Способ записи информации в монокристалле LINBO @ Советский патент 1989 года по МПК G11C11/42 

Описание патента на изобретение SU1524091A1

(Л С

Похожие патенты SU1524091A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ 2011
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Негашев Станислав Александрович
  • Аликин Денис Олегович
RU2485222C1
Способ формирования оптического волновода в кристалле ниобата лития 2023
  • Романенко Дмитрий Константинович
  • Щукин Александр
  • Бодренин Виктор Евгеньевич
  • Перин Антон Сергеевич
RU2795387C1
Способ голографической записи 1976
  • Баркан Иосиф Борисович
  • Маренников Сергей Иванович
  • Энтин Матвей Вульфович
SU661489A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2011
  • Малинкович Михаил Давыдович
  • Антипов Владимир Валентинович
  • Быков Александр Сергеевич
RU2492283C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА 2010
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Ахматханов Андрей Ришатович
  • Конев Михаил Владимирович
RU2439636C1
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2014
  • Педько Борис Борисович
  • Сорокина Ирина Ивановна
  • Бойцова Кристина Николаевна
RU2558898C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ 2013
  • Малинкович Михаил Давыдович
  • Быков Александр Сергеевич
  • Григорян Седрак Гургенович
  • Жуков Роман Николаевич
  • Киселев Дмитрий Александрович
  • Кубасов Илья Викторович
  • Пархоменко Юрий Николаевич
RU2566142C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА 2008
  • Шур Владимир Яковлевич
  • Батурин Иван Сергеевич
  • Негашев Станислав Александрович
  • Кузнецов Дмитрий Константинович
RU2371746C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛЕ КАЛИЙТИТАНИЛФОСФАТА ДЛЯ НЕЛИНЕЙНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 1992
  • Бурицкий К.С.
  • Дианов Е.М.
  • Маслов В.А.
  • Черных В.А.
  • Щербаков Е.А.
RU2044337C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ 2009
  • Борисов Евгений Николаевич
  • Грунский Олег Сергеевич
  • Курочкин Алексей Викторович
  • Поволоцкий Алексей Валерьевич
RU2425405C2

Реферат патента 1989 года Способ записи информации в монокристалле LINBO @

Изобретение относится к записи информации и воспроизведения записи оптическими средствами. Целью изобретения является повышение надежности способа записи информации в монокристалле LINBO3 полярного среза. Способ заключается в том, что на полярный срез монокристалла LINBO3 накладывают проводящую маску, повторяющую записываемую информацию, кристалл нагревают до 140°С и охлаждают до комнатной температуры, маску снимают. Считывание записанного изображения осуществляется при помещении кристалла между скрещенными поляроидами и наблюдении кристалла на просвет.

Формула изобретения SU 1 524 091 A1

Изобретение относится к области записи информации и воспроизведения записи оптическими средствами и может быть использовано для записи, воспроизведения и долгосрочного хранения информации.

Целью изобретения является повышение надежности способа записи информации в монокристалле LiNbOj за счет существенного упрощения способа формирования оптического изображения, пpимeнeflия более простой технологии.

Способ записи.информации в монокристалле LiNbO, заключается в нагревании и последующем охлаждении полярного среза монокристалла LiNbO, на который до нагревания накладывают проводящую маску, повторяющую форму оптического изобра-кения. Нагревают кристалл до 120-140°С, охлаждают, снимают маску. В результате этого

на поверхности кристалла формируется оптическое изображение, повторяющее форму проводящей маски. Считывание оптического изображения осуществляется при помещении кристалла между скрещенными поляроидами и наблюдении кристалла на просвет.

Физическая сущность способа записи информации основана на том, что кристалл ниобата лития является сильным пироэлектриком. В процессе нагревания от 20 до 140°С на поверхности кристалла наблюдается появление пироэлектрического заряда, который перераспределяется в соответствии с формой проводящей маски. При охлаждении носителя заряда, экранирующие поля спонтанной поляризации, захватываются на ловушки в местах, где отсутствует проводник, а в областях, соприкасающихся б проводником, поле

315

спонтанной поляризации экраиируется носителями заряда в-объеме проводника.

Таким образом, распределение заряда, находящегося в кристалла ниобата лития, отражает форму проводящей маски. После удаления проводящей маски на поверхности кристалла остается изображение.

В основе способа лежит обнаруженная авторами возможность изменения распределения поверхностных электрических полей на полярных срезах монокристаллов LiNbOj путем изменения распределения поверхностного зкрани- ругацего заряда. Появление оптических изображений становится возможным

вследствие локального электрооптического зффекта, обусловленного неоднородным распределением электрических полей, имегацих компоненты, перпенди кулярные полярной оси кристалла.

Формула изобретения Способ записи информации в монокристалле LiNbOj заключающийся в нагревании и последукщем охлаждении монокристалла LiNbOj, отличающийся тем, что, с целью повьше- ния надежности способа, перед нагреванием на полярный срез монокристалла LiNbO накладывают проводящую маску, отображающую изображение записываемой информации.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1989 года SU1524091A1

Справочник по лазерам
М,: Советское радио, 1978, ,с.309-394
Контрольный висячий замок в разъемном футляре 1922
  • Назаров П.И.
SU1972A1
I

SU 1 524 091 A1

Авторы

Педько Борис Борисович

Рудяк Владимир Моисеевич

Даты

1989-11-23Публикация

1987-11-20Подача