РЕВЕРСИВНО-ВКЛЮЧАЕМЫЙ ДИНИСТОР Советский патент 2016 года по МПК H01L29/74 

Реверсивно-включаемый динистор, выполненный на основе полупроводниковой p-n-p-n-структуры, в которой оба эмиттерных p-n-перехода закорочены посредством технологического шунта, причем шунт по крайней мере одного из переходов имеет замкнутую форму, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности включения по площади структуры и снижения энергетических потерь при включении, шунт второго перехода имеет форму цилиндра, коаксиального с шунтом первого перехода, или форму кольца, коаксиального с шунтом первого перехода и структуры.