пpoвoдящe ry каналу и устанавливают потенциал и„ на затворе структуры. Измеряют ЭДС Холла )„ , падение напряжения U в канале между потенциальными контактами к каналу и силу тока в канале в течение вгемени су- ществопания неравновесного зап лие-- ния ЭС в канале. Изменяют концентрацию N, заполненных ЭС, локализованных вблизи границы раздела, например, полевой инжскцней тюсителей заряда, повторяют измерения U и I и изменяют величину потенциала на затворе таким образом, чтобы при изменении N обеспечить выполнение условия постоянства коэффициента Холла. Измеряют приращение потенциала на затворе лUa, величины I и Uj и повторяют данные операции при других значениях NJ. и вычисляют зависимость ) используя связь мелдцу и Ua и прираще- иием концентрации заполне11)ы.ч ЭС.1 нл. с te сл СП о оо сх

Формула изобретения SU 1 507 138 A1

t,- время релаксации свободного заряда в канале, L характерное время перезарядки ЭС, измеряют силу тока I в проводящем канале, U - падение напряжения между потенциальными контактами к каналу и ЗДС Холла 1). По Измеренным величинам рассчитьгеают коэффициент Холла R ц и электропроводность проводящего канала МДП-транзистора .

Uji IB

RH

. I С

- u b

(1)

t В c Ъ

электропроводность канала величина магнитной индукции}

отношение расстояния с между потенциальными контактами к unipHHe b проводящего канала.

5

0

5

Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом.

На затвор подают напряжение +30 В, отвечающее глубокой инверсии. В этом режиме ЭС заполнены. Затем напряжение на затворе скачком изменяют до некоторого начального значения . В этом режиме ЭС медленно (с характерным временем Сд г 1000 с) перезаряжаются за счет тепловой ионизации. Характерное время установления равновесия в канале , время измерений R и Таким образом условие с Рдреализуется, При измерениях U изменяют таким образом, чтобы в процессе релаксаций R быпо постоянным.Синхронно измеряют значения uU и6 .

На чертеже приведен график зависимости р(лЫ), т.е. In ff линейно изменяется с N .

Таким образом, в данной структуре подвижность обусловлена наличием на границе раздела случайного поля, для которого энергетический масштаб флуктуации потенциала пропорционален N... Соответственно в данных условиях величина

ронных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник, измерения U.J, I и Uj вьтолняют в течение времени t, выбранного из условия Cf

л-.

(

изменяют концентрацию N

зар существенным образом определяется наличием на границе раздела заряженных электронных состояний.

10

f л rijrn n 71IX/ 1 niv II Л t

полненньсх электронных состояний, локализовянньгх вблизи границы ргэде- ла, повторяют измерения U и I, изменяют величину потенциала на затворе структуры на величину /JU - таким обNJ обеспеconst

Формула изобретения

15

величин ДИп, I и Кд, и вычисляют зависимость ХОЛЛОВСКОЙ ПОДВ1П1СНОСТИ НОзаряда р„от изменения N концентрации заполненных э;тектронньрс состояний, где

разом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., многократно изменяют величину концентрации заполненньгх электронных состояний, каждый раз повторяя измер- ния Способ определения электрофизических характеристик проводящих каналов на границе раздела полупроводник- 20 сителей диэлектрик, включающий размещение исследуемой структуры в магнитном поле, орментированном перпендикулярно плоскости структуры, подачу напряжения между токовыми контактами к проводящему каналу, задание потенциала и о на затворе структуры, измерения ЭДС Холла и, силы тока I в проводящем канале, падения напряжения и в канале между потенциальными контактами к каналу и вычисление коэффициента Холла Rj, и электропроводности канала . отличаю25

Мн

6

6R,

L- 6

т- - электропроводность о

канала, с - расстояние между потенциальными контактами, b - ширина

канала, Кц гр, В - магнитная индук30

ция, iSN,

IB

- U,

GO - емкость ди|

щ и и с я тем, что, с целью увеличения числа определяемых параметров путем обеспечения определения зависи- 35 мости подвижности носителей заряда от концентрации заполненных электэлектрика, нормированная на единичную площадь, q - заряд электрона, С - время релаксации свободного заряда в канале, время перезарядки локализованньсх электронных состояний.

ронных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник, измерения U.J, I и Uj вьтолняют в течение времени t, выбранного из условия Cf

л-.

(

изменяют концентрацию N

за

f л rijrn n 71IX/ 1 niv II Л t

полненньсх электронных состояний, локализовянньгх вблизи границы ргэде- ла, повторяют измерения U и I, изменяют величину потенциала на затворе структуры на величину /JU - таким обNJ обесперазом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., многократно изменяют величину концентрации заполненньгх электронных состояний, каждый раз повторяя измер- ния сителей

const

, мног ентраостояр- ния

величин ДИп, I и Кд, и вычисляют зависимость ХОЛЛОВСКОЙ ПОДВ1П1СНОСТИ НОзаряда р„от изменения N концентрации заполненных э;тектронньрс состояний, где

разом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., многократно изменяют величину концентрации заполненньгх электронных состояний, каждый раз повторяя измер- ния сителей

разом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., мно кратно изменяют величину концентра ции заполненньгх электронных состоя ний, каждый раз повторяя измер- ния сителей

Мн

6

6R,

L- 6

т- - электропроводность о

разом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., многократно изменяют величину концентрации заполненньгх электронных состояний, каждый раз повторяя измер- ния сителей

канала, с - расстояние между потенциальными контактами, b - ширина

канала, Кц гр, В - магнитная индук

ция, iSN,

IB

- U,

GO - емкость диразом, чтобы при изменении чить выполнение условия R измеряют величины uUy, I и U., многократно изменяют величину концентрации заполненньгх электронных состояний, каждый раз повторяя измер- ния сителей

электрика, нормированная на единичную площадь, q - заряд электрона, С - время релаксации свободного заряда в канале, время перезарядки локализованньсх электронных состояний.

.

Составитель И.Петрович Редактор Н.Суханова Техред М.Ходанич Корректор Н.Король

Заказ 2145

Тираж 378

ЯНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Проиэводственно-иэлательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,

Ю Hi,C/t

tn

Подписное

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1991 года SU1507138A1

Бугаев В.И
и др
Автоматизированная установка для измерения электропроводности и постоянной Холла
- Электронная техника, 1985, сер
Топка с несколькими решетками для твердого топлива 1918
  • Арбатский И.В.
SU8A1
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1
Способ обработки медных солей нафтеновых кислот 1923
  • Потоловский М.С.
SU30A1
Добровольский В.Н., Литовчен- ко В.Г
Перенос электронов и дырок у поверхности полупроводников
Киев, Наукова думка, 1985, с
Веникодробильный станок 1921
  • Баженов Вл.
  • Баженов(-А К.
SU53A1

SU 1 507 138 A1

Авторы

Байрамов М.А.

Веденеев А.С.

Ждан А.Г.

Даты

1991-04-30Публикация

1987-11-20Подача