Способ контроля качества поверхности электропроводящих объектов Советский патент 1989 года по МПК G01N27/82 

(21)i 2l5l80/25-28

(22)25.03.87

) 30.11.89. Бюл. fr k

(71)Омский институт инженеров железнодорожного транспорта

(72)В.А.Исаков, Р.А.Лхмеджанов и Ю.А.Попков

(53) 620.179.1 (088.8)

(56J Авторское свидеГельство СССР

М- , кл. G 01 N 27/82, 1982,

Авторское свидетельство СССР 1224707, кл. G 01 и 27/90, 1906.

Блинов Л.М. Электре- и магнитооптика жидких кристаллов, М,, 1978, с.100-288.

Авторское свидетельство СССР ff 781687, кл. G 01 N , 1969. (5) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОВЕРХНОСТИ электропрово 1ящих ОБЪЕКТОВ

(57) Изобретение относится к нераэ- рушающему контролю качества материалов и может быть использовано для

обнаружения дефектов в поверхностном слое объекта. Цель изобретения - повышение достоверности контроля за счет использовсчния холестерических жидких кристаллов в качестве магнито- управляемой дифракционной решетки. Цель достигается тем, что регистрация параметров результирующего электромагнитного поля, несущего информацию о качестве поверхности контролируемого 5, осуществляют при помощи определения параметров дифракционной картины, .олучаемой при магнитис i анизотрс (ией, помещенного в результирующее электромагнитное поле так, чтобы ось холесте- рической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля, параллельным пучкам монохроматического света, под углом, отвечакхцим условию селективного его отражения, 3 ил.

СЛ

Изобретение относится к области неразрушающего контроля качества материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в поверхностном слое объекта. Целью изобретения является повышение достоверности контроля за счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки. Цель достигается тем, что регистрация параметров результирующего электромагнитного поля, несущего информацию о качестве поверхности контролируемого объекта 5, осуществляют при помощи определения параметров дифракционной картины, получаемой при освещении поверхности слоя 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией, помещенного в результирующее электромагнитное поле так, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля, параллельным пучкам монохроматического света, под углом, отвечающим условию селективного его отражения. 3 ил.

Изобретение относится к неразрушающему контролю качества материалов и может быть использовано для обнаружения дефектов в поверхностном слое объектов.

Цель изобретения - повышение достоверности контроля за счет использования холестерических жидких кристаллов в качестве магнитоуправляемой дифракционной решетки.

На фиг. 1 изображено устройство для реализации способа; на фиг. 2 - сравнительная картина расположения и интенсивность дифракционных макси- мумов над бездефектным (кривая 1) и дефектным (кривая 2) участками контроля; на фиг. За,б,в - схематическое изображение раскручивания холестери- ческой спирали под действием внешнего поля (а - при отсутствии приложенного электромагнитного поля; б - в при ложенном поле, меньшем критического; в - в поле, большем критического).

Устройство для осуществления спо- соба содержит источник электромагнитного поля в виде вихретокового преобразователя 1, слой 2 холестери- ческого жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией, расположенной так, чтобы ось Z его холестерической спирали была перпендикулярна магнитным силовым линиям поля Н, источник 3 параллельного пучка монохроматического света, имекмчий возможность регулировать угол падения пучка, приемно-регистрирующий блок , выполненный с возможностью регулировки угла приема отраженного от поверхности слоя 2 жидкого крис- талла пучка монохроматического света Слой 2 жидкого кристалла размещается над объектом 5.

На фиг. 2 обозначено:

Igg - интенсивность дифракционного максимума на бездефектном участке или на воздухе;

In - интенсивность дифракционной картины в точке фиксации положения дифракционного максимума при наличии дефекта;

А - длина волны падающего монохроматического света;

Psa период спирали жидкого кристалла при отсутствии дефекта;

Pfl - период спирали жидкого кристалла при наличии дефекта;

3 - угол дифракции;

-. Q

5

5

5

Z - ось холестерической спирали жидкого кристалла.

Способ осус дествляют следующим образом.

В объекте 5 контроля при помощи вихретокового преобразователя 1 возбуждают вихревые токи. В результирующее электромагнитное поле, несущее информацию о состоянии поверхности объекта контроля, помещают слой 2 холестерического жидкого кристалла с положительной диамагнитной анизотропией так, чтобы ось Z его холестерической спирали была перпендикулярная магнитным силовым линиям поля Н. Освещают под углом поверхность слоя 2 холестерического жидкого кристалла параллельным пучком монохроматического света от источника 3 света, добиваются селективного отражения и при помощи приемно-регистрируюцего блока t фиксируют возникающую дифракционную картину в отраженных лучах. Определяют положение и интенсивность дифракционных максимумов, сканируя устройство вдоль поверхности объекта 5 контроля, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки.

По состоянию жидкого кристалла определяют качество поверхности.

Способ позволяет проводить оценку качества электропроводящих объектов сложной формы при значительно меньшем влиянии на результаты контроля полей, автоматизировать процесс регистрации картины на жидком кристалле, упростить технологию контроля.

Формула изобретения

Способ контроля качества поверхности электропроводящих объектов, заключающийся в том, что контролируемый объект с размещенной на его поверхности жидкокристаллической ячейкой помещают е электромагнитное поле и определяют состояние жидкого кристалла, по которому определяют качество поверхности, отличающий- с я тем, что, с целью повышения достоверности контроля, контролируемый объект размещают перпендикулярно силовым линиям электромагнитного поля, в качестве жидкокристаллической ячейки используют слой холестерического жидкого кристалла с положительной

диамагнитной анизотропией, который ориентируют в электромагнитном поле так, чтобы ось холестерической спирали была перпендикулярна силовым линиям поля, поверхность слоя холесте- рического жидкого кристалла освещают параллельным пучком монохроматического света, направленным под углом

падения лучей, соответствующим селективному отражению, фиксируют в отраженных лучах возникающую дифракционную картину, определяют положение и ин-тенсивность дифракционных максимумов, которые используют в качестве информативных параметров состояния жидкокристаллической ячейки.

7.IL, Sin f Sd