Полупроводниковый усилитель мощности Советский патент 1962 года по МПК H03F3/20 

Описание патента на изобретение SU151719A1

Известны полупроводниковые усилители мощности с реостатными связями на транзисторах, работающих в режиме переключения с переменным -коэффициентом заполнения импульсов, которые обычно применяются в регуляторах для усиления сигнала, поступающего с модулятора ширины импульсов.

Предлагаемый полупр|аводниковый усилитель мощности отличается тем, что, с целью получения усиления по мощности и по коэффициенту заполнения импульсов, в эмиттерную часть транзистора второго каскада включен источник постоянного тока с разделительным диодом, между эмиттером и базой этого транзистора помещен конденсатор,, а , между эмиттером и минусом источника питания - сопротивление.

Кроме того, для упрощения схемы взамен источника постоянного тока и диода включен один или несколько стабилитронов в прямом или обратном направлении.

На фиг. I и 2 изображена принципиальная схема предложенного усилителя.

Транзистор TZ открывается в том случае, если конденсатор Ci заряжен с полярностью, как это показано на фиг. а (т е. плюсом к эмиттеру) . Как только транзистор Т откроется, конденсатор Ci начнет заряжаться через сопротивление и транзистор Г; от источника питания с постоянной времени Ti Ci/ 3После того, как транзистор Tj закроется, транзистор Т будет закрыт до тех пор, пока конденсатор Cj не перезарядится через сопротивление RI с постоянной времени T2 JRiCi до напряжения, необходимого для положительного смещения перехода эмиттер - база транзистора Т. Когда конденсатор Cj зарядится, диод Д откроется и весь ток потечет через источник i и диод Д. Последний включается для того, чтобы заряд С) поступал от источника питания, а не от источника Е.

Вместо источника Ei можно поставить в схему несколько диодов в прямом направлении или стабилитронов СТ в прямом или обратном направлении (см. фиг. 2).

Предлагаемая схема позволяет получать пропорциональное удлинение импульсов с модулятора.

Предмет изобретения

1.Полупроводниковый усилитель мощности для систем автоматического регулирования с реостатными связями на транзисторах, работающих в режиме переключения с переменным коэффициентом заполнения импульсов, отличающийся тем, что, с целью получения усиления по мощности и по коэффициенту заполнения импульсов, в эмиттерную цепь транзистора второго каскада включен источник постоянного тока с разделительным диодом, между эмиттером и базой этого транзистора-конденсатор, а между эмиттером и минусом источника питания - сопротивление.

2.Полупроводниковый усилитель мощности по п. 1, отличающийся тем, что, с целью упрощения схемы, взамен источника постоянного тока и диода включен один или несколько стабилитронов в прямом или обратном направлении.

Похожие патенты SU151719A1

название год авторы номер документа
Статический полупроводниковый преобразователь 1961
  • Уан-Зо-Ли Б.Л.
SU148131A1
Статический полупроводниковый преобразователь 1961
  • Уан-Зо-Ли Б.Л.
SU145276A1
Транзисторный многокаскадный преобразователь 1974
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
  • Моин Владимир Самойлович
SU605300A1
Параметрический транзисторный стабилизатор 1981
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
SU964613A1
Транзисторный ключ постоянного тока 1975
  • Уан Зо-Ли Борис Лазаревич
SU746933A1
Импульсный стабилизатор напряжения 1983
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
SU1422226A1
Преобразователь напряжения 1979
  • Лаптев Николай Николаевич
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
  • Завьялов Михаил Петрович
SU819903A1
Синхронизируемый преобразователь напряжения 1973
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
SU665385A1
Тарнзисторный датчик постоянного тока 1974
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
SU555349A1
Ключ 1974
  • Уан-Зо-Ли Борис Лазаревич
SU660254A1

Иллюстрации к изобретению SU 151 719 A1

Реферат патента 1962 года Полупроводниковый усилитель мощности

Формула изобретения SU 151 719 A1

Фиг I

Фиг. 2

SU 151 719 A1

Авторы

Моин В.С.

Нежданов И.В.

Уан-Зо-Ли Б.Л.

Даты

1962-01-01Публикация

1962-02-10Подача