Преобразователь уровней Советский патент 1990 года по МПК H03K19/175 H03K19/94 

ел

оо

со го со

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигналов МДП-транзисторной P-канальной логики со схемами на биполярных транзисторах. Целью изобретения является расширение области применения преобразователя. Введение двух дополнительных МДП-транзисторов 3 и 4 с индуцированным P-каналом, двух диодов 7 и 8 и конденсатора 6 позволяет получить на выходе преобразователя двухполярное напряжение /при одном источнике питания/, что дает возможность осуществить согласование с различными схемами на биполярных транзисторах. 1 ил.

8

j

1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для согласования уровней логических сигна лов МДП-транзисторной р-канальной логики (р-МДПТЛ) со схемами на биполярных транзисторах {например, ТТЛ). Целью изобретения является расши- рение области применения преобразователя за счет получения на выходе двух Полярного напряжения (при одном источнике питания).

На чертеже представлена электрическая схема преобразователя уровней.

Преобразователь уровней содержит первый МДП-транзистор 1 с р-каналом, второй 2, третий 3 и четвертый k МДЛ- транзисторы с индуцированным р-кэна- jhoM, резистор 5, конденсатор 6 и первый 7 и второй 8 диоды.

МДП-транзистор 1 может иметь как индуцированный, так и встроенный канал. Входная клемма устройства подключена к затвору МДП-транзистора 1, ис- Ток которого подключен к общей шине, катодам диодов 7 и 8 и одному выводу резистора 5, другой вывод которого Подключен к истоку МДП-транзистооа k, первому выводу конденсатора 6 . и выходной клемме. Второй вывод кон- денсатора 6 подключен к стоку МДП- Транзистора 1, истоку МДП-транзистора Ј, аноду диода 7, затвору МДП-транзи- Ьтора k, сток которого подключен к клемме источника питания, стоку МДП- транзистора 3, стоку и затвору МДП- (гранзистора 2, исток которого подключен к затвору МДП-транзистора 3 и аноду диода 8. Подложки МДП-транзис- горов 1, 2, 3 и b могут быть соедине- ны со своими истоками или же с общей шиной устройства (заземлены).

Поскольку к стоку и затвору МДП- гранзистора 2 приложено напряжение Еп, то напряжение на его истоке будет равно En-V0.

Аналогичным образом получается, что при закрытом МДП-транзисторе 1 напряжение на истоке МДП-транзистора 5 равно En-2V0 , а на истоке МДП-тран зистора 4 (выходной клемме) имеет место (отрицательное) напряжение логической единицы V6(L« Ел - 3V0 . Таким образом, величина vЈwx определяется параметрами МДП-транзисторов (и их количеством). Поскольку при этом разница в напряжениях на выводах конден- сатора 6 примерно равна V0 , то до этого напряжения он и заряжается.

При открытом МДП-транзисторе 1 между выходной клеммой и общей шиной появляется напряжение логического нуля Ґй°„,х V0 (плюс на выходной клемме), т.е. напряжение заряженного конденсатора 6. Резистор 5 является нагрузочным сопротивлением преобразователя и для ряда практических случаев его можно устранить.

Таким образом, на выходе устройства имеет место двухполярное напряжение, величина которого (как положительная, так и отрицательная) может быть практически любой, поскольку она определяется значением V0 . В зависимости от конкретных технических требований количество транзисторов в сборке, включенной в цепи стока МДП транзистора 1, может быть увеличено или уменьшено для получения заданных выходных сигналов при постоянном значении V0 . Диоды необходимы для защиты затворов МДП-транзисторов от напряжений.

Таким образом, применение изобретения позволяет осуществлять согласование с различными схемами на биполярных транзистор.ах и в результате повысить их помехозащищенность и термостабильность.

,Ф о р м у л а изобретен и я

Преобразователь уровней, содержащий первый и второй МДП-транзисторы с р-каналом и резистор, один вывод которого подключен к выходной клемме, затвор первого МДП-транзистора подключен к входной клемме, а исток - к общей шине, затвор и сток второго МДП-транзистора подключены к клемме источника питания, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения за счет получения на выходе двухполярного напряжения при наличии однополярного источника питания, в него введено два дополнительных МДП-транзистора с индуцированным р-каналом, два диода и конденсатор, один вывод которого подключен к стоку первого МДП-транзистора, истоку первого дополнительного МДП-транзистора, аноду первого диода и затвору второго дополнительного МДП-транзистора, исток которого подключен к второму выводу конденсатора и выходной клемме, исток второго МДП- транзистора подключен к аноду второгд диода и затвору первого дополнитель515399316

ного МДП-транзистора, сток котороготочника питания, второй вывод реэисподключен к стоку второго дополни-- тора подключен к катодам обоих диодов

тельного МДП-транзистора и клемме исг и общей шине.