Полупроводниковый германиевый прибор Советский патент 1962 года по МПК H01L29/06 

Полупроводниковые германиевые приборы для изменения длительности импульсов тока в результате накопления з объеме полупроводника неосновных носителей тока известны.

Предлагаемый полупроводниковый германиевый прибор позволяет получить удлинение импульсов тока в результате накопления неосновных носителей тока в его базовой области.

Этот прибор отличается от известных тем, что вблизи области р эмиттера создана п+ область, которая служит первой базовой областью, вторая базовая область, предусмотренная в приборе, выполнена в виде П-П+ или п-р переходов и, кроме того, предусмотрен дополнительный р-п переход-экстрактор, на который подано регулируемое запирающее напряжение.

Такое выполнение прибора позволяет получить возможность безынерционной регулировки длительности выходного -импульса независимо от амплитуды входного при постоянной выходной амплитуде, а также плоскую вершину выходного импульса.

На фиг. 1 изображена схема предлагаемого полупроводникового германиевого прибора; на фиг. 2 - схема его включения; на фиг. 3- зависимость длительности выходного импульса от амплитуды входного (при ,8 ком, U-3Q е, tg, 0,1 мксек); на фиг. 4 - зависимость длительности выходного импульса от длительности входного (при RH 2,8 ком, и 30 в, ,5 в).

Работа предлагаемого полупровод.кикового германиевого прибора основана на изменении проводимости германия инжектированным зарядом неосновных носителей. Если через р-п переход 1 (фиг. 1 н 2} инжектировать неосновные носители в пластинку 2 германия, то ноле.

. N« 152031 - 2 -

. «RJ-. 1

возникшеейри приложении внешнего напряжения к пластинке 2, заставит дрейфовать HeocHOEHbie носители от перехода / в объем германия. При достижении максимальной величины заряда в первой базе 5 проводийость ее достигнет максимума. К моменту прекращения инжектирующего импульса проводимость первой базы 3 не восстанавливается до первоначального значения, а изменяется в соответствии с изменением величины за1ряда неосновных носителей, обусловленным рекомбинацией в объеме и на подводящих контактах. Только после полной ре комбинации заряда неосновных носителей проводимость первой базы -i ггримет свое первоначальное значение. Поэтому импульс на сопротивлении 4 (фиг. 2) (RH), включенном последовательно со второй базой 5. станет длиннее входного. Наибольшим будет удлинение импульсов, длительность которых меньше времени жизни неосновных носителей и меньше времени пролета иосителей в первой базе 3.

В случае изготовления удлинителя из высокоомного материала выходной импульс в результате большого падения входного импульса и накопления заряда неосновных носителей вблизи перехода / получается модулированным по амплитуде. Для устранепия модуляции область 6 в непосредственной близости от эмиттерного перехода / должна быть ииэкоомной. Верщина выходного импульса при этом получается плоской и не искажается при увеличении амплитуды входного импульса.

Вторая база 5 выполняется или в виде л-п+ или п-р перехода. В первом случае через вторую базу 5 протекает постоянный начальный ток, определяемый удельным сопротивлением германия, геометрией образца и величиной приложенного напряжения. Во втором случае ток через базу 5 уменьшается до величины обратного тока.

Пепрерывное изменение длительности выходного импульса без изменения амплитуды можно получить в результате экстракции заряда неосновных носителей донолнительным п-р нереходом 7, включенным в обратном направлении. Изменением величины обратного напряження на переходе / можно менять непрерывно длительность выходного импульса от максимального до минимального значения. Минимальное значение длительности получается при условии, что все инжеКтированные в первую базу 3 носители сразу отсасываются экстрагирующим переходом 7. В этом случае длительность выход;- ого импульса будет близка к длигельности входного, так как проводимость первой базы 3 меняется только в течение времени инжекции неосновных носителей.

Предлагаемый полупроводниковый прибор для удлипения импульсов может использоваться в кодопых системах, запоминающих и счетнор еш а ющих устройствах.

П р е ,( м е т и 3 о б р е т е н и я

По,лупрОВОДникоЕЫЙ германиевый прибор с двумя базовыми областями и эмиттерпым переходом, служащий для изменения длительности импульсов в результате накопления неосновных носителей тока в объеме полупроводника, отличающийся тем, что, с целью получе1П Я плоской вер1П ;ны выходного имцульса и из.мснепия его длительности независимо от величины амплигуды входного импульса, первая базовая область, расположенная вблизи эмиттерного перехода, выпол1;ена низкоомной типа, вторая базовая область выполнена в виде / -/-+ или п-р Переходов, а со п типа второй базовой областм предус.мотреи дополнительный п-р переход-экстрактор, на который поДопо регулируемое запирающее напряженпе.

; -

/

L

(У/ O/f 0,6 0,6 Фиг.З

incma

3,