(Л С
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ | 2011 |
|
RU2485222C1 |
Способ формирования оптического волновода в кристалле ниобата лития | 2023 |
|
RU2795387C1 |
Способ голографической записи | 1976 |
|
SU661489A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2011 |
|
RU2492283C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА | 2010 |
|
RU2439636C1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2014 |
|
RU2558898C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ БИДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИНАХ МОНОКРИСТАЛЛОВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ | 2013 |
|
RU2566142C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЕ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКОГО СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА | 2008 |
|
RU2371746C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ДОМЕННОЙ СТРУКТУРЫ В КРИСТАЛЛЕ КАЛИЙТИТАНИЛФОСФАТА ДЛЯ НЕЛИНЕЙНОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 1992 |
|
RU2044337C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ | 2009 |
|
RU2425405C2 |
Изобретение относится к записи информации и воспроизведения записи оптическими средствами. Целью изобретения является повышение надежности способа записи информации в монокристалле LINBO3 полярного среза. Способ заключается в том, что на полярный срез монокристалла LINBO3 накладывают проводящую маску, повторяющую записываемую информацию, кристалл нагревают до 140°С и охлаждают до комнатной температуры, маску снимают. Считывание записанного изображения осуществляется при помещении кристалла между скрещенными поляроидами и наблюдении кристалла на просвет.
Изобретение относится к области записи информации и воспроизведения записи оптическими средствами и может быть использовано для записи, воспроизведения и долгосрочного хранения информации.
Целью изобретения является повышение надежности способа записи информации в монокристалле LiNbOj за счет существенного упрощения способа формирования оптического изображения, пpимeнeflия более простой технологии.
Способ записи.информации в монокристалле LiNbO, заключается в нагревании и последующем охлаждении полярного среза монокристалла LiNbO, на который до нагревания накладывают проводящую маску, повторяющую форму оптического изобра-кения. Нагревают кристалл до 120-140°С, охлаждают, снимают маску. В результате этого
на поверхности кристалла формируется оптическое изображение, повторяющее форму проводящей маски. Считывание оптического изображения осуществляется при помещении кристалла между скрещенными поляроидами и наблюдении кристалла на просвет.
Физическая сущность способа записи информации основана на том, что кристалл ниобата лития является сильным пироэлектриком. В процессе нагревания от 20 до 140°С на поверхности кристалла наблюдается появление пироэлектрического заряда, который перераспределяется в соответствии с формой проводящей маски. При охлаждении носителя заряда, экранирующие поля спонтанной поляризации, захватываются на ловушки в местах, где отсутствует проводник, а в областях, соприкасающихся б проводником, поле
315
спонтанной поляризации экраиируется носителями заряда в-объеме проводника.
Таким образом, распределение заряда, находящегося в кристалла ниобата лития, отражает форму проводящей маски. После удаления проводящей маски на поверхности кристалла остается изображение.
В основе способа лежит обнаруженная авторами возможность изменения распределения поверхностных электрических полей на полярных срезах монокристаллов LiNbOj путем изменения распределения поверхностного зкрани- ругацего заряда. Появление оптических изображений становится возможным
вследствие локального электрооптического зффекта, обусловленного неоднородным распределением электрических полей, имегацих компоненты, перпенди кулярные полярной оси кристалла.
Формула изобретения Способ записи информации в монокристалле LiNbOj заключающийся в нагревании и последукщем охлаждении монокристалла LiNbOj, отличающийся тем, что, с целью повьше- ния надежности способа, перед нагреванием на полярный срез монокристалла LiNbO накладывают проводящую маску, отображающую изображение записываемой информации.
Справочник по лазерам | |||
М,: Советское радио, 1978, ,с.309-394 | |||
Контрольный висячий замок в разъемном футляре | 1922 |
|
SU1972A1 |
I |
Авторы
Даты
1989-11-23—Публикация
1987-11-20—Подача