Полосковый выключатель Советский патент 1989 года по МПК H01P1/15 

1

(21)4361055/24-09

(22)07.01.88 - , (46) 30.11.89, Бюл. № 44

(71)Новосибирский электротехнический институт

(72)В.П.Разинкин и Б.Г.Перлин

(53)621.372.837 (088.8)

(56)Авторское свидетельство СССР

№ 964793, кл, Н 01 Р 1/15, опублик. 1982.

Авторское свидетельство СССР № 1185437, кл. Н 01 Р 1/15, опублик. 1985.

(54)ПОЛОСКОВЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ

(57)Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение потерь запирания. В полосковом выключателе при подаче отрицательного управляющего напряжения полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую проводимость и не шунтируют области связи 6 и 7. Это обеспечивает возбз ждение щелевых резонаторов, образованных замкнутой щелевой линией 5 з также конденсаторами П и 12. При этом полупроводниковый диод 10 имеет высокую проводимость и пгунтирует отрезок 1, что повышает потери запирания. При подаче положительного управляющего напряжения диоды 8 и 9 имеют высокую проводимость и шунтируют линию 5 в областях связи 6 и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов.Диод 10 имеет малую проводимость и практически не шунтирует отрезок I, по которому электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями. Выбор расстояния между областями связи 6 и,7 равным (где Л - длина волны в отрезке 1 микрополосковой линии передачи), обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5. 1 шт.

Изобретение относится к радиотехнике. Цель изобретения - увеличение потерь запирания. В полосковом выключателе при подаче отрицательного управляющего напряжения полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую проводимость и не шунтируют области связи 6 и 7. Это обеспечивает возбуждение щелевых резонаторов, образованных замкнутой щелевой линией 5, а также конденсаторами 11 и 12. При этом полупроводниковый диод 10 имеет высокую проводимость и шунтирует отрезок 1, что повышает потери запирания. При подаче положительного управляющего напряжения диоды 8 и 9 имеют высокую проводимость и шунтируют линию 5 в областях связи 6 и 7, тем самым препятствуя возбуждению образованных ими щелевых резонаторов. Диод 10 имеет малую проводимость и практически не шунтирует отрезок 1, по которому электромагнитные колебания распространяются с малыми потерями. Выбор расстояния между областями связи 6 и 7 равным λ_N/2 / где λ_N - длина волны в отрезке 1 микрополосковой линии передачи/ обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5. 1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для коммутации сигналов.

Целью изобретения является увеличение потерь запиранияо

На чертеже изображена конструкция полоскового выключателя.

Полосковый выключатель содержит отрезок 1. микрополосковой линии передачи, включающей диэлектрическую подложку 2, на одной стороне которой расположен полосковьй проводник 3, а на другой стороне - слой металлизации 4, в котором выполнена замкнутая щелевая линия 5 передачи, которая

размещена симметрично относительно продольной оси отрезка 1 и злектро- магнитно связана с ним первой и вто- .рой .областями связи 6 и 7. Первый и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 включены в замкнутую щелевую линию 5 в первой и второй областях связи 6 и 7 соответственно. Третий полупроводниковый диод 10 включен между полосковым проводником 3 и слоем металлизации 4 посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами 8 и 9 противоположно им. Длина замкнутой щелевой линии 5 выбрана равной 2 Лц , где Лц - длина волны в замкну

а

toft щелевой линии 5 на рабочей часто- jre, а расстояние между первой и вто- ()ой областями связи 6 и 7 выбрано Ьавным , где Ар - длина волны 1 отреаке 1 на рабочей частотеоПервъгй |сонденсатор 11 включен в замкнутую 1|1елевую линию 5 на расстоянии ц /4 т первого полупроводникового диода 15, Второй конденсатор 12 включен в :|амкнутую щелевую линию 5 на расстояниях Л ц/2 и от первого конденсатора 11 и от первого полупроводнико иого диода 8 соответственное

Полосковый выключатель работает

следующим образомв

При подаче отрицательного управляющего напряжения первый и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют малую проводимость и не шунтируют первую и торую области связи 6 и 7, что обеспечивает возбуждение щелевьпс резонато ров, образованных замкнутой щелевой линией 5, а также первьш и вторым кон денсаторами 11 и 12, При этом третий полупроводниковь1Й диод 10 имеет высокую проводимость и шунтирует отрезок , что .повьшает потери запирания.

При подаче положительного управ- J|Iяющeгo напряжения первьш и второй полупроводниковые диоды 8 и 9 имеют кысокую проводимость и шунтируют замкнутую щелевую линию 5 в первой и второй областях связи 6 и 7, тем (;амым препятствуя возбуждению образо- фанных ими щелевых резонаторов Тре- |гий полупроводниковый диод IО имеет малую проводимость и практически не фунтирует отрезок 1, по которому :Мектромагнитные колебания распрост- раняются с малыми потерями.

Выбор расстояния между первой и IB то рой областями связи 6 и 7 равным обеспечивает снижение излучения замкнутой щелевой линией 5

Формула изобретения

Полосковый выключатель, содержащий отрезок микрополосковой линии передачи, включающий диэлектрическую подложку, на одной стороне которой расположен полосковый проводник, а на другой стороне - слой металлизации, в котором выполнена замкнутая щелевая линия передачи, которая размещена симметрично относительно продольной оси отрезка микрополосковой линии передачи и электромагнитно связана с ним первой и второй областями связи, первый полупроводниковый диод взЙтючен в замкнутую щелевую линию передачи в первой области связи, а первый конденсатор включен в замкнутую щелевую линию передачи на расстоянии Лщ/А от первого полупроводникового диода, где А ц - длина волны в замкнутой щелевой линии передачи на рабочей частоте, отличающийся тем, что, с целью повьппения потерь запирания, длина замкнутой щелевой линии передачи выбрана равной 2 Лщ, расстояние между первой и второй областями связи выбрано равным Лц/2, где i - длина волны в отрезке микрополосковой линии передачи на рабочей частоте, введены второй и третий полупроводниковые диоды и второй конденсатор, который включен, в замкнутую щелевую линию передачи на расстояниях Лц/ от первого полупроводникового диода и от первого конденсатора, второй полупроводниковый диод включен в замкнутую щелевую линию передачи во второй области связи од- нополярно первому полупроводниковому диоду, а третий полупроводниковьй диод включен между полосковым проводником и слоем металлизации, посередине между первым и вторым полупроводниковыми диодами противополярно им.