Микрополосковая антенна с осевым направлением излучения Советский патент 1989 года по МПК H01Q13/10 

1

(21)4180175/24-09

(22)12.01.87

(46) 30.1().89.Вк1л. tf 40

(72) И.И.Ананенко и А.А.Кузьмин

(53)621 .396.677 (088.8)

(56)Патент США № 4001834, кл. 343-754, 1975.

(54)МИКРОПОЛОСКОВАЯ АНТЕННА С ОСЕВЫМ . НАНРАВЖНИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ

(57)Изобретение относится к антенной технике и м.б. использовано как в составе антенных решеток, так и в качестве единичного излучателя. Цель изобретения - упрощение конструкции. Для достижения указанной цели диэлектрическая подложка 1 выполнена в виде прямоугольной плястины шириной 0,6 А , где Ti - рабочая длина полны. Полоско- вый возбудитель 3 вьяюлнен в виде полоскового проводника Г-образной формы, при этом 2-й его конец расположен на расстоянии (О,2-0,25) 7i от края подложки 1 параллельного металлическому экрану 5. Экран 5 пересекает экран 2 на расстоянии (О, 021-0,031 2) -Л от его края. Точка соединения питающей полосковой линии 4, изолированной от экрана 5, расположена в плоскости, параллельной экрану 5 и проходящей через край экрана 2 . При изготовлении антенны можно использовать простые методы (метод фотопечати) без привлечения дополнительных технологических процессов для ее сборки (пайка штырей и др.). Такая конструкция антенны обеспечивает надежность при проведении климатических и механических испытаний. 1 ил.

сл

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано как в составе антенных решеток, так и в качестве единичного излучателя. Цель изобретения - упрощение конструкции. Для достижения указанной цели диэлектрическая подложка 1 выполнена в виде прямоугольной пластины шириной 0,6λ, где λ - рабочая длина волны. Полосковый возбудитель 3 выполнен в виде полоскового проводника Г-образной формы, при этом 2-й его конец расположен на расстоянии (0,2-0,25)λ от края подложки 1, параллельно металлическому экрану 5. Экран 5 пересекает экран 2 на расстоянии (0,021-0,0312)λ от его края. Точка соединения питающей полосковой линии 4, изолированной от экрана 5, расположена в плоскости, параллельной экрану 5 и проходящей через край экрана 2. При изготовлении антенны можно использовать простые методы (метод фотопечати) без привлечения дополнительных технологических процессов для ее сборки (пайка штырей и др.). Такая конструкция антенны обеспечивает надежность при проведении климатических и механических испытаний. 1 ил.

Изобретение относится к антенной технике и может быть использовано как в составе антенных репшток, так и в качестве единичного излучателя.

Цель изобретения - упрощение конструкции.

На чертеже представлена структурная схема микрополосковой антенны с осевым направлением излучения.

Микрополосковая ги(генна с осевым направлением излучения содержит диэлектрическую подложку I, на одной стороне которой рлспо.чсшен первый металлический экран 2. ,ч на другой - полосковый возбудител. 3, соединен- ньй первым концом с глп яющей полосковой Линией 4, и нтсч ой металлический

экран 5, размещенный перпендикулярно диэлектрической подложке 1 и пересекающий ее. Диэлектрическая подложка 1 выполнена в виде прямоугольной пластины шириной 0,6 i , где А - рабочая длина волны. Колосковый возбудитель 3 вьтолнен в виде полоскового проводника Г-образной формы, при этом второй его конец расположен на расстоянии (0,2-0,25) у от края диэлектрической подложки I, параллельно второму металлическому экрану 5, Второй металлический экран 5 пересекает первый металлический экран на расстоянии (0,021-0,031 2) Д от его края. Точка соединения питающей полосковой линии 4, изолированной от второго металлиСл

00

00 4 ()

ческого экрана 3. расположенл в плоскости, параллельной второму металлическому экрану 5 и проходящей чере-э край первого металлического экрана 2

Микронолосковая антенна с осевым направлением излучения работает следующим образом.

СВЧ-волна, поступанчцая на вход питающей полосковой линии 4, с помощью полоскового возбудителя 3 и металлической полосы первого металлического экрана 2 1иириной (0,021- 0,0312) Л преобразуется из волны типа ТЕМ в волну с горизонтал1 ной поляризацией э/1ектрического поля Е, которая излучается в направленш диэлектрической подложки 1 , Выбранная ninpiwa диэлектрической подложки 1 и выбранное расстояние от края диэлектрической подложки до второго конца полоскового возбудителя 3 обеспечивает излучение СВЧ-энергии с минимальными потерями и оптимальным согласованием. По сравнению с прототипом в микрополосковой антенне с осевым направлением излучения не требуются дополнительные замыкающие штыр , симметрирующие устройства, что позволяет использовать при ее изготовлении простые методьг (метод фотопечати) без привлечения дополнительных технологических процессов для ее сборки (пайка штырей и др.), Такая ко}{струкция микрополосковой антенны с осевым направлением излуче

5

0

5

0

5

кии оПрглйч ивает )гт1, при проведении климатических и механических испытаний .

Формула изобретения

Микрополосковая антенна с осевым направлением излучения, содержащая диэлектрическую подложку, tia одной стороне которой расположен первый металлический экран, а на другой - полосковый возбудитель, соедине}(ный первым концом с питаюп1ей полосковой линией, и второй металлический экран, разме ценный перпендикулярно диэлектрической подложке и пересекающий ее, отличающаяся тем, что, целью упрощения конструкции, дизлектри- ческая подложка вьтолнена в виде прямоугольной пластины, шириной 0,Ь , где Л - рабочая длина волны, полоско-. вый возбудитель выполнен в виде полоскового проводника Г-обраэной формы, при этом второй его конец расположен на расстоянии (О, 2-0,25) i от края диэлектрической подложки, параллельно второму металлическому экрану, второй металлический экран пересекает первый металлический экран на расстоянии (0,02 1-0,03 1 2) от его края, а точка соединения питающей полосковой пинии, изолированной от второго металлического экрана, расположена в плоскости, параллельной второму металлическому экрану и проходящей через край первого металлического экрана.