Полупроводниковый диод для переключения на СВЧ Советский патент 1962 года по МПК H01P1/15 

Полупроводниковые диоды для переключения на СВ.Ч известны. В этих диодах используется изменение импеданса р-п-перехода под действием приложенного напряжения.

В предлагаемом диоде, предназначенном для переключения на СВЧ, используется принцип резонансов.

Сущность изобретения заключается в том, что для получения в по.лупроводниковом диоде двух резко отличающихся значений импеданса .диода, одно из которых соответствует состоянию пропускания, а другое - состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смещения имеет место резонанс в параллельном контуре: т ндуктивность вывода-емкость патрона, а при отрицательном - резонанс в последовательном контуре: индуктивность вывода - емкость запорного слоя.

На чертеже представлена эквивалентная схема диода, включенного в линию передачи.

Схема диода включает в себя: индуктивность L контактной пружины, емкость С - запорного слоя, сопротивление г объема полупроводника, емкость С -патрона.

Для переключения в целях СВЧ используется резонанс, возникающий либо в параллельном, либо в последовательном контуре (в зависимости от знака напряжения смещения).

При достаточно положительном смещении запорный слой исчезает :и эквивалентная схема сводится к параллельному контуру .

Если L и С„ выбраны так, что на рабочей частоте coL -, то

№ 152035- 2 -

эквивалентное сопротивление контура будет высоким: , что

соответствует нри данном включении диода пропускному состоянию. Когда же подано отрицательное смещение и напряжение смещения

подобрано так, что a)L -- (С - зависит от напряжения), возникает

шС

последовательный резонанс, -и остаточное сопротивление, равное приблизительно г, мало. Это соответствует состоянию запирания (при параллельном включении диода в линию передачи).

Из изложенного следует, что нелинейное сопротивление р-п-перехода, не показанное на чертеже, можно не рассматривать, так как оно либо очень велико - при отрицательном напряжении смещения, либо равно практически нулю - при положительном смещении.

Диод может быть выполнен различной конструкции.

Предмет изобретения

Полупроводниковый диод для переключения на СВЧ, отличающийся тем, что, с целью получения двух резко отличающихся значений импеданса диода, одно из которых соответствует состоянию, пропускания, а другое состоянию запирания, величины емкостей патрона и запорного слоя и индуктивности вывода выбраны такими, что при положительном напряжении смещения имеет место резонанс в параллельном контуре: индуктивность вывода - емкость патрона, а при отрицательном - резонанс в последовательном контуре: индуктивность вывода - емкость запорного слоя.

Сп